Способ получения варизонных структур с p-n переходом

Номер патента: 689467

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

Описание

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки инверсии.

Заявка

2645875/25, 18.07.1978

Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР

Золотухин В. Е, Марончук И. Е, Марончук Ю. Е, Сушко Б. И, Якушева Н. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-689467-sposob-polucheniya-varizonnykh-struktur-s-p-n-perekhodom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения варизонных структур с p-n переходом</a>

Похожие патенты