Патенты опубликованные 10.11.1999

Номер патента: 1435109

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/00

Метки: крепления, металлическими, пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, слоями, соединении

Способ контроля крепления пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов при соединении их металлическими слоями, включающий совмещение их поверхностями, на которые нанесены металлические слои, поджим друг к другу и направление на плоскость контакта светового потока, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода изделий с однородными соединяющими слоями, поджим пьезоэлектрической пластины осуществляют через прозрачный элемент с меньшим, чем у пьезоэлектрической пластины, показателем преломления, размещенный на поверхности пьезоэлектрической пластины, противоположной той, на которую нанесен металлический слой, световой поток направляют под углом, большим угла полного...

Номер патента: 803747

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.

Номер патента: 1760926

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аникина, Земцов

МПК: H01M 2/20

Метки: высокотемпературных, материал, соединения, электрического, электрохимических, элементов

1. Материал для электрического соединения высокотемпературных электрохимических элементов, включающий оксид хрома, оксиды редкоземельных элементов и кальция, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводимости при высоких температурах в окислительно-восстановительной среде, он дополнительно содержит оксид щелочного металла при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид редкоземельного элемента - 30 - 46Оксид кальция - 4 - 20Оксид щелочного металла - 2 - 10Оксид хрома - Остальное2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида щелочного металла используют оксид лития3. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида...

Номер патента: 1088586

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Девятова, Журков, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, травитель

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Бром - 0,1-2,5Ацетонитрил - 97,5-99,9

Номер патента: 683399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Номер патента: 1202423

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптических, добротности, лазеров, материал, модуляторов, светозвукопроводов

Применение стекла 14SiO2oCB2O3oCPbOoCBaOoC3K2O в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.

Номер патента: 1202460

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова, Черепов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-p-переходов, глубины, залегания, кремнии

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, позволяющих измерять глубину залегания мелких n-p- или n+-p-переходов, электрохимическое травление n или n+-слоя проводят при одновременном приложении напряжения 0,5 - 3,0 В к системе кремний n-типа или n+-типа - электролит и прямого напряжения к n-p- или...

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Орлов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Номер патента: 807903

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/228

Метки: полупроводниковых, структур

Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Номер патента: 1091766

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: algaas, гетеролазерных, основе, структур

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.

Номер патента: 1616341

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Конев, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора,...

Номер патента: 1561665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Клименко, Небрат, Усик

МПК: G01N 21/31

Метки: излучения, квантовой, люминесцентных, структур, эффективности

Устройство для измерения квантовой эффективности излучения люминесцентных структур, содержащее кольцевой фотоприемник с источником питания, капиллярный микрозонд с мембраной, нагрузочным штоком и электрическим разъемом, имеющим контакт с ртутью, наполняющей микрозонд, предметный столик с омическим контактом, выполненным в виде кольцевого электрода из индия, покрытого слоем галлия, электрический измерительный блок, соединенный с регистратором, источник напряжения, через измеритель тока соединенный с разъемом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений и расширения функциональных возможностей, он дополнительно содержит коммутатор, источник света, модулятор, термостат с...

Номер патента: 1618122

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Каренина, Лесунова, Пальгуев

МПК: G01N 27/02

Метки: азота, концентрации

Способ определения концентрации азота с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом путем измерения ЭДС при температуре 1100-1400oC, по величине судят о концентрации азота, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения экспрессности способа, на оба электрода подают анализируемый газ, нагревают до температуры измерения, затем на электрод сравнения подают газ сравнения, содержащий водород или азот, имеющий концентрацию азота выше, чем в анализируемом газе.

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Номер патента: 689467

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.

Номер патента: 1445511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дятлов, Коняшкин, Потапов, Пьянков, Солдатенков

МПК: H02N 1/08

Метки: двигатель, электростатический

Электростатический двигатель, содержащий монолитные и гибкие электроды, разделенные зазорами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы двигателя за счет устранения накопления зарядов в промежутках между электродами, на монолитных электродах размещены диэлектрические выступы, вершины которых покрыты проводящими слоями, гальванически соединенными с гибкими электродами, при этом расстояние между выступами L удовлетворяет неравенствамI < L < 1,14 (D/P)1/4 d1/4, - изгибная жесткость гибкого электрода;h...

Номер патента: 1148264

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 4/00

Метки: акустооптических, материал, светозвукопроводов, устройств

Применение халькогенидного стекла Ge AS2 Te7 в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических устройств.

Номер патента: 898914

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бурмакин, Степанов, Черей

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока на основе ортогерманата лития, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного электросопротивления, электролит содержит молибдат лития при следующем соотношении компонентов, мол.%:Li4GeO4 - 80 - 90Li2MoO4 - 10 - 20

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/24

Метки: многослойных, покрытий, проводящих, создания

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Номер патента: 1096913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: C03B 37/025

Метки: волновода, оптического

Способ изготовления оптического волновода путем ионной имплантации в кварцевое стекло и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения прозрачности оптического волновода в области 2,7 мкм за счет уничтожения центров захвата паров воды, отжиг проводят в условиях, исключающих контакт облученной поверхности стекла с парами воды и водорода, при температуре 623-673 К.

Номер патента: 345542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бурмакин, Родигина, Степанов

МПК: H01M 8/12

Метки: высокотемпературного, загущенного, топливного, электролита, элемента

1. Способ изготовления загущенного электролита для высокотемпературного топливного элемента, выполненного из расплава карбонатов щелочных металлов, путем пропитки указанным расплавом загустителя из окиси алюминия, двуокиси кремния и карбоната лития и последующей прокалки, измельчения и перемешивания со смесью карбонатов щелочных металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости и уменьшения потерь электролита при прокалке, перед пропиткой загуститель вначале нагревают до температуры 650oC, затем до температуры 750oC в течение 3-4 ч, после чего доводят температуру до 1000-1100oC и выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, а после...

Номер патента: 1151149

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: покрытий, полупроводниковых, проводящих, структурах

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах, включающий нанесение металла на структуру, формирование требуемой конфигурации металла, отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур путем предотвращения окисления металлизации, после нанесения металла на структуру проводят облучение структуры ионами бора дозой 5 1015-5 1018 ионов/см-2, энергией 0,5-250 кэВ, а отжиг проводят при температуре 1100-1400 К, в течение 15-60 мин или путем обработки СВЧ излучением с основной...

Номер патента: 816327

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая, Фомин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, селективного, структур, травления

Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном воздействии на структуру лазерным излучением мощностью оптического излучения 1-100 вт/см2 с энергией фотонов, по крайней мере на 0,1 эВ большей ширины запрещенной зоны полупроводника.

Номер патента: 1393098

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов, содержащее высокочастотный генератор, первый выход которого подключен к первому входу первого перемножителя, выход которого соединен с первым входом первого синхронного детектора и первым входом выходного блока, первый выход которого подключен к первой клемме для подключения исследуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с входами повторителя и первого переключателя и выходом блока компенсации, выход которого подключен к второму выходу выходного блока, второй вход которого соединен с первым выходом низкочастотного генератора, блок смещения, первый выход которого подключен через развязывающий...

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Номер патента: 871685

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кислородом, кремния, легированного, поликристаллического, травитель

Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%:Плавиковая кислота - 0,75 - 10Дифторид ксенона - 0,05 - 1,0Вода - 89,0 - 99,2

Номер патента: 753313

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Марончук

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонных, параметров, структур

1. Способ определения параметров варизонных структур, основанный на измерении зависимости интенсивности фотолюминесценции от энергии квантов в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения экспрессности контроля параметров по площади варизонных структур с шириной запрещенной зоны, возрастающей от поверхности к указанной подложке, измеряют зависимость интенсивности фотолюминесценции в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения подложки и дифференциальных изменений интенсивности фотолюминесценции при модуляции длины волны возбуждающего излучения, от энергии возбуждающих квантов.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1101078

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/00

Метки: матрица, фотоприемников

Матрица фотоприемников, состоящая из диэлектрической подложки в расположенных на ней фоточувствительных элементов из монокристаллического полупроводникового материала, содержащих фотоприемную и приконтактную области, отличающийся тем, что, с целью увеличения обнаружительной способности, фоточувствительные элементы выполнены переменными по толщине, при этом толщина фотоприемной области в 3 - 10 раз меньше толщины приконтактной области.