C23C 16/08 — из галогенидов металлов

Номер патента: 204088

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Московский, Сплавов, Чист

МПК: C23C 16/08, C23C 28/00

Метки: веществ, слоев, соединений, химических, элементарных, эпитаксиальных

...конденсацией из пара в вакууме вначале получают гетероэпи.таксиалыный слой металла на полупроводнике и его последующим вплавлением добиваются создания равномерного тонкого слоя жидкой фазы, из которои происходит процесс автоэпитаксии полупроводника, легированного заданной примесью (получение электронно.30 дырочного р-п, гг-р - пепехода) с образоча204088 Предмет изобретения Составитель О. Федюнина Редактор А. Шиллер Текред А, А. Камышникова Корректоры; О, Б, Тюрина и С, ф, ГоптаренкоЗаказ 3832/8 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 нием на поверхности металлического слоя, обеспечивающего омический контакт. Причем без...

Номер патента: 258799

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вакс, Ведь, Гребенников, Морозов, Пепел, Сергеев, Федотова

МПК: C23C 16/08

Метки: заготовок, трубных

...заготовлью ю подложку легмеханическим путем. заготовку требуемого нки заготовки опрсдстью процесса наращинара щива графитовы с наружнь диаметру вую или уг полностью ркониевую олщина стс лжительиос металлов тсрйодидов этих жкс, отли порожки (оправгли угольные Изобретение относится к получешцо тугоплавких металлов термодиффузионным способом.Известный способ получения циркония и других тугоплавких металлов высокой степени чистоты заключается в том, что цирконий, образующийся в результате термического разложения йодида циркония, нарацтивается на нагретую до температуры 1200 - 1 д 00"С вольфрамовую или циркониевую нить или ленту для получения стержней циркония высокой степени чистоты, из которых затем изготавливаются требуемые...

Номер патента: 289147

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голованов, Кириллов, Луки, Петров, Чужко

МПК: C23C 16/08

Метки: евко, захаров, институт, ленделеева, наздзгдвд-и, р.и, ссср, физической, химии, э.и

...предварительно очи. щают от окислов путем их восстдиовлсиия в потоке чистого водорода, скорость которого 15 с,цсек, при температуре 800 в 12 С 1 течение 30 дган. Лля полсипя моиокристдллически.( покрытий исобходимо предотвратить гомогенное протекдиис реакции. Это достигается поддержанием определенного соотиошеиия между водородом и гсксдфторидом водьфрама, а имсгшо 3 - 6. 11 ачдльиос парцидльиос давлсиие гсксафторида вольфрама поддери(ивдкг 1 0,03 ат,ц, д водорода 0,09, Сииж 1 ют парилы 10 с Д 2 влсиис либО разбаВлеиием редкциоииой смеси инертным газом - аргоиом, гелием, либо разрежением. Скорость потока компонентов от 15 до 100 с,ц,.сек, время пребывдиия в реакционной камере 0,1 - -1 сск. Гсксдфторид вольфрама предвари.тельно...

Номер патента: 1497274

Опубликовано: 30.07.1989

Автор: Касаткин

МПК: C23C 16/08

Метки: вольфрамовых, нанесения, покрытий

...стали с внутреннимдиаметром 90 мм, длиной 420 мм, фланцы 2-5, наружную электрическую печь 6мощностью 3,5 кВт, один из коллекторов 7 водяного охлаждения фланцев итехнологической оснастки, экраны .8,21; опору 9; покрываемые изделия10,11 (цилиндрические втулки с внутренним диаметром 37 мм и высотой28,3 мм, помещенные в гнездо обоймы12),фиксирующие кольца 13 изделий соснасткой и между собой, втулки 14,18, конусныйвкладыш 15, экран 16;корпус 17 коллектора с 6 отверстиямичерез 60 , гайку 19; полый стержень20, в нижней части которого выполнено ряд отверстий для подачи ПГС перпендикулярно поверхности осаждения,иатрубок 22 для подачи ПГС (соотноыение гексафторида вольфрама к водородув примере 1:9,6) патрубок 23 для подачи водорода (15-687....

Номер патента: 1768660

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Мирсаидов, Норматов, Пулатов, Шерматов

МПК: C23C 16/08

Метки: нанесения, покрытий

...в том, что при непрерывной бомбардировке хлорида кадмия атомарным водородом на поверхности обрабатываемого материала происходит две стадии гетерогенной химической реакции с образованием молекулярного водорода при рекомбинации атомов водорода с выделением 104 Ккал/моль энергии, которая расходуется на расшатывание связи Сб - С 1 и одновременно происходит взаимодействие хлорида кадмия с другими атомами водорода с образованием летучего гидрида кадмия и хлористого водорода. Поскольку система работает в проточном режиме, хлористы й водород откачивается и нейтрализуется в ловушках, представляющих собой стеклянный сосуд с твердой щелочью.Гидрид кадмия охлаждается на ахлаждаемай до 10 - 11 С подложке и далее при отогреве подложки до 50 С...

Номер патента: 222839

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Ивановский, Петенев

МПК: C23C 16/08

Метки: металлическую, нанесения, неметаллическую, поверхности, циркония

Способ нанесения циркония на металлическую и неметаллическую поверхности путем осаждения его в газовой фазе и в вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения плотного и равномерного покрытия на изделиях сложной конфигурации, в качестве исходного соединения используют двойной фторид трехвалентного циркония и щелочного металла.