Патенты опубликованные 10.11.1999

Номер патента: 1626996

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования...

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Ободников, Юрков

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, поликристаллического, слоя

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Номер патента: 1570561

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Добровольский, Небрат, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, включающее высокочастотный генератор, выход которого подключен к первым входам первого и второго синхронных детекторов и к первому входу первого сумматора, выход которого через первый регулируемый усилитель и второй фильтр соединен с первым входом второго сумматора, второй вход которого соединен с блоком смещения, выход которого соединен с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, первый выход второго сумматора соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры и через первый фильтр с вторым входом первого синхронного детектора, выход которого соединен с второй выходной клеммой,...

Номер патента: 1333167

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бурмакин, Крякунов, Степанов, Шехтман

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока, содержащий оксид галлия, диоксид титана и оксид щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения, в качестве щелочного металла взят цезий при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид галлия - 15-50Диоксид титана - 5-30Оксид цезия - Остальное

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Номер патента: 701431

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатора, электролюминесцентного

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора, включающий выращивание p-n-структуры, разрезание ее на полосы, укладку полос с заполнением промежутков диэлектриком и разрезание полученного монолита на пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения КПД и рассеиваемой мощности, при укладке полосы соединяют с металлической фольгой, после чего фольгу гофрируют в состоянии с конструкцией индикатора.

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 1218883

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Семенов, Шелопут

МПК: H01S 3/10

Метки: акустооптических, лазеров, материал, мод, светозвукопровода, синхронизаторов

Применение стекла 43SiO2 25BaO 4PbO 10B2O3 7ZnO 9CaO 2Al2O3 в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

Номер патента: 906304

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: внедрения, ионного, кристаллические, подложки

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 1336766

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Авдиенко, Дауркин, Зубринов, Семенов, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптических, внутрирезонаторных, излучением, лазеров, материал, светозвукопроводов, устройств

Применение стекла Ge11Sb11SniSe65 в качестве материала для светозвукопроводов внутрирезонаторных акустооптических устройств управления излучения SO2 - лазеров.

Номер патента: 1220512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/268

Метки: индиевых, столбов

Способ обработки индиевых столбов, включающий оплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности контактов, столб подвергают многократному расплавлению импульсным лазерным излучением и последующей рекристаллизации, при этом плотность мощности излучения распределена радиально симметрично и имеет кольцевую структуру, причем K1<d<r<sub>o, где d - половина диагонали индиевого столба, rо - внешний радиус лазерного пучка превышает d на 10-20%, r4 - внутренний радиус лазерного пучка, который составляет 30-70% от d, а частота следования импульсов составляет 20-25 Гц.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 1402212

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дауркин, Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01S 3/117

Метки: акустооптический, лазеров, мод, синхронизатор

Акустооптический синхронизатор мод лазеров, включающий светозвукопровод и закрепленные на нем пьезопреобразователь и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабилльности параметров генерируемых импульсов, светозвукопровод в направлении распространения звука выполнен длинойгде V - скорость звука в материале светозвукопровода;Qo - акустическая добротность светозвукопровода;f - рабочая частота синхронизатора;P - допустимое отклонение дифракционной эффективности синхронизатора в процентах.

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 1734467

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Винников

МПК: G01P 15/08

Метки: акселерометр

1. Акселерометр, включающий преобразователь, выполненный на основе чувствительного элемента с подвижным электродом - инерционной массой и электретом, расположенным между подвижным и неподвижным электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и улучшения помехозащищенности за счет снижения поперечной чувствительности, преобразователь выполнен в виде пакета расположенных друг под другом чувствительных элементов, при этом электроды разделены прокладками и выполнены в виде пластин, состоящих из скрепленных между собой слоев электропроводного и электретного материалов.2. Акселерометр по п.1, отличающийся тем, что инерционная масса и упругие элементы в подвижном...

Номер патента: 1163597

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Семенов, Терещенко, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/102

Метки: звукопроводов, стекло

Стекло для звукопроводов, включающее SiO2, PbO, K2O, отличающееся тем, что, с целью снижения акустических потерь в диапазоне частот до 200 МГц и получения линейной зависимости этих потерь от частоты, оно дополнительно содержит BaO и CdO при следующем соотношении компонентов, мас.%:SiO2 - 35-50PbO - 15-45K2O - 3,5-4,5BaO - 10-25CdO - 5,5-6,5

Номер патента: 1342348

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Долгополов, Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/22

Метки: пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, соединения

Способ соединения пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов, включающий напыление металлических соединительных слоев на соединяемые поверхности, приведение их в соприкосновение и выдержку под давлением в вакууме, отличающийся тем, что, с целью расширения номенклатуры материалов соединительных слоев за счет легко окисляющихся металлов и сплавов, напыление соединительных слоев и приведение в соприкосновение соединяемых поверхностей проводят в потоке металлического пара, направленного параллельно соединяемым поверхностям, причем сечение потока превышает первоначальный зазор между соединяемыми поверхностями.

Номер патента: 1344157

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Болдырев, Ильинов

МПК: H01L 31/0203

Метки: фотоприемное

Фотоприемное устройство, содержащее внешний корпус с защитным окном-фильтром, внутренний корпус с термокомпенсатором, на котором закреплены фотоприемники первого спектрального диапазона, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него дополнительно введены фотоприемники второго спектрального диапазона, расположенные перед фильтром, а приемники первого спектрального диапазона, закрепленные на термокомпенсаторе, установлены на внешнем корпусе.

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 915668

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: варианты, его, структур, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа AIIIBV жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношениюV=Vт/K(T0+5+30),где V - скорость изменения соотношения концентрацией...

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Дроздов, Носков, Сухих, Цейтлин

МПК: H01L 21/26

Метки: двуокиси, диэлектрических, кремния, низкотемпературных, пленок

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 1526514

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: кремнии, примесей, профиля, распределения

Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, пленок, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 711947

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Корчков, Михайловский, Черепов

МПК: H01L 21/24

Метки: диодов, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 105-107 В/см и плотности тока 106-107 А/см2.

Номер патента: 1112913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: G03F 7/26

Метки: подложке, стеклянной, фотошаблона

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.