Способ удаления выступающих дефектов с поверхности эпитаксиальных слоев

(п 1 4335 Союз СоветскихСоциалистицескихР ОБРЕТЕН И ТОРСКОМУ СВИДЕТЕДЬСТ публи 61) Зависимое от ав 22) Заявлено 10,08.7 свидетельст 21) 147116426(51) Л. Кл. Н 011 7/00 В 240 3/3аявкиприсоединени сударствеииый комите оввта Министров ССС ло делам изобретеиийи открытий(088.8) убликовано 25.06.74. Бюллетень2та опубликования описания 25.12.74 2) Авторы изобретени М. Чеховской, В. В, Митрофанов и С. А. Сми 71) Заявитель Н ИЯ В Ь 1 СТУПАЮЩ И ЭПИТАКСИАЛЬНЬ ДЕФЕКТОСЛОЕВ 54) СПОСОБ УД С ПОВЕРХН Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к эпитаксиальной технологии изготовления полупроводниковых приборов, и направлено на повышение качества поверхности эпитаксиальных слоев полупроводникового материала.В процессе эпитаксиального выращивания по известной технологии на поверхности эпитаксиального слоя часто наблюдается рост выступов в виде отдельных пирамид или их группировок. Выступы имеют острые вершины и достигают в высоту 30 - 40 мкм. Эти выступы являются дефектами поверхности эпитаксиального слоя, и .при проведении,в дальнейшем операций фотолитографии они образуют выколы на рабочей поверхности фотошаблонов, значительно уменьшая срок их службы, а также снижая процент выхода годных структур после каждого совмещения.Возможно уменьшение величины выступающих дефектов на поверхности эпитаксиального слоя путем электрохимического травления. Однако при этом происходит стравливание части эпитаксиального слоя, в результате чего полное удаление выступающих дефектов становится невозможным в связи с тем, что высота выступов в ряде случаев соизмерима с толшиной эпитаксиального слоя.Известен также способ повышения качества поверхности изделий, включающий шлифование с использованием шлифовальнойжидкости. Но применяемые при этом абразивные инструменты не пригодны для обработкиэпитаксиальньгх слоев, потому что зерна абра 5 зива, удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию защитного покрытия, предотвращающего возможность образования на поверхности эпитаксиального слоя 1 царапинотколовшимися частицами выступов 3 придальнейшеп обраоотке. Для этого также меж 30 ду поверхностью эпитаксиального слоя 1 иРедактор А, Батыгин Заказ 3307/19 Изд.968 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская иао., д, 45Типография,;:,;. Сапунова, 2 плоскостью полировальника 4 создают топкий слой шлифовальной жидкости 5, например, слой глицерина, Шлифовальная жидкость 5 препятствует непосредственному соприкосновению полировальника 4 с поверхностью эпитаксиального слоя 1.К помещенной на плоскости полировальника 4 полупроводниковой пластине 2 прикладывают нормальное усилие Р, обеспечивающее выдавливание из под пластины 2 лишней жидкости 5 и образование между поверхностью эпитаксиального слоя 1 и плоскостью полировальника 4 зазора, величина которого меньше высоты выступов 3. При перемещении пластины 2 по поверхности полировальника 4 происходит сошлифование (скалывание) выступов 3, а образовавшиеся осколки скапливаются в канавках полировальника 4.Описанный способ обеспечивает эффск. ив ос удаление выступающих дефектов с по.всрхности эпитаксиальных слоев и, таким образом, способствует повышению качества их поверхности. При использовании этого спосо ба интенсивность износа фотошаблонов уменьшается примерно в три раза, что приводит к увеличению процента выхода годных полупроводниковых структур. 10Предмет изобретенияСпособ удаления выступающих дс,:ектовс поверхности эпитаксиальных слоев, включающий шлифование с использованием шлифовальной жидкости, отл л ч а ющий ся 16 тем, что, с целью повышения качества поверхности, предварительно вс 1 о поверхность эпи-.аксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с помощью плоского полировальника с канавками.