Архив за 1999 год

Номер патента: 1445511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дятлов, Коняшкин, Потапов, Пьянков, Солдатенков

МПК: H02N 1/08

Метки: двигатель, электростатический

Электростатический двигатель, содержащий монолитные и гибкие электроды, разделенные зазорами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы двигателя за счет устранения накопления зарядов в промежутках между электродами, на монолитных электродах размещены диэлектрические выступы, вершины которых покрыты проводящими слоями, гальванически соединенными с гибкими электродами, при этом расстояние между выступами L удовлетворяет неравенствамI < L < 1,14 (D/P)1/4 d1/4, - изгибная жесткость гибкого электрода;h...

Номер патента: 1148264

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 4/00

Метки: акустооптических, материал, светозвукопроводов, устройств

Применение халькогенидного стекла Ge AS2 Te7 в качестве материала для светозвукопроводов акустооптических устройств.

Номер патента: 898914

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бурмакин, Степанов, Черей

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока на основе ортогерманата лития, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного электросопротивления, электролит содержит молибдат лития при следующем соотношении компонентов, мол.%:Li4GeO4 - 80 - 90Li2MoO4 - 10 - 20

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/24

Метки: многослойных, покрытий, проводящих, создания

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Номер патента: 1096913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: C03B 37/025

Метки: волновода, оптического

Способ изготовления оптического волновода путем ионной имплантации в кварцевое стекло и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения прозрачности оптического волновода в области 2,7 мкм за счет уничтожения центров захвата паров воды, отжиг проводят в условиях, исключающих контакт облученной поверхности стекла с парами воды и водорода, при температуре 623-673 К.

Номер патента: 345542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бурмакин, Родигина, Степанов

МПК: H01M 8/12

Метки: высокотемпературного, загущенного, топливного, электролита, элемента

1. Способ изготовления загущенного электролита для высокотемпературного топливного элемента, выполненного из расплава карбонатов щелочных металлов, путем пропитки указанным расплавом загустителя из окиси алюминия, двуокиси кремния и карбоната лития и последующей прокалки, измельчения и перемешивания со смесью карбонатов щелочных металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости и уменьшения потерь электролита при прокалке, перед пропиткой загуститель вначале нагревают до температуры 650oC, затем до температуры 750oC в течение 3-4 ч, после чего доводят температуру до 1000-1100oC и выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, а после...

Номер патента: 1151149

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: покрытий, полупроводниковых, проводящих, структурах

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах, включающий нанесение металла на структуру, формирование требуемой конфигурации металла, отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур путем предотвращения окисления металлизации, после нанесения металла на структуру проводят облучение структуры ионами бора дозой 5 1015-5 1018 ионов/см-2, энергией 0,5-250 кэВ, а отжиг проводят при температуре 1100-1400 К, в течение 15-60 мин или путем обработки СВЧ излучением с основной...

Номер патента: 816327

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая, Фомин

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, селективного, структур, травления

Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном воздействии на структуру лазерным излучением мощностью оптического излучения 1-100 вт/см2 с энергией фотонов, по крайней мере на 0,1 эВ большей ширины запрещенной зоны полупроводника.

Номер патента: 1393098

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов, содержащее высокочастотный генератор, первый выход которого подключен к первому входу первого перемножителя, выход которого соединен с первым входом первого синхронного детектора и первым входом выходного блока, первый выход которого подключен к первой клемме для подключения исследуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с входами повторителя и первого переключателя и выходом блока компенсации, выход которого подключен к второму выходу выходного блока, второй вход которого соединен с первым выходом низкочастотного генератора, блок смещения, первый выход которого подключен через развязывающий...

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Номер патента: 871685

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кислородом, кремния, легированного, поликристаллического, травитель

Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%:Плавиковая кислота - 0,75 - 10Дифторид ксенона - 0,05 - 1,0Вода - 89,0 - 99,2

Номер патента: 753313

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Марончук

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонных, параметров, структур

1. Способ определения параметров варизонных структур, основанный на измерении зависимости интенсивности фотолюминесценции от энергии квантов в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения экспрессности контроля параметров по площади варизонных структур с шириной запрещенной зоны, возрастающей от поверхности к указанной подложке, измеряют зависимость интенсивности фотолюминесценции в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения подложки и дифференциальных изменений интенсивности фотолюминесценции при модуляции длины волны возбуждающего излучения, от энергии возбуждающих квантов.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1101078

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/00

Метки: матрица, фотоприемников

Матрица фотоприемников, состоящая из диэлектрической подложки в расположенных на ней фоточувствительных элементов из монокристаллического полупроводникового материала, содержащих фотоприемную и приконтактную области, отличающийся тем, что, с целью увеличения обнаружительной способности, фоточувствительные элементы выполнены переменными по толщине, при этом толщина фотоприемной области в 3 - 10 раз меньше толщины приконтактной области.

Номер патента: 1626996

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования...

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Ободников, Юрков

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, поликристаллического, слоя

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Номер патента: 1570561

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Добровольский, Небрат, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, включающее высокочастотный генератор, выход которого подключен к первым входам первого и второго синхронных детекторов и к первому входу первого сумматора, выход которого через первый регулируемый усилитель и второй фильтр соединен с первым входом второго сумматора, второй вход которого соединен с блоком смещения, выход которого соединен с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, первый выход второго сумматора соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры и через первый фильтр с вторым входом первого синхронного детектора, выход которого соединен с второй выходной клеммой,...

Номер патента: 1333167

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бурмакин, Крякунов, Степанов, Шехтман

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока, содержащий оксид галлия, диоксид титана и оксид щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения, в качестве щелочного металла взят цезий при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид галлия - 15-50Диоксид титана - 5-30Оксид цезия - Остальное

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Номер патента: 701431

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатора, электролюминесцентного

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора, включающий выращивание p-n-структуры, разрезание ее на полосы, укладку полос с заполнением промежутков диэлектриком и разрезание полученного монолита на пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения КПД и рассеиваемой мощности, при укладке полосы соединяют с металлической фольгой, после чего фольгу гофрируют в состоянии с конструкцией индикатора.

Номер патента: 1009242

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зайцева, Лисовенко, Марончук, Соловьев, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, арсенида, галлия

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.

Номер патента: 1218883

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Семенов, Шелопут

МПК: H01S 3/10

Метки: акустооптических, лазеров, материал, мод, светозвукопровода, синхронизаторов

Применение стекла 43SiO2 25BaO 4PbO 10B2O3 7ZnO 9CaO 2Al2O3 в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.

Номер патента: 906304

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: внедрения, ионного, кристаллические, подложки

Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 1336766

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Авдиенко, Дауркин, Зубринов, Семенов, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптических, внутрирезонаторных, излучением, лазеров, материал, светозвукопроводов, устройств

Применение стекла Ge11Sb11SniSe65 в качестве материала для светозвукопроводов внутрирезонаторных акустооптических устройств управления излучения SO2 - лазеров.

Номер патента: 1220512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/268

Метки: индиевых, столбов

Способ обработки индиевых столбов, включающий оплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности контактов, столб подвергают многократному расплавлению импульсным лазерным излучением и последующей рекристаллизации, при этом плотность мощности излучения распределена радиально симметрично и имеет кольцевую структуру, причем K1<d<r<sub>o, где d - половина диагонали индиевого столба, rо - внешний радиус лазерного пучка превышает d на 10-20%, r4 - внутренний радиус лазерного пучка, который составляет 30-70% от d, а частота следования импульсов составляет 20-25 Гц.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 1402212

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дауркин, Зубринов, Семенов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01S 3/117

Метки: акустооптический, лазеров, мод, синхронизатор

Акустооптический синхронизатор мод лазеров, включающий светозвукопровод и закрепленные на нем пьезопреобразователь и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабилльности параметров генерируемых импульсов, светозвукопровод в направлении распространения звука выполнен длинойгде V - скорость звука в материале светозвукопровода;Qo - акустическая добротность светозвукопровода;f - рабочая частота синхронизатора;P - допустимое отклонение дифракционной эффективности синхронизатора в процентах.

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 1734467

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Винников

МПК: G01P 15/08

Метки: акселерометр

1. Акселерометр, включающий преобразователь, выполненный на основе чувствительного элемента с подвижным электродом - инерционной массой и электретом, расположенным между подвижным и неподвижным электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и улучшения помехозащищенности за счет снижения поперечной чувствительности, преобразователь выполнен в виде пакета расположенных друг под другом чувствительных элементов, при этом электроды разделены прокладками и выполнены в виде пластин, состоящих из скрепленных между собой слоев электропроводного и электретного материалов.2. Акселерометр по п.1, отличающийся тем, что инерционная масса и упругие элементы в подвижном...