Способ изготовления пленочных резисторов

Номер патента: 277085

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гутников, Ленинградский

МПК: G01R 17/02

Метки: временной, импульсной, параметр, последовательности, сопротивления

...мост постоянного тока, усилительподключенный к его измерительной диагонали, и ключ, шунтирующий одно из плеч моста, скважность режима включения которого управляется напряжением с вы хода усилителя.Предлагаемый преобразователь имеет солее широкий диапазон изменения контролируемого сопротивления при сохранении линейной характеристики преобразования за 15 счет того, что в нем,ключ включен последовательно с одним из сопротивлений моста, а параллельно смежному с ним сопротивлению подсоединен у средняющий конденсатор.На чертеже представлена принципиальная 20 схема предлагаемого преобразсвателя.Преобразователь, содержит четырсхплечий мост постоянного тока, образованный сопротивлениями Й Р 2, Я, и Р, и подсоединенный одной диагональю к...

Номер патента: 531751

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Бабаян, Глазырин, Коган

МПК: B29D 7/20

Метки: пленочного

...установленные у торцов рогора с возможностью ооратного вра 1 цения диски с поводками для ска лок и фиксатор сгалок, смонтированный концентрично ротору в основании его секторных вырезов,1 акое выполнение устройства позволяет легко заправлять пленку, фиксировать ее в зиг загообразном положении и перемещать вме 531751сте с ротором, При этом происходит полный контакт поверхности пленки с обрабатывающей жидкостью, что способствует качественной обработке пленки.На фиг. 1 представлена схема устройства для обработки пленочного материала; на фиг, 2 - сечение по Л - Л на фиг, 1.Устройство состоит из корпуса 1, размещенного в нем ротора 2 с секторными вырезами 3 и приспособления 4 для ввода пленки в секторный вырез. Ротор выполнен в виде двух...

Номер патента: 938330

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Гукетлев, Дробот, Мещан, Намитоков, Овчинников, Шталенков

МПК: H01J 9/42

Метки: газоразрядных, импульсных, приборов, термической, электродов

...Р - мощность электронного пучка вимпульсе; 0 4- длительность импульса элект ронного пучка;Г - длительность разрядного токав номинальном режиме работы гаэоразрядного прибора;среднее эа импульс значение силы разрядного тока в номинальном режиме;0 - катодное падение потенциала, При термической обработке электродовмодулированным по длительности электронным пучком на рабочую поверхность электроаа поааются кратковременные импульсы большой мощности, которые создают на поверхности электрода условия, близ кие к реальным, возникающим при эксплуатации. При этом наблюдается выравнивание микровыступов и микротрещин, микроскопические посторонние частипы и включения удаляются с поверхности, Вследствие того, что импульсы подаются кратковременные,...

Номер патента: 1549386

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Жуков, Смолин

МПК: H01C 17/22

Метки: величины, гибридных, интегральных, микросхем, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

СПОСОБ ПОДГОНКИ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий формирование в резистивном элементе пленочного резистора областей повышенной проводимости с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления путем термообработки резистивного элемента лучом лазера с одновременным контролем величины сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности рассеивания резистора, области повышенной проводимости формируют вдоль боковых кромок резистивного элемента, причем ширину области повышенной проводимости формируют не превышающей 0,25 ширины резистивного элемента, а заданную величину удельного поверхностного сопротивления области повышенной проводимости определяют следующим...

Номер патента: 684474

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Белкин, Гнедин, Калабухов, Печковский

МПК: G01R 31/24

Метки: газоразрядных, импульсных, испытания, приборов, тренировки

...и катоды которых через резисторы соответствен им проводом и с формируюшеуправляющие цепи испытуемыхобъединены.з 6844смешения 6 и 7 и нагрузочный резисто8 формирующей линии. После окончанияпереходных процессов в устройстве доподачи управляющих импульсов на испытуемые приборы 4 импульсные диоды55 заперты и ток через цих не течет,При этом испытуемые приборы 4 подключены параллельно и на нх электродах действуют одинаковые испытательные напряжения, определяемые формирующей линией и источником питания, Падением напряжения на резисторах 6 и 7 можно пренебречь, поскольку испытуемые приборынаходятся в непроводящем состоянии.При подаче управляющих импульсовна испытуемые приборы 4 их внутреннеесопротивление резко изменяется, происходит...