Архив за 1993 год

Номер патента: 2001948

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Цельнер

МПК: C12M 1/04

Метки: активных, биологически, веществ, обезвоживания

...19 позволяет обеспечить постоянство влажности игхс . чого вещества, подаваемого на формование,Технолс.;" сне параметры корректируются таким о, . том, чтобы на поверхности жгутов т;бразовывалась пленка минимальной толщины, исключающая их слипание и комкообраэование, При этом за счет воздействия кипящего слоя и особенностей физк,вских свойств материала происходит дробление гранул на гранулы заданной длинь,Предварительн., подсушенный материал с учетом с, данных в секционно-сушильной камере тицродинамических режимов и влажности:а цой из гранул вещества иэ секции. т еретеквет в секцию 4, а вдальнейшем - в "екав о 5 Пгидс;тижении заданной вел чины ,:;ос идее.ого слоя вентилями 5 и "с. .;"тжэют расход сжатого воздуха в невмоклй, лфикдтордх 13...

Номер патента: 2001949

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Кернс, Куде, Морозов, Синицын, Черноглазов

МПК: C12N 1/14, C12N 9/42

Метки: reesei, trichoderma, гриба, продуцент, ферментов, целлюлолитических, штамм

...видимым светом, и на 3 сут колония приобретает зеленоватую окраску. Образование воздушного(объемного) мицелия не наблюдается.СМ-агар. Через 5 - б сут роста при 30 С диаметр колоний около 40 мм, колонии достаточно плотные, компактные, концентрические. с неровными краями, наблюдается выделение в среду желтого пигмента. Прорастание на всю поверхность чашки Петри не происходит, Картофельно-декстрозный агар. На 5-6 сут роста диаметр колонии 70 - 80 мм, Колонии более рыхлые, конценгрические, неровность краев менее выражена. Наблюдается слабое выделение желтого пигмента в среду. Через 10 - 12 сут. роста колония занимает всю поверхность чашки Петри. Минимальная среда с 2 глюкозы или 2 6 фруктозы, или 20 глицерина. Слой мицелия существенно...

Номер патента: 2001950

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Злотников, Павулсоне

МПК: A01N 63/00, C12N 1/20

Метки: aureofaciens, pseudomonas, бактерий, растений, роста, стимулятора, штамм

...(10), рифампицина (10).Штамм бактерий Рзецбопопаз ацгео 1 асепз ВКМ ВД хранят в 25,ф-ном 45 50 55 глицерине при (-20)+70) С в лиофильно-высушенном состоянии с сахароэо-желатиновым агаромШтамм Рзецбогпопаз ацгео 1 асепз ВКМ ВД непатогенен.Испытание штамма Рзецбощопаз ацгеоГасепз ВКМ ВД на способность повышать урожай растений было проверено при использовании его в составе биопрепарата БПМ-Агат, представляющего из себя свежую культуру данного штамма бактерий.П р и м е р 1. Получение биопрепарата БП М-Агат,Штамм Рзецботпопаз ацгео 1 асепз ВКМ ВД выращивают в жидкой среде Альбит, состав которой приведен выше. Штамм бактерий культивируют в течение 24-30 ч при 28-30 С с аэрацией до титра 2-4 х 10 кйlмл,Биопрепаратом БПМ-Агатобрабатывают...

Номер патента: 2001951

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Виноходов

МПК: C12N 5/00

Метки: colpoda, steinii, диагностикума, инфузории, приготовления, токсикологического, штамм

...особенностей, обладающий способностью к цистообразованию и в результате этого пригодный для создания диагностического токсикологического препарата со стабильной чувствительностью к токсинам, длительный период времени сохраняющий беэ изменения свои свойства и не требующий при этом затрат материалов, труда и времени.Это достигается получением штамма инфузории Сороба ае 1 и СигмаВ путем отбора и исследования морфологических и физиологических свойств на соответствие требованиям, предъявляемым к токсикологическому диагностикуму (Рег, М штамма П й 1).Штамм инфузории С.злеп 11 СигмаВ имеет следующие морфологические и физиологические характеристики.Величина клеток 48-часовой культуры, выращенной на минеральном растворе Лозина-Лозинского с...

Номер патента: 2001952

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреева, Гордиенко, Лебедев, Майстренко, Пустошилова, Репин

МПК: C12N 1/20, C12N 9/14

Метки: leguminosarum-продуцент, rhizobium, бактерий, рестриктазы, штамм

...Мц ц В 1 е 69 1, дорожки: А - совместный гидролиз Мц + йе 69 1, Б - гидролиз Й 1 е 69 1, В - гидролиз М 1 ц 1; на фиг, 3 - построение рестрикционной карты ДНК фага А с использованием ферментов Н 1 пб 111, М 1 ц 1 ц Й 1 е 69 1; на фиг, 4 - электрофореграммэ гидролизэДНК плаэмиды рВВ 322 рестриктазами Вва 1, В(е 69 1 о Нпб, дорожки: А - обработка Вза 1, Б - обработка Ве 69 1, В - совместный гидролиз Ве 69 1 о Нпб , цифрами указано количество пар нуклеотидов в ферментах ДНК,П р и м е р 1. Культивирование штамма и получение биомассы.Культуру В.едогппозагогп выращивают на питательном бульоне следующего состава, г/л: пептон 10; дрожжевой экстракт 5; хлористый натрий 5; глюкоза 10 ( -бульон),Для получения инокулята суточную культуру...

Номер патента: 2001953

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Барабанщикова, Башкович, Быховский, Микалаускас, Пучков

МПК: C12P 19/42

Метки: витамина, препарата

...ч вносится предшественник 5,6-диметилбензимидазол и продолжают культивированиееще 48 ч. В период с 36 до 72 ч через каждые9 ч подается глюкоза в количестве 9 г наколбу в виде 25(-ного раствора по следующей программе,к объему среды;1 подача 0,242 подача 0,363 подача 0,484 подача 0,605 подача0,72В результате получают 5160 мл культуральной жидкости с концентрацией витаминаВ 12 (в коферментной форме) 23,8 мкг/мл.Съем витамина Вг 123 мг. Содержаниесухих веществ в культуральной жидкости5,66 (289 г),Полученную культуральную жидкостьсушили на распылительной сушилке типа"Ангидро" при следующих параметрах сушки;температура теплоносителя на входе 150 С,температура теплоносителя нэ выходе 80"С,расход раствора насушку 4,2 л/ч,Получили 272 г порошка...

Номер патента: 2001954

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Карапутадзе, Полищук, Сандул, Сорокин

МПК: C13K 1/08, C13K 3/00

Метки: патоки

...а при температуре выше точки кипения реагента происходит его испарение, и процесс вчистки нельзя осуществить. Через 10- 90 мин после отключения мешалки происходит разделение смеси нэ три слоя в следующих соотношениях; 80-85 ф - нижний, прозрачный сироп; 10-15 - средний, содержащий белок; 5-107 ь - верхний органический, содержащий жир. Все три слоя разделены четкой границей и легко отделяются сливанием через патрубок в нижней части аппарата. Степень выделения целевых продуктов составляет 97,5-99.Использование в предложенном способе углеводородов в количестве реагента 52001954 1410 - 692 5 Г 2 о/ 1410 Данььые по эффекту очистки с использованием кидких углеводородов приведены втаблице,Прадлаженььый способ позволяет исклю гать, из...

Номер патента: 2001955

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Алешин, Альперин, Козлов, Куличенко, Сухарев, Филонов

МПК: C21B 3/08

Метки: расплава, шлакового

...шлакового расплава, включающем обогащение его добавками путем грануляции в шламовой пульпе, шлаковый расплав вначале сливают на наклонный желоб. на который подают под струю шлака известняк в количестве 50-100 кг/т шлака,причем количество и плотность аламовой пульпы поддерживают в пределах 3000 - 5000 кг/т шлака и 1,2-1,3 г/см соответственно.3Предлагаемый способ переработки 5 шлаков реализуют следующим образом.Жидкий шлак сливают равномерно внакопленные желоба. на которые подают мелкий известняк в количестве 10 кг/т шлака. Под воздействием температуры 10 шлакового расплава известняк обогащаютс выделением двуокиси углерода (С 02), который способствует газонасыщенности шлака и создает благоприятные условия для его последующего...

Номер патента: 2001956

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Баранов, Клюйков, Руденко

МПК: C21B 7/06

Метки: агрегатов, металлургических, футеровки

...бетонирования.Известно стройсте. для осуществления указанног. .ие:пособа (см. там же). принятое за г.р.отип, включающее огнеу орный набий слой с оасположенной в не; арматурой г:рикрепленной к защищаемой пг.еркинОднако в . з; ны способе и устройстве длч его осущес 1 аления под воздейсгвием теплолых н;груо, из-за различий в тепловом расе:иръ, 1 ежду слоем футеровки и ьзгцищ е;ой г, еерхностью возникает напряженно-деформ 1.ованчое состояние, вызывающее растрзскива ие и отслаивание футеровки. ЭфФективность защиты снижастся, долговеч .ость агрегата сокращается.Целью изобретения является повышение стойкости футеровки.Указанная цель достигается тем, что: - в спо. г:, 1 овки защищаемой поверхности мета лургических агрегатов, включающемодготовку...

Номер патента: 2001957

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бянкин, Пухов, Сигмунд, Соломенцев, Соломенцева, Сухов, Чернобривец

МПК: C21B 9/02

Метки: воздухонагреватель

...в средней части воздухонагревателя и соединенная внизу с соплом 6 горелки, а вверху с насадкой 1 через подкупольное пространство 3, служит для сжигания в ней газа,Подкупольное пространство 3 расположено в верхней части воэдухонагревателя и соединено с центральной камерой 2 горения насадкой 1 и штуцером 7 горячего дутья. Оно служит для подвода продуктов горения к насадке 1 в период ее нагрева и для отвода из нее горячего дутья через штуцер 7 в период нагрева дутья. Форма и обьем подкупольного пространства влияют на распределение продуктов горения по сечению насадки. Поднасадочная решетка 4 расположена под насадкой и примыкает к насадке 1 и поднасадочному пространству 5. Она служит для передачи нагрузки от насадки 1 через опорные...

Номер патента: 2001958

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Нагуманов

МПК: E21B 33/12

Метки: нагуманова, пакер

...деталей относительно друг друга.Известна также разрезная шайба (шайба Гровера), которая устанавливается между гайкой и стягиваемой деталью и обеспечивает постоянную силу трения в резьбе и на торце гайки. В данном примере разрезная шайба предотвращает развинчивание гайки относительно стягиваемой детали.Однако, как в первом, так и во втором примерах упругое разрезное кольцо или разрезная шайба используются для предотвращения сопрягаемых деталей от осевого или кругового перемещения относительно друг друга и выполняют только функцию фиксатора. Это позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого решения критерию "Существенные отличия".На фиг, 1 показан пакер при спуске в скважину; на фиг, 2 - то же, в рабочем гюложении; на фиг, 3 -...

Номер патента: 2001959

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Лупэйко

МПК: C21C 1/00, C21C 5/56

Метки: выплавки, стали

...в рекуператоре кислородом, поступающим в газокислорЬдныефурмы,Гаэоперекачивающий тракт может состоять или иэ автономных ветвей. каждая иэ которых питает газовой смесью только одну фурму или же иметь один общий начальный участок с одним инжектором и одним рекуператором, эа которым следуют ветви к каждой фурме.Возможен вариант, когда отверстие для заливки шлака в кольцевую плавильную камеру в зоне регенерации совмещается с отверстием для загрузки лома путем соответствующего увеличения размера первого. Другой вариант, когда эти отверстия выполнены раздельно.Кроме того, с целью удобства удаления отвальной части конечного шлака, особенно при работе в режиме непрерывной выплавки стали, устройство-прототип снабжают шлаковыпускным...

Номер патента: 2001960

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Грязев, Зеленко, Михеев, Ростовцев

МПК: C21C 7/00

Метки: ввода, добавками, капсул, металлический, расплав

...обтюрация контейнера при производстве выстрела осуществляется по его торцам, Подача газа в контейнер осуществляется клапанным ус ройством, размещенным на блоке стволов.Сравнение заявляелого технического решения с прототипом позволило установить соответствие критерию Новизна", При изучении других известных технических решений в данной области техники признаки. отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не были выявлеы и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию "Изобретательский уровен,",Нэ фиг.1 и 2 представлена предлагаемая конструкция устройства для ввода добавок в металлический ра:плэв,Устройство для ввода добавок состоит из стволов 1, объединенньх в блок 2 звездочкой блока с клапанной...

Номер патента: 2001961

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Воробьев, Коган, Козлов, Романцев

МПК: C21D 5/00, C21D 8/00

Метки: высокопрочного, заготовок, производства, чугуна

...для получения в чугуне мелких включений графита шаровидной формы.При степени деформации заготовок за один проход большей 20 в заготовках образуются микротрещины, что снижает механические свойства чугуна, а степень деформации меньше 12,5 не обеспечивает измельчения графитных включений и получения в чугуне максимально возможного количества перлита,При максимальной степени деформации заготовок после всего цикла прокатки меньше 40 включения графита иэмельчаются недостаточно, не велика доля перлита в структуре, а при степени деформации больше 50 графит в чугуне становится пластинчатым с острыми кромками, что приводит к снижению механических свойств чугуна.П р и м е р 1, Выплавляют в индукционной печи чугун и при температуре 1753 К...

Номер патента: 2001962

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Архипец, Емельянов, Кочетов, Терновцев

МПК: C02F 1/62, C22B 23/00

Метки: вод, никеля, осадков, солей, сточных, утилизации

...близким по технической сущности и достигаемому результату является способ регенерации металлов, в том числе никеля из осадков сточных вод, содержащих гидроксиды, карбонаты и бикарбонаты. Способ заключается в промывке осадка водой и растворением его в минеральной, например. серной кислоте. Полученный раствор используют для корректировки технологических растворов, применяемых в процессах химической и электрохимической обработки металлов.Недостатком способа является невозможность извлечения никеля в виде товарного продукта,Целью изобретения является разработка способа утилизации солей никеля из сточных вод и их осадков с получением товарного продукта в виде соли никеля.Поставленная задача решается описываемым способом утилизации солей...

Номер патента: 2001963

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Ратников

МПК: C22C 1/03, C22C 11/00

Метки: баббита, лигатура

...меди в лигатуре 15 , что состаоляет 0,15 в. ч,Необходимо получить баббит с содержанием меди 1,5%, что составляет 1,5 в. ч.Для этого нужно ввести 0,3 в, ч, меди в 100 в. ч. вторичного баббита, На 100 в. ч, вторичного баббита нужно ввести 2,2 в. ч. лигатуры.Таким образол 1, на 10 в, ч. вторичного баббита приходится 0,22 - 4 в, ч. лигатуры,Плавка производится при 450-480 С, т. к, она яоляется температурой плавления вторичного баббита и лигатуры,Получение лигатуры на основе свинца с повышенным содержанием меди и низкой температуры плавления (450 - 480 С) затруднено иэ-за большой разницы температур плавления меди (1083 С) и свинца (327 С), а также разницы их удельных весов. Эти факторы способсгоуют ликоации, что ведет к...

Номер патента: 2001964

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Амерханов, Вихров, Вишнякова, Касьян, Кириллов, Комляков, Коробейник, Павлов, Соляников

МПК: C22C 37/08

Метки: валков, прокатных, чугун

...ц)1; ррует ся, главным образом, в эвтектике, Г)оле; 55 всего в цементи)е адендриты аустениа им обеднены, то ув чение его ло)цетрац 1 в расплаве в пеГ эд выделения предэвтск.тического аустен а способствует луч)дему насыщению денд: тов арганце 1. ч ГО улуч. шает равномерность его распределения вструктуре чугуна и повышает его эффективность как легирующего элемента. Благодаряэтому появилась возможность снизить содержание марганца в составе чугуна присохранении твердости и доли вязкого остаточного аустенита в его структуре.Однако, снижение в чугуне суммарногосодержания карбидообразующих элементов С, )У и Мп приводит к некоторому уменьшению твердости за счет снижения в егоструктуре доли цементита. Для предотвращения этого в составе чугуна...

Номер патента: 2001965

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Гречин, Солнцев

МПК: C22C 38/54

Метки: литая, сталь, хладостойкая

...элементов (иодоГзре 11 еном исключении из состава стали молибдена и ванадия) также способствугт ре.ению поставле ой задачи,беспечивая повышение долговечности и20 эксплуатационной надежности литых деталей иэ предла аемого материала, в частности, при работе в условиях циклическихнагрузок и низких температур.Гаким образом, введение в сталь титана25 и бора при заявляемом соотношении компонентов и одовреленных ограничениях посоотношению концентраций титаа, алюминия и бора позволяет повысить нэдежностьи долгове гость изготавливаемых иэ нее де 30 галей эа счет более высокого уровня сопротивления хрупкому разрушению ихладостойкости, что связано с образояаием мелкодисперсных карбонигридов титана, измельчением зерна при35 одновременном...

Номер патента: 2001966

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Алексеев, Ашурлы, Нарусбек, Ямпольский

МПК: C23C 8/10

Метки: детали, защитное, образующего, оксидное, поверхности, покрытие, упрочнения

...ее коррозии, и последующего выхода иэ строя под действием неблагоприятных климати2001966 повысить механическую прочность и антикоррозионные свойства упрочненного слоя не менее чем в 2 раза при сохранении оптических свойств.Результаты испытаний предложенного способа упрочнения поверхности представлены в таблице.Все оптические элементы из одного материала имели одинаковый высокий первоначальный коэффициент отражения на длине волны 0,63 мкм, прочность оптической поверхности оценивали с помощью 5 10 прибора СМпо количеству циклических перемещений наконечника по оптической поверхности, при котором происходит визуально наблюдаемое нарушение оптической поверхности (появление царапин-следов от наконечника), Коэффициент отражения на длине...

Номер патента: 2001967

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Матафонов, Мушка, Седов

МПК: C23C 8/70

Метки: поверхностного, стальных, упрочнения

...заявляемому изобретению имеет место иной механизм формирования упрочняющего покрытия на изделиях, На изделия предварительно наносят элементосодержащую обмазку, а в устройстве, реализующем способ, отсутствует основной конструктивный элемент детонационной установки - ствол, формирующий направленный поток газовой смеси, Газовая смесь взрывается в закрытой камере, где помещаются упрочняемые иэделияСкачок давления, температуры, ударная волна, как продукты взрыва газовой смеси, играют роль катализатора для горячего прессования слоя обмазки и проникновения элементов в поверхностный слой изделия,На чертеже изображено предлагаемое изобретение,устройство включает в себя изолированную камеру 1, в которую на технологических подставках 2...

Номер патента: 2001968

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Радзевич, Румянцев, Шкиров

МПК: C23C 14/00, C23C 14/34

Метки: вакууме, декоративных, нанесения, покрытий

...используемых материалов и упрощение технологического процесса.Цель достигается выбором материала грунтовочного слоя, препятствующего газо- выделению из материала изделия, который в то же время должен обладать хорошей адгеэией, не содержать растворителей, взаимодействующих с материалом изделия и нарушающих структуру и рельеф его поверхности, скрыть все дефекты поверхности, возникающие при изготовлении и обработке иэделий, и обеспечить необходимое качество поверхности для последующей металлизации, В качестве грунтовочного слоя использован лак на основе смеси пентафталевых и нитроцеллюлозных составляющих с отвердителем при конкретном содержании исходных компонентов, Коэффициент термического расширения данного лака должен соответствовать...

Номер патента: 2001969

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Воронов

МПК: C23C 14/02, C23C 14/14

Метки: вакууме, защитного, нанесения, покрытия

...соответствующие плр нлотры промежуточного слоя, с одной стороы, и минимальности толщины промежуто ного слоя, с другой стороны,Тонкая пленка, выращиоаемая на поверхности твердых тел, имеет сильно деформированную кристаллическую решетку, причем этот эффект наблодао)ся на толщинах 10 - 20 периодов решетки, т.е, "5 нм При дальнейшем росте пленки ее структура совпадает с кристаллической структурой макрообраэца из вещества этой пленки. Соотоетстоующие пределы лежат о диагаэоне 5 - 20 нм. Состав реагируощего газа ипи газовой смеси подбирается индивидуально для каждого защищаемого материала и определяется на Основе информацио тип ах симметрии и паралетрах кристаллических решеток химических соединений, образующихся при вэаилодейсгоии защищаемого...

Номер патента: 2001970

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/32

Метки: испарения, металлов, электродугового

...2 " пОР/Дкодьи н 01 ВР 31 Р/эе)/Е 131 лэ,цсд которым 3 аход;ТГ л катодное пятно дллэв и" " 11 1 вЕаг э/созтг Е) сСО; 1 3сИ/ .3 Э лсц: О,333,1/С:НвборвД 31,ЕЕ)Тс 31 КОВ В СН) И ВТОРОЙ //1113 СН 1 И,г . 3.е/111 ина ед,ясгс,О 3 е/о 3 Г)гсцлВ 3 Е 1 с.)КЕ;ток в втвлх цсццки,ИЭ /Ырзже 111(11 И Е,1 С Дс/Г.,ц 1 Оувр/ г+ 1/21;31- Оу 3)" / ГИ 2/2 е 1;1)Гдес; Осар 11 Оувр 2 - уГ 1 раВляО 31,с а;)/же 55 нил сточника угравллющсго 1 э;р:,).с:,цо Первой и норой диен озлам кат,: ) в соо- НЕ С.ТНСНО.Иэ ныраженил ") следует, ч)о 1 в О ,е 131 е катодного тя 13 а на катод; Одноэна н ООцрсделлетсл величинами уре)в 3,;ю 131 ллпрлжеций, задаваемых с помощью источников управляющих напряжений по первой и второй диагонали катода,Поскольку резисторы находятся вне...

Номер патента: 2001971

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/32

Метки: испарения, металлов, электродугового

...протяженные изделия 3 установленные между катодом 1 и внутренними стенками вакуумной камеры 2. Катод имеет на концах токоподводы 4 и 5. В цепи токоподводов 4 и 5 установлены ключи 6 и 7 со средствами 8 и 9 их управления соответственно. Электропитание устройства осуществляется от источника 10 питания. К токоподоодам 4 и 5 к катоду 1 подключен вход преобразователя 11 напряжения, состоящего из операционного усилителя 12, резистора 13 нагрузки и источника 14 напряжения, Выход последнего соединен с2001971 40 45 что, с целью повышения удобства в эксплуатации при получении на изделиях покрытий задаой толщины, блок управления положением катодного пятна вьполнен в виде узла сравнения и соединенных с соответствующими его входами преобразооэ-, и...

Номер патента: 2001972

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/32

Метки: испарения, методом, нанесения, покрытий, упрочняющих, электродугового

...и изделием 4.Установка, изображенная на фиг,1 работает следующим образом.Камера 1 откачивается системой высоковакуумной откачки и в нее производится напуск рабочего газа (например, аргона) до давления 8 10 Па, При включении источников 5 и 7 питания между катодом 2 и электродом б возбуждается двухступенчатый ва куумно-дуговой разряд. Двухступенчатый вакуумно-дуговой разряд характеризуется наличием двух различных в физическом отношении областей; области 11, заполненной металлогазовой плазмой, и области 12 заполненной чисто газовой плазмой. Эти области заполняют щелевой зазор между изделием 4 и электродами 8, Область металлогазовой плазмы ограничена пределами прямой видимости со стороны расположения электрода б поверхности напряжения...

Номер патента: 2001973

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, металлических, нанесения, покрытий, электродугового

...чем на Газадах ВышеГ,сротВсн;я й прцвалаки, образуот пле, ьлср ГегьО О масп, Сьем н,.ц 1 язкгтн яцро ззгДтся с катодов Диадан 9, пводы.та;ьх являются дагаальа измсритель: а моста. Напряжен,е;а даг али масГЭ1: -2 гх - Л). (1)Где" так в ве Гвизысит ельОГО масгэ;Гх - СОГЭОТИСЛСНС 1.;ЕДУ КОЦ 01 ПЗОВаО и и входал пг 1 азмс 1 О 0 Гатауа в праВГЛ КУ.Из выражения (1) следует, чта положен. катоднаго пятна, определяемое сопротивлецислл г, полностью характеризуетсяцап Гяжнием на диагонали моста, Паскаль,у дэдь 9 вуца сны н, встречу дгу друга,т а цаде 1 с напрй.кс 1 на них с абз1 ыГзцахсл, а поэтому нацрякеэдиегоа.ли н заг 1 ст от этого цаден:я 1 з .:Г 1 я,Диод 9 1 сабхо 111 мь д;1 и та 0, 1 эГ,э .элгь друг от друга цгопалакц 8 1 сдллэг,эОцени...

Номер патента: 2001974

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Козма, Панасенков, Плешивцев, Сидоров, Соболь

МПК: C23C 14/48

Метки: инструмента, режущего

...системы. 13 - катоды газораэрядной камеры.В вакуумной камере объемом 1 м при помощи диффузионных насосов получают вакуум 5 10 Па. На электроды ионна-оптической системы 12 подается напряжение, к примеру+30 кВ на катоды 13 и минус 2 кВ на ускоряющий электрод. Этот электрод ускоряет ионы и тормозит электроны, образующиеся в пучковой плазме, создаваемой ионами пучка в остаточном газе.В разрядную камеру с помощью импульсного газового электромагнитного клапана подается порция азота. На катоды подается электрический ток до 1000 А, Он нагревает катоды до температуры 3150 К, чтобы получить плотность тока эмиссии электронов до 30 А/см . Затем между катодами и анодами подают электрическое напряжение 60 В и зажигают дуговой разряд с высокой...

Номер патента: 2001975

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Аверкиев, Кульков, Левчук, Сахарова, Сухотник, Шевченко

МПК: C23C 16/18

Метки: аустенитных, долговечности, повышения, сталей

...подготовкой поверхности, имплантации ионовазота в покрытый элементами У или У группы поверхностный слой стали.В предлагаемом способе для этой целивпервые применяется нанесение слоя изхромового металлоорганического соединения толщиной 5 - 10 мкм, что значительноупрощает технологию, удешевляет и удлиняет срок службы (долговечность увеличивается в 10-15 раз) деталей, работающих привысоких температурах (Т0,5 Тпл). Крометого, предлагаемый способ позволяет заменить дорогостоящие жаропрочные сплавыаустенитными сталями, упрочненными путем нанесения тонкого поверхностного покрытия из хромового металлоорганическогосоединения.Таким образом, отличительные признаки предлагаемого способа: нанесение хромового покрытия иэ МОС на...

Номер патента: 2001976

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Грекова, Коваленко, Семова, Фоменко

МПК: C23C 18/40

Метки: меднения, раствор, химического

...в процессе эксплуатации и хранения, т.е. исключение выпадания частиц металлической меди в обьеме раствора.Известные растворы для химического меднения обычно содержат соль меди, комплексообразующий агент - калий-натрий винновилый, трилон Б, гидроксиалкилзамещенные этилендиамина и др. щелочь, восстановители - обычно формальдегид, параформал ьдегид,Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является водный раствор для химического меднения, содержащий соль меди, М,М,И,М-тетракис-(2-гидроксилпропимл)- этилендиамин. гидроксид натрия, формальдегид и стабилизирующие добавки;2-меркаптобензотиазол, сульфид, серебра или натрия,Недостатком этого раствора для химического медненения является использование...

Номер патента: 2001977

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Варзиев, Кубасов, Попова, Ходов

МПК: C25C 1/16

Метки: цинка

...получении цинка.Известен способ получения цинка электроосаждением из раствора хлорида цинка.Основными недостатками этого способа являются; необходимость применения диафрагм для разделения анодного и катод- ного пространства; выделение газообразного хлора, который необходимо испольэовать; применение закрытых анодных камер, а следовательно, меньшая доступность отдельных частей ванны. Известен способ, взятый в качестве прото-. типа, получения цинка электроосаждением из сернокислого раствора сульфата цинка, содержащего 100 - 180 кг/м цинка, организческие добавки и примеси, В качестве органических добавок в электролит, поступающий о ванны электролиза, осуществляется дозирооанная подача клея и раствора экстракта солодкового...