Способ получения варизонных структур с p-n переходом

Номер патента: 1797413

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/337

Метки: p-n-переходом, вертикальным, каналом, полевых, полупроводниковых, структур, управляющим

...их последовательности, достаточны, чтобы отличить предлагаемый способ от других способов аналогичного назначения и характеризовать его в том качестве, которое проявляется в повышении процента выхода годных и улучшении электрических параметров структур.На фиг,1 показана структура полевого транзистора после выращивания на кремниевой подложке 1 эпитаксиального слоя 2 и формирования на нем фотолитографией маски из слоев оксида 2 и нитрида 4 кремния; на фиг.2 - структура после формирования щели 5 путем травления кремния в местах расположения затворов; на фиг.З - структура после окисления поверхности щели; на фиг.4 - структура после стравливания слоя 6 окисла со дна щели и легирования вскрытых областей 7 кремния; на фиг,5 - структура после...

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Номер патента: 585431

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Заметин

МПК: G01N 21/00

Метки: перехода, сегнетоэлектрического, температуры

...температуры фанового перехода как в объеме образцатак и в тонком слое на его поверхности. Объясняется это тем, что приизмерении глубины модуляции прошедшегочерез образец потока излучения, в 6процессе модуляции участвует весьобъем находящегося на пути потокаизлучения вещества, т. . измеряетсятемпература, Фазового перехода объема.Прй измерении же глубины модуляции 1отраженного потока излучения в процессе модуляции участвует (взаимодействует со светом) лишь поверхностный слой, причем толщина слоя с 11(глубина проникновения потока электраглагнитного излучение в вещество)зависит от длины волны падающего потока излучения как д= + (см), гдесс - коэффициент поглощейия. Так каког.(оэ)может изгленяться от единиц довеличин порядка 10 см , то и...

Номер патента: 1335820

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01

Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов

...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...

Номер патента: 1404913

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Скрипов, Чепиков, Шутов

МПК: G01N 25/12

Метки: жидкость-пар, критической, перехода, температуры, фазового

...к измерительной технике, а именно к определению критической температуры фазовогоперехода жидкость - пар.Целью изобретения является повышение,точности измеряемой критическойтемпературы фазового перехода жидкость - пар,На чертеже приведена схема осущест 10вления способа.Ампула 1 с исследуемой жидкостьюпомещается в маятниковый подвес 2 иподвергается нагреванию в термостате 3. Ампула совершает периодическиеколебания в вертикальной плоскостимежду источником 4 света и фотодатчиком 5. В момент, когда ампула закрывает от источника света. фотодатчик,сигнал с последнего подается черездифференциальный каскад 6 на обмоткуэлектромагнита 7 и на блок 8 измерения периода колебаний.Импульсное магнитное поле от элек-.тромагнита 6 приводит к...