Архив за 1993 год

Номер патента: 1050258

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Гололобова, Гринев, Зотова, Столярчук, Сторожук, Таратута

МПК: A61K 31/343, A61P 25/08, A61P 29/02 ...

Метки: 3-карбэтокси-4, анальгезирующим, арилоксиметильные, действием, диметиламинометил-5-оксибензофурана, обладающие, производные, противоаритмическим, противокаталептическим, противосудорожным, противофибрилляторным

.... максимального электрошока и с оро ни т 3 ч. Растворитель и избыток амийа 35 агентоа: коразола (60 мг/кг),. ареколина (1.6отгоняют в вакуумеОстаток перекристалмг/кг) и никотина (10 мг/кг), - которые вволизовывают из. зтвнола. .. дили внутрибраеинно спустя .10 мин послеПолучают 3,1 г(69 2-феноксиьтетил- введения изучаемых соединений.карбзтокси-диметиламинометил-б-:оксиб .: .Противоаритмическую активность выензофурана,.т,пл, 73-.74 С.46.являлина. модели акотиновой аритмииаидено, : й 3,72, опытах на крысах(55) в сравнении с новокаС 21 Н 2 эй 05, :.Инамидом.Вычислейо, : й 3,79, Влияние на объемную скорость мозгоРаствор основайия в 40 мл эфира ней- ваго кровотока определяли в острых опр зуют эфирным раствором хористого: 45. йа. кошках....

Номер патента: 1394834

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Зайденварг, Рюмшин

МПК: F15B 19/00

Метки: агрегатов, гидравлических, испытаний

...всем диапазоне изменения тока управления с минимальной дискретностью, При этом с блока 24 управления аппроксимацией на блок 16 промежуточйой памяти подается команда "Чтение"6 7 8 7 8 9 данных). Сигналы на блоки 12; 17 поступают синхронно, что обеспечивает требуемую последовательность решения задачи аппроксимации (фиг.3).По окончании режима аппроксимации производится собственно коррекция свойств агрегата (фиг.4). При этом с блока 23 управления коррекцией подается команда "Чтение" на второй блок 17 промежуточной памяти и программно-логическую матрицу 11, содержащую эталонную скоростную характеристику агрегата; на элемент 15 (пере) программируемой памяти синхронно с этим поступает на записывающий вход команда "Запись". В процессе коррекции...

Номер патента: 1101064

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Накрап, Шиндяпина

МПК: H01J 23/24, H01P 11/00

Метки: замедляющей, резонаторов, сборки, свч-приборов, связанных, системы, типа, цепочки

...и потери начинают играть существенную роль,Цель изобретения - повышение прочента выхода годных систем,Указанная цель достигается тем, что в ЗО известном способе сборки замедляющихсистем типа цепочки связанных резонаторов СВЧ-приборов, включающем отбраковку резонаторов по геометрическим размерам и собственным резонансным часЗ 5 тотам, измерение резонансных частот парысвязанных резонаторов; сборку пар резонаторов е систему и соединение ее с входным и выходным устройством, после измерения резонансных частот пары, связанных резо 40 наторов одну из пар устанавливают между входным и выходным устройствами и проводят их согласование, после. чего поочередно устанавливают между согласованными входным и выходным устройствами оставшиеся...

Номер патента: 1396491

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Жуков

МПК: B66C 1/68

Метки: балансирная, траверса

...гидроцилиндры со штоками, шарнирно соединенными с гроуц иной, сообщенной с полостями .гидРацилиндра, па крайней мере один гидро- распределитель с . золотникам и управляющий элемент, связанный с золотником, отличающаяся тем, что, с целью пооышения надежности оаботы, золотник вертикально установлен иа конце балки и-,подъем. При несимметричном расположении центра тяжести груза происходит перекос балки 1, например левая сторона балки 1 поднимается вверх, а правая останется на месте, Под действием веса груза происходит разворот рычага 8 вокруг оси 12, при этом свободный конец рычага 8, взаимодействуя со штоком 1.4, поднимает его вверх. При этом правый шток 14 перекрывает сообщение полостей правого гидроцилиндра между собой, Левый шток...

Номер патента: 1396716

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Карташев, Миодушевский, Фурман

МПК: G01B 7/16

Метки: тензометрическое

...двухполярное.импульсное напряжение для питания тензомоста 3. Сигнал с выхода тензомоста 3, представляющий собой аддитив 20 ную смесь двухполярного импульсногонапряжения несущей частоты и наведенной,на входных цепях импульсной помехи, усиливается измерительным усилителем 4 и подается на сигнальные входы блока 9 компараторов и управляемого усилителя 5 В течение времени нарастания фронтов.импульсов какположительнйх, так и отрицательных, ключевой элемент 16 включен,. и30 выходное напряжение управляемого усилителя 5 изменяется с максимальной скоростью нарастания. определяемой тельных, так и отрицательных импульсов на сигналом входе блока 9 кампараторов достигнет опорных уровней, соответственно, положительной и отрицательной полярно 40 стей...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1453764

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Мордухай, Николаев

МПК: B23K 31/02, B23K 37/02

Метки: неповоротных, сборки, сварки, стыков, труб

...26, при этом винт 29 перемещается и перемещает зажим 30, натягивая канат 31. Поскольку ось 38 блока 32 жестко закреплена с помощью штыря 39 в штанге 24, то дальнейшее пере- . мещение винта 29 вызывает перемещение штыря 33, а следовательно, и центрирующих втулок 34-37 и зазор между втулками выбирается. По. мере перемещения втулок 34-37 до упора в торец 40 шарики 44 перемещаются радиально и центрируют трубы 4 и 52. Усилие центрирования ограничивается муфтой проскальзывания 27, которая в случае достижения усилия центрирования разрывает кинематическую цепь от рукоятки 26 к шарикам 44, в результате чего штанга 24 имеет возможность вращаться на опорах1453764 5 10 15 20 25 ность сварочных работ за счет сокращениявремени на...

Номер патента: 1454004

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Зайденварг, Левин, Рюмшин, Черняков

МПК: F15B 19/00

Метки: агрегатов, гидравлических, испытаний

...элемента 26 сравнения вырабатывается сигнал, разрешающий перезапись содержимого третьего регистра 12 в четвертый регистр 13, а содержимого второго регистра 11 - в третий регистр 12. Дополнительно формируется сигнал счета, поступающий через схемы 18 и 21 совпадения на вход счетчика 24. обеспечивая смену кодовых комбинаций матриц 7,16,17. За счет этого обеспечивается изменение знака 23 совпадения соединен с входами сдвига регистров 10 и 11, а выходы элемента 26 сравнения - с, входами сдвига регистров 12 и 13. Агрегат 3 имеет гидродвигатель 29 с 5 выходным звеном 30 и механические упоры(на чертеже не изображены).Устройство для испытаний гидравлических агрегатов работает следующим образом.В процессе контроля счетчик 24 и матрицы 7,16,17...

Номер патента: 701453

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Аникиев, Гурари, Рукман

МПК: H01S 3/10

Метки: излучения, лазерного, расходимости, угловой

...опорный пучок представляет собойплоскую волну с расходимостью меньшей,чем требуемая точность измерения в предрлах апертуры приемника, поле Его(г) постоянно и его можно вынести за знак интеграла. Ь(с)= 2 аЕгоХ Е 1 о(г) соз Кганг.3Полученное выражение представляетсобой двумерное преобразование Фурье,Следовательно, как и в методе фокальногопятна измеряемого угловое распределениеизлучения эквивалентно значению, измеренному в дзльней зоне, В данном случаеизмеряемое поле излучения можно записать как систему плоских. волн, распределенных по углам, и в каждый моментвремени с помощью опорной волны выделяется та составляющая, которая совпадает понаправлению с направлением опорной волны.Таким образом, если угловая скоростьперемещения опорного...

Номер патента: 1334923

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Дунаев

МПК: G01N 21/61

Метки: газоанализатор

...с 1 хрс изирующих импульсов,С помощьо генерэгара 11 создается перел 8 нсе нэпряхеэ бл;-Одэря ка 10 ргмдвигатель 14 осуществляет механическое сканирование П-образного держателя вдоль вырезов зеркального модулятора 2, предназначен ньх для формирования синхронлзлрукщих импульсов, изменяя тем самым разность фаз между промодулированным входным синалом и управляющим напряжением, Это приводит к синхронному с частотой выходного напряжения генератора 11 незначительному изменению уоовня регистрируемого падезнага сигнала нэ вде устройства (амплтуда колабаний уровня регистрируемого полезного сигнала цэ Выходе устройства устанавливается путем изменения амплитуды выходного напряжения генератора 11 и выбирается лз условия пслучеия минимальной...

Номер патента: 1218576

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Агеев, Анисимов, Букаров, Демичев, Ищенко, Корнеев

МПК: B23K 9/167

Метки: вольфрамового, добавками, легирующими, работоспособности, электрода

...добави, Обеднение Сначала идет с пОверхнОсти и н процесСе сварки легируащие добавки иэ внутренних слоев электрОДа 2 поступаот к Его поверхнОсти рабочей зоны 5, Вольфрамовый электрод 2 Обладае достаточной стойкостьО дО 1 ех нор, пока не прОХЗОидетОбеднение всеГО его сечения. Было установлено, чтО при установившемся режиме сварки такое Обеднение наступает пО истечении времени т, равнОГО 8 - 10) О, Где; - время спада интенсивнОсти излучения спектральной линий легнруощай добавки материала электрода с ее максимального значения 1 аиах, до Ьаз:=(0,6-0,8) х 1 имак,Обеднение вольфрама привОдит к его разрушенкло, ПОэтОму процесс сварки прекращают и производят смену электрода, При времени т 110 Ь вероятность попадания вольфрама в металл...

Номер патента: 1573819

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Андреева, Бобкова, Бондарев, Волкова, Гаврюшина, Гуйда, Жигунова, Минаев, Минаева, Наумов, Никитенко, Пронченко, Степанова, Федоров, Чернышев

МПК: A01N 43/00, C07D 249/08

Метки: 2-(1, 4-триазолил)-2-(4-хлорфенокси)-4, действием, диметилпентан-1-ола, обладающие, производные, рострегулирующим, фунгицидным

...42 ного МаОН. Реакционную массу нагревают ф.2,5 ч при 50-55 С. После охлаждения реакционную массу нейтрализуют серной кислотой до нейтральной реакции. Продукт 55экстрагируют бензолом. После отгонки бензола получают 5,2 г 2-(1,2,4-триазолил)-2-(4 х л о рфе н окси)-4. 4-ди метил п ента ндиола,3(далее диод). После промывки осадка диэтиловым эфиром продукт имеет т.пл, 132 -133 С, Выход 80),Найдено, ; С 55,14; Н 6,04; й 12,47; С 10,80,Вычислено, 6: С 55,30: Н 6,18: ч 12,89: С 10,90,Строение полученного соединения подтверждается данными элементного анализа и ИК- и ЯМР-спектроскопии.Испытания новых соединений проводили на мучнистой росе огурцов на сорте ТСХАв стадии 2" настоящих листьев. В качестве эталона взят байлетон.Предлагаемые...

Номер патента: 704328

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Зайцев, Коротков, Панкратов, Ткаченко, Хребтов

МПК: G01J 5/20

Метки: болометр, выделенной, мишенью

...компенсировать высокочастотные составляющие колебаний температуры. Цель изобретения- повышение точности и расширение частотного диапазона стабилизации вольт-ваттной чувствительности болометра.Поставлен ная цел ь достигается темчтоу болометра с выделенной мишенью, содержащего диэлектрическую подложку, на которуа нанесены термочувствительнаяпленка из сверхпроводника, снабженная контактными слоями, и поглощающая пленка, на поглощающую пленку нанесены контактные слои,На чертеже приведена схема болометрас выделенной мишенью, общий вид.Болометр содержит термочувствительную сверхпроводящую пленку 1, которая на, несена на диэлектрическую подложку 2, С другой стороны на подложку нанесена поглощающая пленка 3 из металла. Термочув 3 О...

Номер патента: 1054947

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Верзунова, Ильичев, Ковалева, Лебедева, Пятнова, Таксиди, Ташлыкова

МПК: A01N 31/02

Метки: agrotis, scotia, segetum, аттрактант, озимой, половой, самцов, совки

...путем лег- . кого сжатия стенок трубки. Цис-тетрадеценаль 100 Цис-гексадеценол 100 ( прототип ) Цис-гексадеценол; цис-тетрадеценаль 95:5 Цис-гексадеценол:Каждую резиновую трубку герметично упаковывают в алюминиевую фольгу.Аналогично готовят, наносят и упаковывают смеси другого соотношения, а также индивидуальные вещества,Резиновые трубки с нанесенным аттрактантом освобождают от упаковочной фольги непосредственно перед применением.Резиновые трубки помещали в клеевые ловушки, которые раставляли в поле через каждые 20 м в линию над уровнем растительности и снимали на рассвете для подсчета количества прилетевших самцов озимой совки,Результаты испытаний представлены в таблиЦе.Результаты испытаний показывают, что смеси цис-гексадеценола с...

Номер патента: 1457633

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Баринов, Карташев, Миодушевский, Фурман

МПК: G05B 11/01

Метки: нагружения, регулятор, систем, электрогидравлических

...ввр уменьшается амплитуда выходного сигнала хэ и, соответственно, выходной сигнал делителя 9, Таккак амплитуда выходных сигналов хз и ха Формирователя 2 и апериодического звена 6, начиная с в вр, изменяются обратно пропорционально, то амплитуда выходного сигнала умножителя 4 при частотах ввр не изменяется. Причем апериодическое звено 6 не вносит запаздывания по фазе, так как происходят только умножение синусоидального сигнала на постоянную величину, зависящую от частоты установившегося периодического режима, что приводит только к изменению амплитуды сигнала. Поэтому фазо-частотная характеристика регулятора остается без изменения и по-прежнему вносит положительный сдвиг. Таким образом, происходит "полезная" коррекция только...

Номер патента: 1457707

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Андрушкевич, Сахаджи

МПК: H01J 23/087

Метки: 0-типа, магнитной, периодической, свч-приборов, системы, фокусирующей

...составляющую магнитного поля системы Во(г), поперечное магнитное поле В(г), после чего 5 судят о пригодности собранной системымагнитных полюсных наконечников по выражению10 1 В1 В (1- - ), (1)где а - радиус пролетного канала, м;Ь - предполагаемый радиус пучка, м;1- длина системы полюсных наконечни ков,м,Вэ - величина однородного осесимметричного магнитного поля, Г.181(г)- усредненное по длине значение поперечного магнитного поля, Тл, 20Рэ25 фо= 29 Чо, 9= - ; Вэ = 1, Во,Й - амплитуда магнитного поля МПФС,для которой предназначена данная системаполюсных наконечников, ТА; Чо - ускоряющее напряжение, В;Кгтео /2 у а35Р - первеанс пучка А(В1,т - заряд и масса электрона, Кл, кГ: ео - диэлектрическая постоянная,Кл 40 Критерий (1) является...

Номер патента: 1457738

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Калинин

МПК: H01L 21/60

Метки: бис, выводов, монтажа

...к точке второй сварки по эволь. венте круга радиуса В. Точка второй сваркирасположена на кристалле БИС, В данном20 примере исполнения точка второй сваркирасположена выше уровня траверзы (точкипервой сварки) на высоту кристалла,а уголО выбран равным й/6, Это является примером сложного случая при монтаже выводов25 инструментом с наклонным капиллярнымотверстием. По ОСТ 11.0409,017.5-79 предусмотрен инструмент с углами О: л/6,л/4 и ж/3, при этом монтаж вывода можетвыполняться как от траверзы к кристаллу,З 0 так и от кристалла к траверзе.При подъеме инструмента сила тренияпроволоки в его капиллярном отверстии минимальна, поскольку нормальное давлениеблизко к нулю. Для более толстой проволокиЗ 5 ( 827 мкм) допускается отклонение...

Номер патента: 1457744

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Флегонтов

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, металлокерамический, микросхемы

...с подслоем никеля. Возможны и другие покрытия.Рамка 2 имеет фаску, что ограничивает паяный шов между рамками, Возможно расположение фаски на рамке 3, при агом рамка 2 не имеет фаски.Положительный эффект от использования изобретения достигается благодаря тому, что выступающая кромка нижней рамки, соединенная с металлизацией платы, обеспечивает существенное уменьшение термомеханических напряжений от сварки в наиболее опасном месте - под наружным краем паяного соединения нижней рамки с металлизацией. Термомеханические напряжения уменьшаются благодаря перераспре делению напряжений, передающихся отверхней рамки, на сравнительно большуюплощадь соединения нижней рамки ободкас металлизацией платы, Наличие фаски5 между наружной кромкой...

Номер патента: 1402052

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Карташев, Миодушевский, Фурман

МПК: G01M 7/00, G01N 3/32

Метки: испытаниях, конструкции, нагружения, прочностных

...нагрузки Оэ, сравнивают этот сигнал с сигналом Оос и В эаВисимостА от синала расФормула изобретения451. Способ нагружения конструкции при прочностньх испытаниях, заключающийся в том, что прикладывают к конструкции динамическуо нагрузку с помощью исполнительного элемента, определяют реакцию 50 конструкции на зту нагрузку и прикладывают к ней дополнительную динамическую нагрузку с учетом этой реакции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности Воспроизведения нагрузки путем 55 компенсации случайных динамических возмущений испытуемой конструкции, нагружающего устройства и измерительной аппаратуры, определяют скорость основной нагрузки, а дополнительную нагрузку согласования регулируют скорость исполнительного привода 3,...

Номер патента: 1222022

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Миодушевский

МПК: G01J 5/02

Метки: испытаниях, конструкции, поверхности, температуры, теплопрочностных

...цисх. исходящего от образца.С помощью устройства, схема которого изображена на фиг.1, определяют зависимостицотр 1(цпад Т)цс фЯ =еОТгде цпад - поверхностная плотность падающего теплового потока;цотр - поверхностная плотность отраженного теплового потока,цс- поверхностная платность теплового потока собственного излучения;Т - температура конструкции;о - постоянная Стефана -Больцмана; е- коэффициент черноты,Полученные на предварительном этапе зависимости цотр Фпад, Т) и цс =РЩ вво" дятся перед экспериментом в вычислительное устройство. 16. В процессе испытаний воспроизводится некоторая заданная программа изменения температуры по времени. Непрерывно или с заданной дискретностью, зависящей от инерционных свойств системы нагреватель -...

Номер патента: 1279376

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Смирнов

МПК: G01R 33/02

Метки: дипольного, источника, координат, магнитного, момента, поля

...2 и 3, а В блоке 12 осуществляется Е 2 Ь(ч(7 сЗНИ 8 СИГН ВЛОВ, Г 2 ОГ(ОРЦИОНсЗЛЬЕ(ЫХ СО- стэвляющим 087(2(ЗОВ магнитной индукции, из(с(еряемых пр(;(26)2 азователями 4 и 5. СиГ- нзль с б/(ОУОВи 2, (ОНО)Цианальныеразностям векторов магнитной индукции, поступают на вычислительный блок 13, В блоке 13 по сигналал; пропорциональным разностям составляющих векторов магнитной индукции, осуществляется определение пространственных производных, характаризующих тенэор градиента магнитной индукции в точке пространства, относительно которой рэсположепы преобразователи 28 и 29, 30 и 31 (см, фиг, 2). При перемещении подвижной платформы 27 определяют пространственные производные, характеризующие тензорь 1 второго ранга, как минимум в двух точках...

Номер патента: 644339

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Лившиц, Пимштейн, Погодин

МПК: F16J 13/02

Метки: высокого, давления, затвор

...контактнойКОРПУСа РаЗМЕсЩквйЫ тЕРгМОЭЛЕМЕНтЫ а Вс :. -ПОВЕРХНОСтИГОРЛОВИНЫ КОРПУСа;- КРЫШКЕ - КайаЛЫ ОХЛаЖДЕНИЯг СЦбягЬЮ, ПО, ": ГО РаДИУС ПОВЕРХНОСТИ КОНтаМта КРЫШвышениянадежности СОьдйнеййя Йз кОН"кис горловиной корпуса,тактных повврхногстях корпуса икрыкшки":.Ь с -гргагзность начальной и конечноййанесен маткериал; соЗдающий тепловой эк-. ЗО темсперсаФур; "рани обладаюшрай высокйм коэффициентоМ; .,; а- коэффициент линейного расширсетрейия, -; . ".":," " .,.-".":.":,.:.".",", "ния. " ., :.На фиг,1 йруедставлеино ОписываймиоеУс- ,:."Величййа выступа а не превышает притройство на фиг.2 - взаимное рсагСпсЫоже-: ращениярадиуса горловины корпуса, а его .ние горловсины ксгоРпоУСа.й РЫшкй д 036 толщина Ь ба.ВЫраВНИВаНИя тЕМПЕРЭтуиР; На...

Номер патента: 420251

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Бородулин, Дегтярев, Истомина, Нейенкирхен, Поляк, Попова, Чеканова, Эпштейн

МПК: C08L 9/02

Метки: асбофрикционного, смесь

...предлагаемому способу состав содержит, мас.ч,:Бутадиен-нитрильный: 28каучук 100Биссульфохлориднывпроизводные ароматическик углеводородов . 15-25, 30Окись цинка 5-18 . Ф о р м у л а и.з о б р е т е н йя МЕСЬ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АС ИКЦИОННОГО МАТЕРИАЛА, содеря бутадиен-нитрильный каучук, проные ароматических углеводородов, цинка, барит и асбест, отличающая , что, с целью повышения фрикцион плостойкости материалов. в качестве водных ароматических углеводорорименены биссульфохлоридные проАсбест 200-300Биссульфохлоридные производные, получаемые сульфохлорированием ароматических углеводородов, представляют собой твердые нелетучие вещества, хорошо расг 1 ределяющиеся в смесях.В качестве примеров производных можно назвать...

Номер патента: 588707

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Пимштейн

МПК: B23K 20/00

Метки: многослойных, труб

...изготовленныЕ слои фор- так, что валки плотно прижимают навивку кмуют и каждый слой многократно обкатывз- нижележащему слою. Направление обкаткиют. Кроме того, на внутреннюю поверхность совпадают с направлением навивки, причемпервогослоя наносятгерметическоепокры- каждый шаг навивки может быть обкатантие. 40 необходимое число раз до получения достаПредлагаемый способ изготовления точной плотности прилегания слоев.многдслойныхтрубвключаетформовкувсех Следует особо отметить, что при этомобразующих многослойную трубу полос од- способе изготовления враЩения готовойновременно в отдельных, разнесенных по трубы не требуется, в связи с тем что диадлине трубы формующих устройствах с на метр витка рулойной.заготовки больше диавивкой каждого...

Номер патента: 1162316

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Шехтман

МПК: G01V 1/00, G01V 1/44

Метки: вертикального, профилирования, сейсмического

...изучения околоскважинного про странства.В предлагаемом способе, в отличие от прототипа, в качестве модели изучаемой геологической среды взята двухмерная непараллельно-слоистая модель, которая 55 отображает реальную среду с совпадающим простиранием горных пород и угловыми не-. согласиями пластов.Необходимые априорные сведения об углах наклона и простирания границ пластон можно получить по результатам наземных геологических и геофизических сьемок, а также специальных скважинных исследований (пластовая наклонометрия, акустическое телевидение и др,); Для применения предлагаемого способа необходим обоснованный вывод о совпадении простирания промежуточных границ, а также границ, глубину залегания и углы наклона которых предстоит изучать,...

Номер патента: 1340477

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...области базы и коллектора транзисторов радиационных дефектов, концентрацией которых управля;от выбором флюэнса облучения, отличаощийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров при увеличении быстродействия, после операции соединения элементов проводящими дорожками по всей поверхности схемы наносят защити-перехода составляет 1,80,2 мкм, толщина активной базы - "О,9-1 мкм,С помощью фотолитографии вскрьвают контактные окна над коллекторной, базовой и эмиттерной областями транзисторов и контактными площадками резисторов, напыляют металлизацию, по которой создают электропроводящие дорожки, обеспечиваощие в нужной последовательности соединенля между элементами интегральной схемы ИС. Далее наносят по асей поверхности схемы слой...

Номер патента: 1403505

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Саляев

МПК: B24B 21/00

Метки: ленточного, шлифования

...скорости ЯпродИзвестны размеры детали 1 хБ (мм) и шаг подачи Епоп (мм). Для.-го участка определено время Т 1 в течение которого изменение съема материала находится в пределах допуска на шлифование, Тогда скорость относительного перемещения детали и инст 20 румента Япрод. для 1-го цикла найдем по формуле Ж 1 поп + " Бпрод. = - - ., М/МИН 1000 Тгде Япрод, - скорость продольной подачи в цикле, м/мин: В - ширина обрабатываемой поверхности, мм ЭО- длина обрабатываемой поверхности,мм;Ьоп - заданный шаг подачи, мм;Т - продолжительность цикла, мин. Аналогично находится скорость обработки для других циклов.ШаГ ПОДаЧИ Тпоп. ПРИ ЗаДаННОй СКОРОСТИ подачи Япрод, для 1-га перехода определяется по формуле 35 40 В 1 1000 Япрод, Т(2) Способ обеспечения...

Номер патента: 1577469

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Миодушевский, Павленко, Сергеев

МПК: G01C 9/20

Метки: датчик, наклона, угла

...Овых - С 1- Сг/С, где Сл - постоянная емкость, образованная сектором 4 и проводящей жидкостью 7, будет линейным, т,к. разность С 1-С 2 становится прямо пропорциональна углу отклонения датчика а.5 10 15 20 ся иэ соотношения: 40 кость одного из дифференциально 50 25 30 35 Учитывая то, что радиальные границы проводящих секторов находятся на некотором расстояниидруг от друга(фиг.З) радиус центрального отверстия должен быть не менее расстояния АО от точки пересечения границы раздела жидкостей, при ее максимальном смещении, с радиальной границей проводящего сектора до центра цилиндрической полости датчика. Причем из двух величин выбирается большее.Датчик с секторами проводящего слоя с центральным отверстием обеспечивает линейную характеристику...

Номер патента: 1223784

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Латышев, Ломако, Прохоцкий, Соловьев, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...1,х В:.О/ай ОК И 1 СОКОГО ) 1)ОИ 1(1;,;,;. - ВХОДЦОИ 1к низкого ровня Па 1 л 0)(Оццае цаг)р 1)ке 1 Р 18 питацР 1/ сост 1 ляла - 5,2 В, 1-а 1 ластице и)з)0 ци/1 и 00 р 1 "1 ую 1 рОВ-Ок)/ ).ехцэ фн" ;ци 01 иравацие и строили Г 1 стООГрдмлы РзсгРеДеле 11 Я :ЗРамт08 Г 10 Ос) аткла" дывд/и 0 цашециа числа фу ц:;Р 01 иру 10- 1 ЗМ 80 Е 1)/ Г)аРаМетРКГОлнаму чис.)схем ца 1;лзстице, па Оси Х - 3; ач 811 я а 18 лиг ируемаГО Г 1 арз/18;ра. г 13- ,)акааКУ , ГОДЫе) 8 1 Ы 1 ЗОВОДРОи ( 11ЛСсл 1 С) У Ь й Я"О 1 /1 У, 1 ак, 111;)им 3 р, па ) эза)1 цым Т)ГОДными язля 10 тс /С с гзлР;янам)1 Й,х1,6 В, ), ,50 мкА.ИсОльзавание в техцалаРчес ам працсссе Операций )адиациацна"термической Обрабг)ткиицтегрэльцы;пагак .=- 1,0 х 10 час Ги -.; см 1 Р) /д0 Сп в 1 дР)ла...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...