Способ определения параметров эпитаксиальных ферритгранатовых систем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советск ниСоцивпистичвскикРвсттублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕИ,ЛЬСТВУ и 862 О 87("1)Щ Я 01 Я 33/12 Госудорстоелный комитет СССР оо делам изобретений и открытий1) Заявнтел онецкий физико-технический инстн 4) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВЫХ СИСТЕМ оспек ение относится к ра нитных материалов кое применение как исследования и технстатических и дина в эпитакснальных маг лучивших значительн в устройствах обрабо можеткспресс- ологическомических нитных ое распротки инфо Известен способ определения параметрот систем, заключающийся в исследова нни угловой зависимости спектра ферромагнитного резонанса (ФМР) в двух характерных плоскостях ориентации образца относительно плоскости врашения магнитного поля; когда ось легкого намагничивания (ОЛН) магнитной пленки содер жится в плоскости поля (угол вращения 9 ) и когда плоскость вращения магнитного поля или образца перпендикуляр".а ОЛН (угол вращения ч ) Г 13Этот способ имеет существенные ограничения. скальсобо Йэобретскопин магнайти широметод дляго контроляпарам етросистем, пВстранениемацин. Известен также способ, при котором информацию для оценки ряда важных характеристик специальной исследуемой пл кн получают благодаря наличию угла отклонения оси легкого намагничивания (ОЛН) от норматпт к плоскости пленки О М. Как правило, пленки, применяемые для информационных систем с цюпщдрическими магнитными доменами (ЦМД) характеризуются 6 = О, и использование предложенного способа невозможно. С целью повышения точноси иэмереиийр при Ощэеделении параметров эпитажных феррит-гранатовых систем, спом включающим воздействие на систе му электромагнитного поля с последующим получением спектра ферромагнитного резонанса прн различных ориентациях оси легкого намагничивания системы и век тора магнитного поля, фиксируют переход доменной структуры феррит-гранатовой системы нз ненасыщенного состояния в насыщенное в области частот 10-100 Мгц.На фиг. 1 представлена запись спектра ФМР на частоте 17,2 Ггц при 293 Кна фиг. 2-зависимость полуширины линииЬН в эрстедах от частот прикладываемого СВЧ поля; на фиг, 3 результаты экс 5периментов по определению зависимостиполуширин линий ЬН от частоты в области высоких частот; на фиг, 4 - зависимость резонансных полей цр,( цо) отчастоты в диапазоне 10100 Мгц. 1 ОИэ фиг. 4 следует, что при Ш 0-0 (резонансная частота) в силу большого угланаклона кривой к оси абсцисс можно с вы 1 сокой точностью определить значение Но(поле одноосной анизотропии). Преимуществом является и то, что угловая зависимость Нр, при изменении У= ОСРнезначительно меняется в пределах + 20 эпри вращении магнитного поля в плоскости пленки.20Предлагаемый способ реализуется последовательным получением и обработкойспектров ФМР в двух характерных областях частот при различной ориентации магнитного поля Н 0 относительно ОЛН (ось длегкого намагничивания).1, Зались спектров магнитного резонанса в области фазового перехода насыщенное состояние - ненасыщенное состояние доменной структуры для определенияНр 1 (магнитная компонента Ъ.1 1, НО).Ц. Получение спектров ФМР Н 0 ОЛНи Н 01 ОЛН на частотах, обеспечивающихрезонанс насыщенного состояния магнитной пленки.Отметим, что в принципе оба спектра35можно записывать одновременно, создавдва независимых канала регистрации длясокращения времени эксперимента,П 1, Обработка спектров.1. Определение поля анизотропии Н,о, 402. Определение эффективной анизотропии ФМР;3. Определение гиромагнитного отношения;4. Определение релаксационной конс 45танты затухания, однородной процессии.ФМР ;5. Определение намагниченности насыощения УМ оценка поправок УМА, УМ.Исходя из результатов измерений, представленных на фиг. 4, поле однооснойаниэотропии равно Нр,1 = 800+ 10 э. Эффективная аниэотропия ФМР есть эффект одноосности (К и О и совпадения антисимметрии Н., и 2 ЛМв, входящих с противоположными знаками в смещение линий резонансного поглощения при всех ориентациях йо относительно ОЛН).Согласно данным, приведенным на фнг. 1 и другим, эффективная анизотропия, измеренная на частотах 17,24 Ггц и 23,40 Ггц, постоянна и равна 7001 ф 20 э (Нр-Нр 2100 эф 60 э).Гиромагйитное отношение определяет,ся из измерений резонансных магнитных полей на двух различных частотах, например ш 0= 9,28 Ггц и шщ 17,24 Ггц," 3"= "Ой- н 01/ 0 у=177 + 001 Мгц/э,Релаксационная константа затуханияв соответствии с данными, приведенными на фиг. 1, для данной ЭФГС и Т293 К равна с. = 0,09+0,01.Оценим поправки, На частоте 17,24 Ггц УН= 14 а. С понижением частоты эта поправка растет, По-видимому, оптимальной частотой для данной ЭФГС является диапазон частот ю 9 Ггц, когда погрешность измерения эффективной анизотропии меньше данной поправки.Нама гииченность насыщения составит величину 2 УМ= 86 э, Поправка ФМбудет УМ= 0,2 э, т.е, пренебрежимо малой,формула изобретенияСпособ определения параметров эпитаксиальных феррит-гранатовых систем, вкпочающий воздействие иа систему электромагнитного поля с последующим получением спектра ферромагнитного резонансапри различных ориентациях оси легкогонамагничивания систем и вектора магнитногополя,отличающийся тем,что, с целью повышения точности измерений, фиксируют переход доменной структуры феррит-гранатовой системы иэ ненасыщенного состояния в насыщенное в области частот 10-100 Мгц.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1.С,ОНеО, РУВ. Кем, 73, М 2,155,2. "Радиотехника и электроника,М 9,с. 1894-1900, 1976 (прототип).863087 Составитель Ф, ТарнопольскаяРедактор Б, Федотов Техред М,Табакович Корректор Г. Назарова Заказ 66 илиал ПЛП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,41 Тираж 732ВНИИПИ Государствепо делам иэобрете 113035, Москва, ЖМГЖ,Р Подписноеого комитета СССРй и открытийРвушская наб д, 4/5
СмотретьЗаявка
2811072, 29.08.1979
ДОНЕЦКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ АН УССР
ГАЛКИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ХОДОСОВ ЕВГЕНИЙ ФЕДОРОВИЧ, КОЖУХАРЬ АНАТОЛИЙ ЮРЬЕВИЧ, ЧИРКИН ГЕННАДИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/12
Метки: параметров, систем, ферритгранатовых, эпитаксиальных
Опубликовано: 07.09.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/5-862087-sposob-opredeleniya-parametrov-ehpitaksialnykh-ferritgranatovykh-sistem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров эпитаксиальных ферритгранатовых систем</a>
Предыдущий патент: Датчик напряженности магнитного поля
Следующий патент: Коэрцитиметр
Случайный патент: Регулятор давления для закрытых оросительных систем