Способ получения варизонных структур с p-n переходом
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2645875/25, 18.07.1978
Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР
Золотухин В. Е, Марончук И. Е, Марончук Ю. Е, Сушко Б. И, Якушева Н. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/20
Метки: варизонных, переходом, структур
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-689467-sposob-polucheniya-varizonnykh-struktur-s-p-n-perekhodom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения варизонных структур с p-n переходом</a>
Предыдущий патент: Способ обработки пластин арсенида галлия
Следующий патент: Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv
Случайный патент: Способ обработки минералов и сверхтвердых материалов бесконечной лентой