Манянин

Номер патента: 1744612

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Вилкова, Ксенофонтов, Манянин, Рубан, Сухаревский

МПК: G01N 24/00

Метки: атомов, зависимости, смещений, среднеквадратичных, угловой

...угла поворота Оп 1с(0 п 1)/соз Оп 1.В этом случае расчетные формулы для площади под спектром резонансного поглощения монокристального (текстурированного) поглотителя Я(0 ) и поглотителяэталона Яэ( 6) приобретают вид(й=А(О) и (й(йо. , (6 = А (6) пэ (б , (б о где и, (О, и пэ(0 )-плотности резонансных ядер в исследуемом и эталонном поглотителях соответственно;А(0) - аппаратурный фактор;съ, - сечение резонансного поглощения, Так как исследуемый образец и поглотитель-эталон находятся в тождественных геометрических условиях, то п(О)= =сопзт пэ (6 и угловая зависимость среднеквадратичных смещений может быть определена с точностью дс постоянной г 2, (Я=(Л/2 ф п (Ь(6 /Я,(ф+ сопзт,Для установления вида и особенностей угловой зависимости...

Номер патента: 1706738

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Бейгельзимер, Борзенко, Гетманский, Манянин

МПК: B21C 25/00

Метки: заготовок, контейнер, осадки

...наружной поверхности,На чертеже приведена схема предложенного контейнера, где 1 - многовитковая цилиндрическая пружина, 2заготовка.Контейнер выполнен телескопическим вдоль продольной оси из наборапо крайней мере двух и более наложенных друг на друга со смещением повысоте листов из пружинной сталисвернутых в виде плоской спиральнойпружины с центральным отверстием подзаготовку,801706738 нием и может наити применение дляполучения цилиндрических заготовок изпористых и малопластичных материаловметодом осадки, Цель изобретенияповышение качества заготовок за счетисключения изгиба и образование"бочки" на наружной поверхности.Контейнер выполнен в виде телескопической вдоль продольной оси многовитковой спиральной пружины с центральным...

Номер патента: 1348906

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Барьяхтар, Дорман, Ковалев, Манянин, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: пленок, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект...

Номер патента: 1078371

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Глущенко, Зиновук, Коновалов, Лаптиенко, Манянин, Ходосов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, параметров, пленок, тонких

...пленки из ненасыщенного состояния в насыщенноев области частот 10-100 мГц 1.Однако использование устройстватребует сложной и дорогостоящейаппаратуры, необходимости примейенияспециальных резонаторов, отстройкиот сигнала, получаемого от немагнитной подложки, а также характеризуется невозможностью проведенияизмерений при частотах свыше 100 мГц.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности являетсяустройство для измерения параметров 40тонких магнитных пленок, содержащеесоединенные генератор высокой частоты и высокочастотный контур, соединенные синхронный детектор и регистратор, генератор низкой частоты, 45электромагнит, катушку модуляции, расположенную на электромагните, и блок питания электромагнита, причем первый и второй...

Номер патента: 1069002

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Галкин, Довгий, Калкин, Манянин, Ходосов, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, параметров, пленки, феррит-гранатовой, эпитаксиальной

...пленку сжимающих 60 напряжений, последние создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбар.При таком режиме создания сжимающих усилий происходит изменение параметра кристаллической решетки подложки и пленки и, вследствие отличия откуля константы магнитострикции пленки (эффекта магнитострикции), :.роисходит изменение целого ря.,а ее емагнитных параметрон. одноосной анизотропии, характеристической длины,намагниченности насыщения, шириныстрайпа, диаметра одиночного ЦМД,плотности решетки ЦМД и т.д.Нижний предел 0,1 кбар выбраниэ услония начала влияния данления намагнитные параметры, а верхний 5 кбаропределяется прочностью эпитаксиальной пленки.На чертеже приведены зависимостимагнитных параметров...

Номер патента: 1016571

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Левченко, Манянин, Прокопенко

МПК: F04F 9/02

Метки: вакуумная

...позволяет обеспечить возможность включения диффузионного насоса на давление, превышающее его начальное давление в 5-10 раз,В известной системе согласование режимов достигается за счетустановки более мощного форвакуумного насоса, а также за счет установки диффузионных насосов с большим начальным давлением.Целью изобретения является рас"ширение диапазона раЬотй и повышениеэкономичности. 35Указанная цель достигается тем,что в вакуумной системе , содержащей йодсоединенный к откачиваемомуоЬъему вакуум-провод с последовательно установленными на нем диффузионным и Форвакуумным насосами иФорбаллоном, форбаллон установлен. перед диффузионным насосом, а вакуум-провод снабжен затворами, расположенными на входе и выходе форбаллона, и подсоединенным...

Номер патента: 982087

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Манянин, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...способу размеры канала продвижения ЦМД и.период транспортной структуры не зависят от геометрических размеров элементов продвижения ЦМД, в частности проводника с током, а зависят только от свойств доменосодержащего материала и параметров импульсного тока. Вследствие этого, предлагаемый способ продвижения оказывается работоспособным практически во всем. интервале температур от 4,2 К до температуры Нееля используемого ЦМД-материала (за исключением интервала монодоменности в том случае, ког. да ЦМД-материал имеет точку компенсации Т, ).На фиг. 1 изображена гребенчатая доменная структура в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной границей между ними; на фиг. 2 и 3 - некоторые варианты кодировки информации (расположения ЦМД в...

Номер патента: 960951

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Манянин, Прудников, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: генерации, доменов, магнитных, цилиндрических

...локальное изменение магнитных свойств феррит-гранатовой пленки. Линейные размеры области и ее конфигурация определяются в каждом конкретном случае топологией соз-,6 О даваемого ЦМД-устройства. При приложении к Феррит-гранатовой пленке поля смещения необходимой величины все свободные страйп-домены .коллапсируют, и сохраняются только страйп домены 4 (полосовые домены), связан" ные с областью 3. Величина напряженности поля смещения выбирается в диапазоне больше величины поля при коллапсе свободных страйпов и меньше величины поля при коллапсе ЦМД.На фиг. 2 приведена форма применяемого импульса треугольной формы планарного поля и отмечены моменты вре мени T, в г в фазах подъема и спада амплитуды напряженности импульса Н+ с указанием Н...

Номер патента: 955199

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...то полярность импульсов должна бать такой, чтобы импульсное магнитное поле Нц, создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно гюлю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника импульсного магнитного поля.ННоюгде Н- поле эародышеобразования. Затем поле смещения снижается до величиныН ННгде Н- поле коллапса ЦИД в даннойпленке.55 При этом в области 2 образуется регулярная решетка ЦМД, плотность ко" постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиент ного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей...

Номер патента: 920837

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитной, образования, пленке, структуры, тонкой

...стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного...

Номер патента: 903976

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, доменосодержащей, каналов, магнитных, образования, пленке, продвижения, цилиндрических

...импульсного магнитного поля большей величины, чем напряжен ность поля насыщения, Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки пе ремагничивалась в решетку с ЦИД, 55 полярность которых противоположна полярности ЦИД в первоначально сфор" мированной решетке. фТаким образом, формируется. магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦИД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику., а ее положение в магнитной пленке ( расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых...