H01L 29/784 — H01L 29/784

Номер патента: 1762342

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Гаштольд, Колкер

МПК: H01L 29/784

Метки: мдп-транзистор

...диэлектрического слоя расположены метал. лические контакты к стоковой, истоковоР диффузионным областям и второму управ. ляющему затвору. Основным условиеь работы МДП-транзистора является обеспе чение электрической связи между первым и вторым управляющими затворами. В качестве маскирующего слоя могу 1 быть использованы слои двуокиси кремния нитрида кремния и т.д., при этом маскирующий слой расположен непосредственно над областью канала,Использование двух управляющих затворов из поликристаллического кремния и маскирующего слоя, обеспечивающего электрическую связь между первым и вторым управляющим затворами, позволяет повысить надежность работы МДП-транзистора практически при любой толщине первого диэлектрического слоя (подзатворного...

Номер патента: 1507145

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Лепилин, Мамичев, Прокофьев, Урицкий

МПК: H01L 29/784

Метки: мдп-транзистор

МДП-ТРАНЗИСТОР, включающий кремниевую полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области стока и истока второго типа проводимости, затвора над областью канала, состоящего из трех частей, две из которых примыкают к областям стока и истока, а третья область расположена между ними и имеет более высокую концентрацию легирующей примеси по сравнению с двумя другими, причем минимальные размеры третьей области превышают ширину области пространственного заряда при инверсии на ее поверхности, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работоспособности МДП-транзистора при низких температурах, подложка имеет концентрацию легирующей примеси, выбранную в интервале 1013 - 5

Номер патента: 1225438

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич

МПК: H01L 29/784

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стабильности, в подзатворном диэлектрике сформирована дополнительная область, примыкающая к двум контактам и содержащая катионные примеси концентрацией 1011 - 10-3 см-3, отношение толщины дополнительной области к толщине подзатворного диэлектрика составляет 0,2-0,5, при этом...