H01L 7/36 — H01L 7/36

Номер патента: 451147

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Гулидов, Котюков, Пекарев, Чистяков

МПК: H01L 7/36

Метки: автоэпитаксиального, кремния, слоя

...операция диффузии мышьяка на глубину 0,9 мкм при 1200 С включена в первую технологическую схему перед термическим окислением, а во вторую - непосредственно перед эпитаксией, По прежней схеме плотность дефектов упаковки составляет 10 з - 104 см -с преимущественным расположением их вне окон, При введении дополнительной операции в обоих случаях плотность дефектов упаковки составляет 10 - 10 см в , причем дефекты упаковки располагаются преимущественно по рискам, оставшимся после полировки подложки.Учитывая, что в процессе окисления и высокотемпературного газового травления перед эпитаксией происходит удаление поверхностного слоя кремния, следует выбирать глубину диффузии так, чтобы к операции эпитаксии сохранился тонкий приповерхностный слой...

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 7/36

Метки: газовой, например, полупроводников, растворов, слоев, твердых, фазы, эпитаксиальных

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...