Способ измерения толщины эпитаксиальных пленок

462072 Союз Советских Социалистических РеслублинОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 161) Зависимое от двт. свидетсльства - 122) Здявлеио 19,04,73 121) 1914930/25-28) )Ч, Кл. 6 01 Ь 19/36 присосдшеиием заявки У осударственный комитетСовета Министров СССРао делам изобретенийи открытий(32) Приоритст -Опубликовдио 28.02.75. Бюллетень М 8 Дата сиубликоваиия описания 07.08.75. Гончар и Р. А. Церфас 71) Заявитель ашкеитскии завод элек СОВ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЬПЛЕНОК 04 С 51 ЭТО ТСМ, )ТО В С)при идличии изгибЛО)1 ПРОГИбс /мдсгнаправленные вцу5 ЕН/г: /1, где Г(г г -(- цп)Ой=вО л ме плск- ПОДЛОККс) зуемого стрегоризоцтальио пряжеция аь га, Н - толплеики. Доба- в псрвом приа, характер возиикают треииие иа - модуль Ю - толщина Р иа плсик Изобретение относится к области измерительной техиики и касается толщииы эпитаксиальцых пленок противоиолокцого типа,проводимости.Известен иитерферометрический метод измерения топких пленок, который заключается в том, что иа пленку с подложкой иаправляют световой поток и измеряют разность фаз между иитерферирующими лучами, отрджеицыми от поверхцости пленки и от грац)щы пленка - подложка. По измеренной разности фаз опрсделя)от толщину пленки.Однако этот метод сравнительно сложен и ,достаточно трудоемок, что затрудняет использоваиие его для контроля и анализа техиологическцх,процессов в производственных условиях.Предлагаемь)й способ отличается от известного метода тем, что к освещенной пленке прикладывают в точке измерения периодически изменяющееся усилие и регистрируют образующуюся между пленкой и подложкой фотоэ,д.с по которой определяют толщину пленки. Предлагасмьш спосоо оазируется иа положеиии, что иа эпитаксиальиых плепках с подложкой противоположного типа проводимости иаблюдяется изменение величины фото-э,д.с. между плецкои: подложкой при воздействии .ца пленку локальцого ддвлсиия. Ооъясияетй техники имени В. И. Ленина)1 дс и - коэффицисит пропорциональности,постояииьш в области упругой деформации. С другой стороны, величина фото-э.д.с. Па р - гг переходе пропорциональна отиошсшцо г/г., где /. - ток, ооусловлеииый генерацией носителей светом, / - обратцый ток р - г переХода. ИЗМСИСИИЕ /г - ОбратИОГО тОКа, ВЫЗЫ- вающес измсцсиис фото-э.д.с., связаио с измецеиием ширины запрещеииой зоиы полупро- ВодцИКОВОГО МяТСРИяЛя ОТ дяВЛЕИИя. Мосицо показать такке, что отиошсиис измеиеция фото-э.д.с, к измсиси;о давления, тридокеиио- ГО 1" ПЛСИКС, 001 сТИО-П 1 ОИ 01 ЗЦИСИсЛЬИ)0 ТОЛ)цпие плеики.Величииу измсиеция фото-э.д.с. можцо прокялиб 1 оват. в вел;чиис толщииы эпитдксидл.ПО плс;ки, опрсдслеииой другим извсст иым методом, иапример методом дефектов упаковки. Описдииьй приицип положеи в Ос- зо462072 Р Салин рилк Составитель Техред Торректор Н. Аук Ю едакто Тираж 782Совста Министров Соткрытийнаб д, 4/5 50 Ивд. ЛЪ ПИ Государств по дела Москва, иисное".каз 2403ЦН иного комитета изобретенийК, Раунская л, тии, Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли нову предлагаемого еразрушающего метода измерения толщины эпитаксиальной пленк; ца подложке с противоположным типом про. водимости.Изобретение поясняется чертежом.Измеряемый объект 1 помещают под локально давящий зонд 2, к которому прикладывают периодически изменяющееся усилие. Одновременно от источника света 3 с помощью оптических элементов 4 направляют модулированный световой поток на участок пленки, который подвергается воздействию давящего зонда. Величина фото-э.д.с. измеряется селективиым вольтметром 5 с высоким входным сопротивлением 11 гм 10"ом) по показаниям стрелочцого прибора 6. Резонансная частота селективного вольтметра выбирается ра ой частоте прерывания света модулято,ром 7. Контактом к пленке для измерения його-э.д.с. служи металлический щуп 8, расположешый вблизи от давящего зонда 5 светового пятна 9, другой контакт осуществляется через столик, ца котором находится измеряемый объект.Предмет изобретенияС;Особ измерения толщПы эпцтаксиэльцых 10 пленок иа подложке п 1 эотивоположцого типапроводимости путем облучения пленки световым потоком, отл 11 ча 1 ощийся тем, что, с цел о повышения производительности, в точке измерения прикладывают периодическц изменяо щееся усилие и регистрируют образующуюсямежду пленкой и подложкой фото-э.д,с., по которой определяют толщину пленки.