Архив за 1993 год

Номер патента: 743526

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Левин

МПК: H01S 3/11

Метки: газового, генерации, импульсов, лазера, параметров

...импульсов излучения при максимальной эадержке (100 и более мкс), а на фиг.4 - примлнимальной задержке запуска импульсанакачки (акало 10 мкс), На оси ардинат -мощность излучения, на горизонтальнойаси - длительность излучения, Как видно 45постепенное извлечение световой энергиииз возбужденного объема позволяет примерно на полтора порядка снизить мощность излучения и повЬсить длительностьимпульса, 50При промежуточных значениях задержкл получают соответственна промежуточные значения импульсной мощности идлительности импульса,Способ осуществляется следуащим образом,Да начала лмпульса акдчки каустику 5резонатора, обрадованного зеркалами 1 и 2,полностью перекряпэ.ат затворам 3. д затем открывают, разводя створки затвора 3 в стороны со...

Номер патента: 626583

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Корягин, Чекулаева

МПК: C12N 1/20

Метки: бактерий, бактериородопсина, галофильных, культивирования, продуцентов

...50-55% от насыщбения и освещение на уровне 0,3-0,4 10 эрг/см с.П р и м е р. Культуру галофильных бактерий ХаоЬастегШгп Ьаозое штамм 353 выращивают в плоской кювете обьемом 6 л с рабочим заполнением 3 л при температуре 38 С, рН 7,2 - 7,4, аэрации воздуха 1 л(мин на 1 л суспензии при непрерывном освещении 0,3 10 эрг/см с лампами ЛБ - 40.Первоначально в кювету заливают 2,5 л питательной среды и 0,5 л посевного материала, выращенного в колбе. Через 3 ч при Формула изобретенияСПОСОБ КУЛЬТИВИРОВАНИЯ ГАЛОФИЛЬНЫХ БАКТЕРИЙ - ПРОДУЦЕНТОВ БАКТЕРИОРОДОПСИНА путем ферментации культуральной жидкости в условиях поддержания уровня концентрации кислорода, оптимальной температуры роста продуцента и уровня освещения белым светом помощи насоса подают...

Номер патента: 686191

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Тищенко, Шевчук

МПК: B05D 1/38

Метки: пленки, термохромной

...таким же способом наносят целесообразно наносить в виде эмульсии 5 О-ную суспензию сажи в 15 о,-ном водном сажи в водном растворе поливиниловаго растворе поливинилового спирта, послечеспирта, После нанесения чернящего свето го пленку вновь охлаждают до перехода напоглощающего слоя пленку повторно высу- несенной суспензии в гелеобразное шивают. Для достижения высокой состояние (до 1 С). Затем пленку подвергастабильности ео времени наносят еще за- ют высушиванию при 30 С в течение 3 ч при щитный слой в виде водного раствора пол- постоянной относительной влажности 20;.ивинилового спирта. после чего производят 50 Примео 2. Пленку получаютаналогично высушивание, Таким образом, рассматри- . примеру 1, но вместо охлаждения до гелеобваемый...

Номер патента: 686377

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Аветисов, Загребельный, Земцова, Кузмарева, Салганик, Старостина

МПК: A61K 37/48, C12N 11/12

Метки: bacillus, subtilis, иммобилизованной, препарата, протеазы

...в активации АЕ-целлюлозы глутаровым альдегидом в 0,1 - 1 М фосфатном буфере при рН 6-9 в течение не менее 2 ч с последующей иммобилиэацией фермента на активированном носителе.Процесс проводят следующим образом.В качестве аминоэтилцеллюлозы (АЭ- целлюлоза) используют препарат отечественного производства (завод химреактивов в г. Олайне) и фирмы "Реанал" (Венгрия). Протеазу Вас, зцЬИ 1 з берут в виде водного раствора.В качестве источника протеаз используют протосубтилин ГЗХ, очищенный по методу, который заключается в осаждении балластных белков раствором СаС 2, удалении осажденных белков центрифугированием и осаждении протеаз из надосадочной жидкости этиловым спиртом. За единицу активности протеаз принимают такое количество...

Номер патента: 1670913

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Гацура, Пелипягина, Телегина, Шепета

МПК: C08K 13/02, C08L 67/06

Метки: композиция, полимерная, тканеэквивалентного

...и равномерной ячеистой структуры.Состав композиций по примерам 1 - 3 и свойства отверкденного материала приведены в таблице, Примеры 4-11 контрольные.Известная композиция является тканеэквивалентной мышечной тканью, отвержденный матезоиал имеет вь,сокую плотность (1,0-1,2 г/см ), содержит большое количество азота (3,1-3,7 мас.Д), что делает композицию дозиметрически неэкоивалентной легочной ткани.(56) Авторское свидетельство СССР К. 418074, кл. С 08 3 67/06, 1971.ы м л ы м л ы ыЫф СО СО . СП Ф ОО СО О (Л Х й) о о д о Ш й д й д В о К Е д о 5(оо:3 ооо5 рь йео й5о оЕО Яо дКВт йзй о5 Ед чэК д о 5( л о ю 2 о 5 5 5 Г) о о - В ) й (ь) Ф 5 Ш (ц йС 60.91 О О О Осэ О О О О О О О О О О О о о о о о о о о о СЭ СЭ ф СО СО СО СО СО Л СЛ ф о о о о о...

Номер патента: 999536

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Балаев, Гинзбург, Горфункель, Егорова, Консетов, Кравченко, Лившиц, Рупышев, Таркова, Уваров, Хохлов

МПК: C08F 279/02

Метки: сополимеров, стирола, ударопрочных

...второй реактор каска- емкостью 200 л загружают 149,76 кг стирода, равна 7.,4 мас.7 ь, концентрация полисти- ла, 8 кг (5 мас, каучука, 0,48 кг тринонилрола в нем 5.3 мас., Свойства готового фенилфосфита, 0,16 кгпродукта приведены в таблице, 5 трет-додецилмеркаптана и при 40-455 С вП р и м е р 5. Процесс проводят по . течение 6-8 ч растворяют каучук. В растворпримеру 1; но концентрация каучука в рас- вводят 0,0102 кг трет-бутилпербензоата,творе, питающем первый реактор каскада, Питающий растворсоскоростью 1:кг(чподсоставляет 12 мас., а концентрация каучу- ают в первый реактор каскада, где поддер-,ка в растворе, питающем. второй реактор 10. живаюттемпературу 110 й 3 С и конверсиюкаскада, составляет 5 мас, . Концентрация по стиролу 12 мас....

Номер патента: 462369

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Гизатулин

МПК: A23C 3/07

Метки: молока, пастеризации

...бактерицидного дейстеия, а инфракрасное излучение с длинами волн от 750 нм и выше вызывает повышение температуры всей массы молока.Однако при таком способе обработки молока энергия излучения не используется полностью, поскольку интенсивность поглощения излучений сильно зависит от количества жира в молоке и различна для отдельных участков оптической области спектра как в количественном, так и в качественном отношении.В ультрафиолетовой области спектра с длинами волн 200-315 нм, наиболее активной зоне превращения провитаминов в активнодействующий витамин Оз, с увеличением содержания жира в молоке интенсивность поглощения излучений повышается, а в инфракрасной области спектра, соответствующей длинам волн 750-3000 нм, наоборот, с...

Номер патента: 689281

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Тищенко, Фетисова, Шевчук

МПК: C09D 5/26

Метки: материал, термохромный

...атомов углерода от 1 до 4, при следующем соотношении компонентов, мас.%;производные холестерина . 40-60 комплексообразователь 1,5-10 поливиниловый спирт остальное Изобретение иллюстрируется следующими примерами конкретного выполнения.. Пример 1; К 50 г жидкокристаллической композиции (20 г халестерилпеларгоната и 30 г холестерилолеата) добавляют 2 г триэтоксибора В(ОС 2 Н 5)э и диспергируют при 70 С в 500 мл, 15%-ного водного раствора поливинилавога спирта, Полученную эмульсию охлаждают и высушивают при комнатной. температуре, Состав полученного термохромного материала, мас.%: производные.холестерина - 39,4, триэтоксибор - 1,6, поливинилавый спирт - 59.Пример 2 (по прототипу). Состав аналогичен примеру 1, на вместо триэтоксибора...

Номер патента: 1094526

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Вето, Кузнецов, Скрылев, Тренева

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, матрица, приборах, связью

...выводаинформации 6, 7, входные устройства 8, 9,каналы переноса 10. циально с постоянной времени где Екр- напряженность краевого поля;б - толщина. окисла;- длина электрода;х 4 - ширина обедненной области;0- разность напряжения, приложенного к соседним электродам. Таким образом, для повышения напряповышения предельной рабочей частоты матрицы, необходимо уменьшить длину электродов. Все сказанное можно отнести и к неэффективности переноса заряда; Уменьшая длину электродов, мы ускоряем процесс переноса остатка сигнального заряда, что следует из (1) и (2), Это снижает неэффекдовой связью выполнена на полупроводниковой пластине кремния и-типа проводимости,.ориентации (100). с удельным сопротивлением 20 Омсм по трехслойной поликремниевой...

Номер патента: 951938

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Биленко, Лясковский

МПК: G01J 5/60

Метки: образцов, полупроводниковых, температуры

...меньшей погрешностью. В этих случаях, поскольку РД (Т - То)1, можно получить выраже ния для температуры ТТо соответственно ДоТ=Т. +о.Поскольку и ив фазовом набеге равноправны, а рефракцией на температурныхнеоднородностях мы пренебрегаем, так какрасстояние от неоднородностей до плоскости выходной грани образца мало ( 100мкм), то можно приписать все температурлное изменение фазы показателю преломления и считатьФ(Т) аЬп,ф = поф ЬТ,35Следовательно,Т(х,у,г, х ) = Т + 40, и,Из этих формул видно, что можно динамически измерить распределение температуры в образце, зная его начальную температуру и пространственно-временное эффективное изменение показателя преломления Ьп,ф (х, у, г, х), вызванное неоднородным нагревом. Начальную тем-....

Номер патента: 867263

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Левин

МПК: H01S 3/036

Метки: газовый, импульсно-периодический, лазер

...изоляционного материала, например, текстолита, и жестко закрепленных на дисках 5 и 6, На верхней кромке перекладин 4 закреплен металлический стержень 11, проходящий по всей длине каждой перекладины и имеющий на концах электрическое соединение с подшипниковыми уздами 8 и 9, Для повышения надежности конструкции анода 2 на случай обрыва проволочная спираль 7 в месте контакта со стрежнями 11 приварена к ним контактной сваркой, Диски 5 и 6 снабжены отверстиями 12, диск 5 имеет цапфу 13, которой он опирается на подшипниковый узел 8 и соединен с приводом вращения,Катод 3 выполнен в виде металлического бруска со специальной формой поперечного сечения. Катод 3 закреплен на валу 14 с помощью стоек.15 из изоляционного материала на заданном...

Номер патента: 1721989

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Фоминский

МПК: C02F 1/62

Метки: вод, ионов, металлов, сточных

...Добавляют в сосуд суспензию в количестве, указанном в таблице в пересчете на сухое вещество. Перемешива ют содержимое сосуда 1 мин, затем дают воде отстояться в том же сосуде в течение 0,5 ч. При этом суспензия в сосуде коагулиВремя выдерживания при приготовлении суспензии, ч Время перемешивания суспензии с водой, мин Полное время контактирования с водой, мин Расход железа, г на 1 мрует и выпадает в осадок, а вода осветляется. После этого открывают кран в нижней части сосуда и сливают отстоящийся осадок вместе с частью воды в сосуд-сборник осад, ка. Когда из крана перестает идти суспензия(осадок) и начинает идти прозрачная (осветленная) вода, слив осуществляют в сосуд- сборник осветленной воды. Затем осветленную воду фильтруют через...

Номер патента: 813896

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C01F 17/00

Метки: перовскита, соединений, структурой

...Авторское свидетельство СССР В 259070, кл. С 01 Р 17/00, 1968. формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА, включаю щий высокотемпературное взаимодействие в стехиометричес ком соотношении соединения редкоземельного элемента и соли амфотерного элемента, выбранного из группы: алюминий, галлий, железо, отИзобретение относится к способам получениг, соединений со структурой перовскита, используемых в производстве высокочастотной керамики и пьезоматериалов, люминофоров и полупроводников; 5Известен способ получения соединений со структурой перовскита, заключающийся в том, что смешивают в стехиометрическом соотношении окись лантана в виде водной суспензии с нитратом алюминия. Тщэтель но перемешивают массу до...

Номер патента: 1565071

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Делекторский, Зуев, Кудинова, Притула, Ягмур

МПК: C23F 13/02

Метки: защиты, катодной, коррозии, металлических, объектов, протяженных, среде, электролитической

...сердечника 0,75 мм. При срабатывании части материала анода в период эксплуатации, например, до половины его диаметра (см. фиг.2), продольное сопротивление тела анода возрастает до 3,12 Ом/м. Это приведет к увеличению общего продольного сопротивления ЯА до 0,031 Ом/м, т.е. на 3,5больше поедельно допустимого значения. Такое, на первый взгляд, небольшое увеличение значения Г(л может привести к сокращению зоны защить, обеспечиваемой анодом, на 20;4 (при начальном сопротивлении тела материала анода 0,00012 Ом м). Таким образом, требования, предъявляемые к аноду по прототипу, недостаточны и могут привести к ухудшению его эксплуатационных характеристик.В то же время предлагаемые в изобретении ограничения соотношений сечений и продольных...

Номер патента: 1508755

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Ерофеев, Жихарев, Константинопольский, Кузнецов, Фатеев

МПК: G01N 29/26

Метки: дистанционного, ультразвукового

...жестко закхватываемый жестко ервой и второй стустко соединен корицей - упьтразвукоодном конце шпинодействующий упокорпусе. В процесс изделием преобместе со ступицами, вода ультразвуковори взаимодействии с фирование копебаФормула изобретенияУСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИСТАНЦИОННОГО УЛЬТРАЗВУКОВОГО КОНТРОЛЯ ИЗДЕЛИЙ, содержащее основание, установленный в нем с возможностью вращения шпиндель его привод, закрепленный на одном конце шпинделя корпус в виде цилиндрической емкости с опорами, и закрепленные на корпусе ультразвуковые преобразователи, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности дистанционного контроля изделий с криволинейной поверхностью за счет поддержания постоянного угла ввода ультразвукового луча в изделие, оно снабжено. узлом...

Номер патента: 1327385

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Агеев, Серьезнов, Шохин

МПК: B23K 15/00

Метки: сварки, электронно-лучевой

...упора 9 и Отводят пенал 17 со скалкой 21 в исходное краинее положение до срабатывания датчика 46. Включают приводы 37 поворота в опорах 25 штанг 26, 132738515 20 25 30 35 40 которые через шарнирные оси 36 поворачивают захваты 29 из вертикального положения в крайнее нижнее положение для прие 1 а изделия 4 из механизма 5 его загрузки.После поступления изделия 4 срабатывает датчик 45, связанный с системой управления, и захваты 29 занимают вертикальное положение (см.фиг.4).Изделие 4 центрируется губками 32 и 33 крайних захватов 29 и 30. Включают привод 24 перемещения пенала 17 вдоль оси 44 со скалкой 21 по направляющим 23 в сторону камеры 2. Пенал 17 с помощью заходного отверстия 42 и спиральной направляющей 43 надвигается на изделие...

Номер патента: 869332

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Гусятинер, Далка, Жданова, Кара-Мурза, Удровский, Шкагале

МПК: C12P 13/08

Метки: 531-продуцент, brevibacterium, лизина, штамм

...0,5-2,0 х 0.3-1,0 мк, спор не образуют, неподвижные, грамположительные.Рост на мясо-пептонном агаре, Через 7суток роста образует округлые колонии диа;. метром 4-4,5 мм, матовые, желтовато-кремовые; пигмент в среду не выделяют,поверхность гладкая, форма выпуклая, край15 равный, структура однородная, консистенция тестообразная, дает равномерную суспензию в воде. При посеве штрихом через 2сут рост умеренный, край гладкий, поверхность матовая, полная, цвет желтовато-кре 20 мовый. При посеве уколом рост в глубИнеагара слабый, на поверхности умеренный,Рост на минеральной среде Гловера сглюкозой, биотином; тиамином и гомосерином. На вторые сутки образует округлые ко 25 лонии диаметром 1,5-2,0 мм;светло-кремовые, пигмент в среду не выдел...

Номер патента: 1771388

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Гальперин, Королев, Сорокоумов

МПК: H05K 3/30

Метки: монтажной, платы

...а йФоцессе прошивки20Йа фиг,1 представлен участок платы на этапе прошивки провода; на фиг.2;представленэтот же участок платы на этапе формирования основания; на фиг.3 - участок гоговой монтажной платы, где изображены диэлектрическая пленка 1 с контактными площадками 2 и эластичная прокладка 3 закрепленная йа пленке 1, изолир 0 ванный провод 4, проложенный на пленке 1 и про шитыи черезпленку 1 и контактные площадки 2 с образованием петель 5 в эластичной прокладке 3, и основание 6, сформированное на пленке 1 со стороны провода 4.П р и м е р. На фольгированной.полиимидной пленке 1 типа Пфтрадиционными матодами формируют проводники и контактные площадки 2. На пленке 1 закрепляют эластичную; например резиновую, прокладку 3"толщийой 10...

Номер патента: 1566721

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Бадаев, Воробьев, Кислых, Харченко

МПК: C12N 5/00

Метки: клеток, культивирования, микроорганизмов, суспензионного, тканей

...его внутреннего диаметра,Для реализации способа используется биореактор, схема которого изображена на чертеже.Биореактор содержит емкость 1 с крышгой 2, трубопроводы 3 для подвода азрирующео газа в трубопровод 4 для отвода его из газовой полости биореактора. Трубопроводы подключены к напорному устройству 5, обеспечивающему циркуляцию лзрирующего газа, причем концы трубопроводов 3 присоединены к емкости 1 тангенциально ее стенкам, а трубопровод 4 закреплен на крышке 2 соосно биореактору. Через патрубки 6 осуществляется корректировка соФормула изобретения СПОСОБ СУСПЕНЗИОННОГО КУЛЬТИВИРОВАНИЯ КЛЕТОК ТКАНЕЙ И МИКРООРГАНИЗМОВ, включающий заполнение биореактора суспензией клеток, перемешивание суспенэии за счет введения в биореактор...

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Номер патента: 1050476

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Колычев, Решетин

МПК: H01L 21/78

Метки: меза-структур

...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...

Номер патента: 1626814

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Воробьев, Куприянов

МПК: G01C 15/00

Метки: измерений, створных

...размеров 11, Фокусируя телескопическую систему, формиру 1 от на ее выходе параллельный пучок света 12. За телескопической системой устанавливают соосно с ней триппельпризму 6, Последняя отражает в обратном направлении пучок 13, преобразуя его с помощью телескопической системы, посылают пучок 14 сходящимся в начальной точке створа, Створные измерения осуществляют относительно оси возвращаемого после телескопической системы пучка 14, задающего референтное направление, с помощью измерительной10 15 20 25 30 3 40 45 50 марки 7, отводя часть пучка 14 с помощью плоскопараллельной пластины 8 на датчик 9.Для обеспечения работоспособности устройства угол расходимости пучка света, выходящего иэ источника излучения, выбираот из соотношения где 2...

Номер патента: 1727400

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Алексеев, Елистратов, Мунтян, Осадчий

МПК: C25D 21/12

Метки: ванн, гальванических, нагревом, обрабатывающей, поддержанием, среды, температуры

...с уровнем "логЛ" навыходе схемы 42, ИМ 11, появление сигна 0 ла с уровнем "логЛ", на выходеЛЗ ИЛИ 57,ЛЭ И 62, обеспечивающего включение (закрывание) через усилитель 70, ИМ 17 и исчезновение сигнала с уровнем "лог.1" навыходе схемы 43, что, в свою очередь, при 5 водит к удержанию в закрытом состояниипутем снятия управляющего сигнала с входаи выхода усилителя 69, ИМ 21;- на третий вход ЛЭ И 62 и третий входсхемы 44.0 При этом на выходе ЛЭ И 61 и ЛЭ ИЛИ54 также присутствуют сигналы с уровнем"лог. 1".Пар начинает циркулировать по схеме:- источник нагрева теплоносителя (на5 фигЛ не показан) - ИМ 10 - змеевик 7 ванны1 - трубопровод 20 с ИМ 19 - змеейик 8ванны 2- трубопровод 24 с ИМ 23- змеевик9 ванны 3 - конденсатоотводчик -...

Номер патента: 1727426

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Голик, Искрицкий, Кравец, Романовский, Скоблюк, Ткачук, Шейнин

МПК: E02F 5/10

Метки: бестраншейного, дреноукладчика, орган, рабочий

...2 вырезает"5 ся стружка грунта, которая изгибаетсятранспортирующей поверхностью 3 и изменяет свое начальное направление движенияна вертикальное. Двигаясь вертикально,стружка сливается с другими стружками и20 единым столбом выходит на дневную поверхность, где под действием собственного веса рассыпается по сторонам рабочегооргана,25 (56) Авторское свидетельство СССР М 1678989, кл, Е 02 Р 5/10, 1983, Ф о р мул а,изобретен ияРАБОЧИЙ ОРГАН БЕСТРАНШЕЙНОГО ДРЕНОУКЛАДЧИКА, включающий трубонаправляющий тракт, расположенные перед ним и последовательно разнесенные 35 по высоте грунторазрабатывающие режущие части, выполненные из вертикальных и горизонтальных ножей, рабочие поверхности которых сопряжены с рабочими поверхностями грунтонаправляющих...

Номер патента: 1007405

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Иванова, Ким, Коптюг, Кочкина, Крысин, Логинова, Лугова, Макарова, Просенко, Цветкова

МПК: C08K 5/09, C08K 5/375, C08L 27/14 ...

Метки: композиция, стабилизированная

...материала - покрытие при прогреве при 220 ОС 20:через полчаса приобретает желтую окраску.При увеличении содержания указанного стабилизатора поверхность покрытия становится матовой вследствие выпотевания стабилизатора (см; пример 27 к, 29 к, 31 к,.25 33 к. 35 к),Иэ. приведенных данных видно. чтопредлагаемая композиция имеет серьезные преимущества по сравнению с композицией - прототипом: значительно повышает ся термостабильность, устраняетсянеобходимость применения дефицитных стабилизаторов - сложнйх эфиров тиодиалкановой кислоты.Преимущество предлагаемой компози.ции по сравнению с выпускаемой в СССРкомпозицией (базовым обьектом) на основе поливинилфторида с добавкой в качестве стабилизаторов пасты СЬС К, форстабаСвойства ноф.313 2 Твердое...

Номер патента: 873845

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Лепп, Сибгатулин

МПК: H02M 7/521, H02M 7/523

Метки: инвертор

...9 и 10 по цепям: тиристор 4 ку поступает из сети через иристоры 1 и 2, дроссель 6 и тиристор 5, дроссель 7 соответ-. 15 .остальные элементы схемы. пропускают ток ственно. При этом конденсаторы 9,10 заря-. только в период времени, достаточный для жаются до напряжения, близкого к восстановления непроводящето состояния удвоенной величине напряжения источника . тиристоров, что при его незначительной вепитания,личине по отношению к периоду коммутаТиристоры 4 и 5 выключаются ввиду:20 ции тиристоров 1 и 2. предопределяетприложения обратного напряжения по .резкое .снижение установленной мощности окончании процесса заряда конденсаторов . реактивных элементов инвертора.9,10. Одновременно начинается разряд кон.денсаторов 9 и 10 через диод...

Номер патента: 1396458

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Зиновьев, Кашкан, Козорез, Ляшенко, Маслов, Хабло

МПК: B60L 13/04

Метки: вывода, магнитное, объекта, подвешивание

...витка 3ниже температурьгсверхпроводящего перехода, в результате чего в витке 3 замораживается часть магнитного поля магнита 1. Этоприводит к тому, что при увеличении зазора д по сравнению с до, когда он попадаетв зону более слабого поля магнита 1, в виткевозбуждается ток, компенсирующий нехватку силовых линий магнитного поля через плоскость витка 3 и приводящий квозникновению магнитного притяжения витка 3 к магниту 1. Если зазор д уменьшается по сравнению с д о, виток 3 попадает взону болев сильного поля магнита 1, чтоприводит к возбуждению в витке тока, ком 5 пенсирующего избыток силовых линий полямагнита 1 через плоскость витка 3, а такжек возникновению магнитной силы отталкивания витка 3 от магнита 1, Поэтому зависимость...

Номер патента: 1102190

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Квичко, Коток, Литвинов, Рамакаева

МПК: C01G 23/00

Метки: стронция, титаната

...удаляют выпариванием и проводят 35 пензию фильтруют а путч-фильтре. Осадокспекание полученного порошка при темпе- подсушивают в сушильном шкафу, помещаратуре:1400 С в течение 2 ч. ют в печь и прокаливают при 12000 С в течеКонечный продукт содержит 0,.8 сво- ниеЗч. Полученный после обжига конечный. бодной.окиси стронция. продут измельчают в течение 15-20 мин.Цель. изобретения состоит в повышении 40 Выход продукта составил 84,5%. Стехифазовой однородности конечного продукта, ометрический состав, %; ЗгОобщ, 56.6;.Т О 2Этодостигается благодаря тому, что уг- .43,4: Зг 00 б. 0,07, Содержание микроприлекислый стронций и двуокись титаната месей, ф 6:А 1 10; Ре 5 10;313 10;-з,прокаливают соответственно при темпера- Мд5 10; Рв5 10, Иэ партии...

Номер патента: 1729123

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Бобылева, Воейкова, Емельянова, Зайцева, Крицкая, Крицкий, Ломовская, Петренко, Шашаева, Шувалова

МПК: C12P 29/00

Метки: культивирования, питательная, среда, хлортетрациклина

...0,8Подсолнечное масло 3,0Роданистый бензил 0,0003Вода Остальное ,15Через 144 ч культивирования в культуральной жидкости штамм ТБФУ накапливает 13800 мкг/мл ХТЦ,П р и м е р 4. Выращивают посевнойматериал и ведут ферментацию как в примере 1 при использовании ферментационнойсреды с максимальным содержанием компонентов,.а именно, мас.о/:Кукурузная мука 9,0Кукурузный экстракт 25(ИН 4)2 НР 040,04 . 30Мел 1,0Подсолнечное масло 4,0Роданистый бензил 0,0005Вода ОстальноеЧерез 144 ч культивирования в культуральной жидкости штамм ТБФУ накап- .ливает 10200 мкг/мл ХТЦ.П р и м е р 5, Выращивают посевнойматериал и ферментацию проводят как впримере 2. Ферментационная среда отличоется от среды, приведенной в примере 2,тем, что в качестве источника...

Номер патента: 1335118

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Антонов, Козуб

МПК: H03M 5/10

Метки: временных, интервалов, код, преобразования, точного

...для окончания переносов по счетчику 3 импульсов, значение числа, зафиксированное на нем, считывает 25303540 45 50 55 ся в вычислитель 9, а именно ео входящий в состав вычислителя 9 блок памяти 12, для чего на вход управления записью вычислителя 9 и блока памяти через элемент задержки 8 (величина задержки, обеспечиваемаяэтим блоком, должна превышать максимальное время распространения переносовпо счетчику 3 импульсов) поступает вхддной информационный импульс са входа устройства. После того как перезапись информации с выхода счетчика 3 импульсов в блок памяти 12 вычислителя 9 будет окончена, с выхода подтверждения записи блока памяти вычислителя формируется сигнал, переводящий триггер 4 в йерванэчальное положение, счетчик 3...