Архив за 1999 год

Номер патента: 1080675

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/24

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металлический слой облучают ионами элементов, обладающих электроотрицательностью меньшей чем электроотрицательность нанесенного металла, причемЭм - Ээ = Э

Номер патента: 1371275

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дауркин, Зубринов, Терещенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11, G02F 1/33

Метки: акустооптических, светозвукопроводов, стекло, устройств

Применение стекла As30Sb1S12Se51 в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических устройств управления световым излучением ближнего ИК-диапазона.

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: C23C 14/00, H01L 21/24

Метки: диэлектриках, металлических, покрытий, полупроводниках, создания

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 1194172

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптических, дефлекторов, материал, светозвукопроводов

Применение стекла 11SiO2oC7PbOoC2K2O в качестве материала для светозвукопроводов термостабильных акустооптических дефлекторов.

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 1083840

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Авдиенко, Богданов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллов

Способ изготовления монокристаллов твердых растворов иодат лития-иодоватая кислота наращиванием из водного насыщенного раствора, отличающийся тем, что с целью получения эпитаксиальных структур на подложках Li1-xHxIO3 X = 0,04 - 0,08 ориентаций, наращивание ведут из раствора, содержащего 2 - 26 мас.% иодноватой кислоты, при температуре 40 1oС.

Номер патента: 1195873

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01S 3/10

Метки: мод, синхронизатор

Синхронизатор мод, состоящий из светозвукопровода, акустической связки, пьезопреобразователя в виде плоскопараллельной пластины и металлических контактных слоев с подводящими электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности формируемых импульсов, контактные слои выполнены на внешней и внутренней сторонах пьезопреобразователя в виде соосно расположенных кругов одинакового радиуса с примыкающими к ним подводящими электродами, не перекрывающими друг друга.

Номер патента: 991878

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: варианты, диэлектрик, его, полупроводников, структур, —полупроводник

1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...

Номер патента: 1435109

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/00

Метки: крепления, металлическими, пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, слоями, соединении

Способ контроля крепления пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов при соединении их металлическими слоями, включающий совмещение их поверхностями, на которые нанесены металлические слои, поджим друг к другу и направление на плоскость контакта светового потока, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода изделий с однородными соединяющими слоями, поджим пьезоэлектрической пластины осуществляют через прозрачный элемент с меньшим, чем у пьезоэлектрической пластины, показателем преломления, размещенный на поверхности пьезоэлектрической пластины, противоположной той, на которую нанесен металлический слой, световой поток направляют под углом, большим угла полного...

Номер патента: 803747

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.

Номер патента: 1760926

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аникина, Земцов

МПК: H01M 2/20

Метки: высокотемпературных, материал, соединения, электрического, электрохимических, элементов

1. Материал для электрического соединения высокотемпературных электрохимических элементов, включающий оксид хрома, оксиды редкоземельных элементов и кальция, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводимости при высоких температурах в окислительно-восстановительной среде, он дополнительно содержит оксид щелочного металла при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид редкоземельного элемента - 30 - 46Оксид кальция - 4 - 20Оксид щелочного металла - 2 - 10Оксид хрома - Остальное2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида щелочного металла используют оксид лития3. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве оксида...

Номер патента: 1088586

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Девятова, Журков, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, травитель

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Бром - 0,1-2,5Ацетонитрил - 97,5-99,9

Номер патента: 683399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Номер патента: 1202423

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптических, добротности, лазеров, материал, модуляторов, светозвукопроводов

Применение стекла 14SiO2oCB2O3oCPbOoCBaOoC3K2O в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических модуляторов добротности лазеров.

Номер патента: 1202460

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова, Черепов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-p-переходов, глубины, залегания, кремнии

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, позволяющих измерять глубину залегания мелких n-p- или n+-p-переходов, электрохимическое травление n или n+-слоя проводят при одновременном приложении напряжения 0,5 - 3,0 В к системе кремний n-типа или n+-типа - электролит и прямого напряжения к n-p- или...

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Орлов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Номер патента: 807903

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/228

Метки: полупроводниковых, структур

Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.

Номер патента: 1091766

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: algaas, гетеролазерных, основе, структур

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.

Номер патента: 1616341

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Конев, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора,...

Номер патента: 1561665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Клименко, Небрат, Усик

МПК: G01N 21/31

Метки: излучения, квантовой, люминесцентных, структур, эффективности

Устройство для измерения квантовой эффективности излучения люминесцентных структур, содержащее кольцевой фотоприемник с источником питания, капиллярный микрозонд с мембраной, нагрузочным штоком и электрическим разъемом, имеющим контакт с ртутью, наполняющей микрозонд, предметный столик с омическим контактом, выполненным в виде кольцевого электрода из индия, покрытого слоем галлия, электрический измерительный блок, соединенный с регистратором, источник напряжения, через измеритель тока соединенный с разъемом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений и расширения функциональных возможностей, он дополнительно содержит коммутатор, источник света, модулятор, термостат с...

Номер патента: 1618122

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Каренина, Лесунова, Пальгуев

МПК: G01N 27/02

Метки: азота, концентрации

Способ определения концентрации азота с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом путем измерения ЭДС при температуре 1100-1400oC, по величине судят о концентрации азота, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения экспрессности способа, на оба электрода подают анализируемый газ, нагревают до температуры измерения, затем на электрод сравнения подают газ сравнения, содержащий водород или азот, имеющий концентрацию азота выше, чем в анализируемом газе.

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Номер патента: 689467

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.