Способ контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок

) 4 0 11 С 1/ БРЕТЕ Я,ЕЛЬСТВУ КОМУ С й орман,индриСов,измеряют длител процесса птно в лаэта длист об 81 т 23 Если гово дефе о значен яэ нов н то А 1 ксируют нучастке пл ичие атем эти денс ки о Ю 1 Ь 10 ИССЛЕПодсчитывая вторяют для с том,". -го участка Эы 11, дефектных учас 1 м 1 стков, можнь среднюю2 ил. исг изирсксиаль ЭФГП),просто о ели еЛектов.ост ОСУДАРСТВЕКНЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ ОПИСАНИ(56) Лисовский Ф.В. физика цилческих магнитных доменоьМ,:радио 1979, с. 148-151,Физика твердого тела, 19вып, 6, с1735-1739(57) Изобретение относится ктике и вычислительной техникежет найти применение в автомаванных системах контроля эпитных феррит-гранатовых пленок Целью изобретения является упрог 1 ениеспособа выявлени 1 деФетов при автоматизированном контроле ЭФГ 11. С 1 особзаключается в том, что на участокпленки, имеющий в начальном состояниилабиринтную доменную структуру, воздействуют кратковременным импульсныммагнитным полем смещения и перемагничивают его до насьшения, а затемпосле окончания импульса поля смещеремагничивания пленк биринтную структуру, тельность меньие пор1348 45 Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и можетнайти применение в автоматизированныхсистемах контроля эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок (ЭФГП),5Пелью изобретения является упрощение способа выявления дефектон приавтоматизированном контроле ЭФГП.На фиг,1 показаны области перемаг Оничинания пленки; на фиг,2 - выходной сигнал фотоэлектронного умножителя.Предлагаемый способ основан наследующем, 15На участок пленки, находящейся всостоянии с обычной лабиринтной доменной структурой, воздействуют прямоугольным импульсом магнитного полясмещения с амплитудой, преньппающей веОличину поля насыщения для данной пленки, и длительностью 7 =, 1-3 мкс,Импульсное магнитное поле смещениясоздают плоской круглой катушкой небольшого размера, например с внутренним диаметром 1-3 мм.Во время дейстния такого импульсаисследуемый участок ЭФГП внутри катушки смещения переходит в однороднонамагниченное состояние, После окон- ЗОчания действия импульса начинаетсяпроцесс размагничивания ЭФГП, которыйпроходит в виде равномерного движения полосовых доменов от наружнойграницы импульсной катушки к ее центру, При наличии дефектов внутри катушки к описанному процессу движенияполосовой доменной структуры добавляется процесс развития доменной структуры на дефектах. Если осуществить 40регистрацию динамики процесса импульсного перемагничивания на локальном участке пленки внутри катушки иконтролировать некий характерный параметр перемагничивания, можно (поизменению этого параметра) судить оналичии дефекта на данном локальномучастке.Процесс импульсного перемагничинания пленки можно регистрировать с по Омощью фотоэлектронного умножителя(ФЭУ). При этом ФЭУ и импульсная катушка центрируются, а диаметр засвечиваемой (видимой) области выбирается в несколько раз меньшим диаметракатушки (фнг.Если на участке пленки внутри катушки нет дефектов, то видимая область остается однородно намагничен 906 2ной н течение времени .дпослеокончания импульса поля смещения дотех пор, пока.лолосоные домены (ПД)в процессе своего роста не достигнутвершинами ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект попадает в видимую область, то процесс заполнения видимой области начнется на дефекте сразу же после снятия импульсного поля смещения. Лпительность спада выходного сигнала ФЭУ занисит от месторасположения дефекта в видимой области и минимальна в случае, когда дефект находится в центре видимой абласти (фиг.2, линия 2), и максимальна, когда дефект расположен на границе видимой области (фиг2, линия 3). Следовательно, длительность спада выходного сигнала при попадании дефекта в видимую область лежит междуЗеедееее )мин и ( еел )лц, ф( Если дефект попадает в области внутри катушки, но не попадает н видимую область, то время, в течение которого видимая область остается однородно намагниченной после снятия импульса поля смещения 1 а (фиг.2), уменьшается, а спад выходного сигнала ФЭУ начинается с момента прорастания радиально-гребешковой доменной структуры до границы видимой области (фиг линия 4), В этом случае длительность выходного сигнала всегдаЗе е неь дереел1348906 Способ автоматического контроля дефектов в ЭФГП осуществляют следующим образом,Сфокусированным потоком поляризованного света освещают область внутри катушки, генерирующей импульсы поля смещения. Изображение видимой области в середине области пленки, охватываемой катушкой, через микроскоп с поляризованным фильтром подают на фотоприемник ФЭУ, После подачи импульса поля смещения производят регистрацию длительности процесса размагничивания исследуемого участка пленки путем измерения длительности выходного сигнала ФЭУ, Если эта длительность- дее меньше пороговой ьор = имп +еел )щс то это свидетельствует о наличии дефектов пленки на данном участке, Затем для исследования берут следующий участок и опять замеряют длительность выходного сигнала ФЭУ, Подложку с исследуемой пленкой закрепляют на сканирующем столике. Это позволяет осуществлять сканирование образца по всей его поверхности в двух взаимно перпендикулярных направлениях,Способ позволяет быстро и просто определить среднюю плотность дефектов ЭФГП путем подсчета числа дефектных участков, разделив это число на произведение общего числа исследованныхучастков и площади видимой области,Формула изобретения Способ контроля эпитаксиальныхферрит-гранатовых пленок, заключающийся в последовательном воздействиина пленку перемагничивающими одиночными импульсами неоднородного магнитного поля смещения, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью упрощения процесса выявления дефектов, научасток пленки с лабиринтной доменнойструктурой в начальном состоянии воздействуют кратковременным импульсныммагнитным полем смещения с амплитудой,достаточной для однородного намагничивания до насыщения данного участка,измеряют длительность процесса перемагничнвания пленки обратно в лабиринтную структуру после окончаниявоздействия импульсного магнитногополя смещения, определяют наличие дефектов на данном участке пленки, еслидлительность перемагничивания пленкив лабиринтную структуру оказываетсяменьше порогового значения, переходятна другой участок пленки и повторяютуказанные действия,1348906 рректор М.11 емчи каз 5196/52 Тираж 587 ВНИИПИ Государственного, комитет по делам изобретений и открыт 13035, Москва, Ж, Раупская на