Патенты опубликованные 10.11.1999

Номер патента: 651556

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/12, C03C 3/32

Метки: светозвукопровода, стекло

Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, J, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента показателя преломления и температурного коэффициента скорости ультразвука, оно дополнительно содержит AS при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 33-40О - 54-60J - 1-5AS - 1-2

Номер патента: 651558

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Цитровский, Шелопут

МПК: C03C 3/253, C03C 3/32

Метки: светозвукопроводов, стекло

Стекло для светозвукопроводов, включающее О, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента скорости ультразвука, оно дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов, ат.%:О - 65-66Ge - 18-20Bi - 15-18

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 919540

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: селективных, структур, эпитаксиальных

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 5 10-3 - 10-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношенияV=D/L,где V - скорость перемещения подложки, мкм/с;D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см2/с;L - линейный размер периода...

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Номер патента: 971041

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая, Спектор

МПК: H01L 21/66

Метки: p-n-структур, электролюминесцентных

Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур, включающий измерение интенсивности электролюминесцентного излучения со стороны эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего контроля толщины p-n-областей электролюминесцентной структуры, дополнительно измеряют интенсивность электролюминесцентного излучения со стороны подложки и по отношению определяют толщину p-n-областей.

Номер патента: 833601

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Цитровский, Шелопут

МПК: C03C 3/253, C03C 3/32

Метки: светозвукопровода, стекло

Стекло для светозвукопровода, включающий Pb, O, Bi, отличающееся тем, что, с целью повышения коэффициента акустооптической добротности и показателя преломления, оно дополнительно содержит Ge при следующем соотношении компонентов, ат.%:Pb - 6-19О - 56-62Bi - 8-16Ge - 16-20

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Номер патента: 1530020

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кантер, Федоров

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, подложек

Устройство для крепления подложек, содержащее основание и установленные на нем держатели в виде пружинной скобы с изогнутыми концами в плоскости держателя, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, концы держателя выполнены с дополнительным изгибом в плоскости, размещенной под углом к плоскости держателей.

Номер патента: 780742

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.

Номер патента: 1021317

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аликин, Бурмакин, Степанов

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока, содержащий ортованадат лития и литиевую соль ортокислоты элемента четвертой группы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения удельного электросопротивления, в качестве литиевой соли взят ортогерманат лития при следующем соотношении компонентов, мол.%:Ортогерманат лития - 65 - 80Ортованадат лития - 20 - 35

Номер патента: 1353124

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Добровольский, Севастьянов, Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого...

Номер патента: 1471900

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемой пленки, определяют напряжение Uо, соответствующее началу скачкообразного возрастания тока, и рассчитывают толщину d исследуемой окисной пленки по формуле d = Uо/Еd, где Еd - дифференциальный напряженность электрического поля исследуемой окисной пленки.

Номер патента: 1119535

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Астахов, Герасименко, Ивахнишин

МПК: H01L 21/302

Метки: использования, образцов, структуры, твердых, тел

Способ изготовления образцов для исследования структуры твердых тел, включающий формирование границ раздела между разными участками структуры и последующее утонение образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления образцов, перед утонением на поверхности исследуемого тела создают ряд выступов прямоугольного или трапецеидального поперечного сечения, на боковых гранях которых формируют границы раздела.

Номер патента: 1119553

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Калухов, Чикичев

МПК: H01L 29/40

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-8 10 см-3.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1292575

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зубринов, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: H01S 3/10

Метки: акустооптических, лазеров, материал, мод, светозвукопровода, синхронизаторов

Применение стекла 67 SiO2 28 Pb 3 K2O 2 Na2O в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

Номер патента: 1292581

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Каренина, Лесунова, Пальгуев

МПК: H01M 4/64

Метки: инертный, источника, материал, химического, электродный

Инертный электродный материал для химического источника тока, содержащий нитрид лантана, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной электропроводности, он дополнительно содержит нитрид кальция при следующем соотношении компонентов, мол.%:Нитрид лантана - 97,0 - 99,0Нитрид кальция - 1,0 - 3,0

Номер патента: 1646390

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 786720

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/368

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабатываемую поверхность.

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.

Номер патента: 1179774

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лесунова, Пальгуев

МПК: G01N 27/417

Метки: азота, концентрации

Способ определения концентрации азота с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом путем измерения ЭДС, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и повышения экспрессности, на оба электрода ячейки подают газ сравнения, содержание азота в котором составляет 102-105 Па, а кислорода не превышает 10-16-10-20 Па, нагревают до температуры 1100-1400oC, затем на измерительный электрод подают исследуемый газ.

Номер патента: 1124834

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лесунова, Пальгуев

МПК: H01M 6/20

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока, содержащий нитрид алюминия и нитрид металла второй группы, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной электропроводности, в качестве металла второй группы взят кальций при следующем соотношении компонентов, мол.%:Нитрид алюминия - 99,0-99,9Нитрид кальция - 0,1-1,0

Номер патента: 1028006

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Ножкина, Чанышева

МПК: C01G 13/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, ртути

Способ очистки дийодида ртути, включающий его многократную сублимацию в вакуумированной ампуле при наличии градиента температуры между зоной испарения и зоной конденсации, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты материала и упрощения процесса, перед сублимацией осуществляют проплавку дийодида ртути в атмосфере инертного газа при температуре выше температуры плавления не более чем на 50oC, а сублимацию ведут трех-четырех при температуре в зоне конденсации 90-110oC.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...