Архив за 1999 год

Номер патента: 1292581

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Каренина, Лесунова, Пальгуев

МПК: H01M 4/64

Метки: инертный, источника, материал, химического, электродный

Инертный электродный материал для химического источника тока, содержащий нитрид лантана, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной электропроводности, он дополнительно содержит нитрид кальция при следующем соотношении компонентов, мол.%:Нитрид лантана - 97,0 - 99,0Нитрид кальция - 1,0 - 3,0

Номер патента: 1646390

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 786720

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/368

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабатываемую поверхность.

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.

Номер патента: 1179774

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лесунова, Пальгуев

МПК: G01N 27/417

Метки: азота, концентрации

Способ определения концентрации азота с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом путем измерения ЭДС, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и повышения экспрессности, на оба электрода ячейки подают газ сравнения, содержание азота в котором составляет 102-105 Па, а кислорода не превышает 10-16-10-20 Па, нагревают до температуры 1100-1400oC, затем на измерительный электрод подают исследуемый газ.

Номер патента: 1124834

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лесунова, Пальгуев

МПК: H01M 6/20

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока, содержащий нитрид алюминия и нитрид металла второй группы, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной электропроводности, в качестве металла второй группы взят кальций при следующем соотношении компонентов, мол.%:Нитрид алюминия - 99,0-99,9Нитрид кальция - 0,1-1,0

Номер патента: 1028006

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Ножкина, Чанышева

МПК: C01G 13/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, ртути

Способ очистки дийодида ртути, включающий его многократную сублимацию в вакуумированной ампуле при наличии градиента температуры между зоной испарения и зоной конденсации, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты материала и упрощения процесса, перед сублимацией осуществляют проплавку дийодида ртути в атмосфере инертного газа при температуре выше температуры плавления не более чем на 50oC, а сублимацию ведут трех-четырех при температуре в зоне конденсации 90-110oC.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1075880

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аликин, Бурмакин

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердого, химического, электролита

1. Способ изготовления твердого электролита для химического источника тока путем высокотемпературного спекания смеси исходных компонентов, включающих соединения лития, кремния, хрома и молибдена, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и снижения удельного электросопротивления электролита, в качестве исходных соединений берут Li2CO3, ЭO2, LixЭ1O4, где Э - кремний, германий или титан; X = 2 или 3; Э1 - фосфор, ванадий, мышьяк, сера, хром, селен молибден или вольфрам, а процесс спекания смеси исходных компонентов проводят в три стадии: первую стадию при 740 - 760oC в течение 5 - 6 ч, вторую - при...

Номер патента: 1752133

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/306

Метки: n+-nили, p-n-типа, кремниевых, локального, полирующего, растворения, структур

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d2, где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg...

Номер патента: 1426252

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Добровольский, Усик, Фарносов

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках по авт.св.N 689423, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, освещают полупроводниковый образец со стороны прозрачного электрода немодулированным световым потоком с интенсивностью, равной сумме средних интенсивностей обоих модулированных световых потоков, и измеряют переменное напряжение фотоЭДС на тех же частотах, а при определении профиля концентрации примеси по переменному напряжению фотоЭДС из переменного напряжения фотоЭДС, измеренного при освещении образца модулированным световым потоком, вычитают переменное напряжение фотоЭДС, измеренное при освещении немодулированным световым потоком.2. Устройство...

Номер патента: 1304333

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Зубринов, Куценко, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/32

Метки: светозвукопроводов, стекло

Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, J, отличающееся тем, что, с целью увеличения акустооптической добротности, оно дополнительно содержит Hg при следующем соотношении ингредиентов, ат.%:Sb - 36 - 40O - 55 - 59J - 1 - 8Hg - 1 - 7

Номер патента: 1545821

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гудов, Комаров, Красников, Серый, Черепанов

МПК: G21G 4/00

Метки: препаратов, радионуклидных, редкоземельных, элементов

1. Способ получения радионуклидных препаратов редкоземельных элементов (РЗЭ), включающий изготовление мишени прессованием при комнатной температуре смеси оксида РЗЭ и наполнителя, облучение мишени в ядерном реакторе и выделение радионуклидов из облученной мишени, отличающийся тем, что, с целью упрощения и ускорения процесса, в качестве наполнителя используют диоксид кремния и силикат натрия в массовом соотношении этого диоксида кремния и диоксида кремния в силикате 1 : (0,6 - 0,9), прессование мишени проводят при давлении (2,8 - 3,2) 108 Па, а выделение радионуклидов из облученной мишени проводят кислотным...

Номер патента: 1485840

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Батенков, Блинов, Смирнов

МПК: G01T 1/28

Метки: деления, осколков, регистрации

Способ регистрации осколков деления, включающий бомбардировку тонкой фольги осколками, транспортировку -электронов и их регистрацию при помощи сборки микроканальных пластин, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа и повышения точности измерений путем полной регистрации актов деления радиоактивного нуклида, делящееся вещество наносят на подложку, являющуюся эмиттером электронов, транспортируют электроны эмиссии электростатическим полем, подают между входной сеткой сборки и поверхностью первой микроканальной пластины тормозящее электрическое поле напряженностью 15 - 17 кВ/см и определяют,...

Номер патента: 613607

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Веселков, Гафуров, Пирогов

МПК: E21B 43/16, E21B 43/38

Метки: добычи, нефти, обводненной

Способ добычи обводненной нефти путем подачи на прием насоса эмульсии нефть в воде, образованной в скважине с использованием реагента, отличающийся тем, что, с целью повышения его эффективности за счет уменьшения вязкости нефти, эмульсию нефть в воде образуют путем разделения потока обводненной нефти на два потока нефти и воды и реагент подают в воду с последующим смешением потоков.

Номер патента: 1603562

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Березкин, Казанкин, Калечиц, Орлов, Соломатин

МПК: B01D 53/66

Метки: газов, озона

Способ очистки газов от озона на катализаторе, состоящем из платины или палладия на активной окиси алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени очистки газа, процесс ведут при температуре от -95 до -130oС и объемной скорости газа 9000 - 30000 ч-1.

Номер патента: 1603703

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Заманский, Попик, Румянцев, Тихонова

МПК: C01G 55/00

Метки: азотнокислых, извлечения, палладия, растворов

Способ извлечения палладия из азотнокислых растворов, включающий его осаждение органическим соединением и отделение образовавшегося осадка, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса за счет сокращения числа технологических операций, а также повышения полноты извлечения, в качестве органического осадителя используют полимерную винилпикалиновую кислоту ПВПК и процесс ведут из растворов, содержащих 0,5 - 5,0 М азотной кислоты, при массовом соотношении ПВПК : Pd = 3,0 - 6,5 : 1.

Номер патента: 1491210

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Зубринов, Семенов, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: акустооптический, мод, синхронизатор

Акустооптический синхронизатор мод лазера, состоящий из светозвукопровода и закрепленного на нем пьезопреобразователя, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности и уменьшения мощности управляющего сигнала, светозвукопровод выполнен из монокристалла парателлурита, повернутого на 50 2o от оси [110] среза в плоскости [110], [001], а пьезопреобразователь закреплен на плоскости, перпендикулярной оси, повернутой на 50 2o от оси [110] в плоскости [110], [001].

Номер патента: 1549324

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Антипов, Бабаина, Балуев, Митяхина, Рогозев

МПК: G01N 24/00

Метки: гамма-излучения, детектор, европии-151, мессбауэровского, резонанса

Детектор мессбауэровского гамма-излучения для резонанса на европии-151 на основе сцинтилляционного вещества, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности и разрешающей способности, в сцинтилляционное вещество введен конвертор в виде двойного фосфата европия - лития состава Li151Eu(PO3)4.

Номер патента: 1709655

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Глумов, Кузин, Неуймин, Пальгуев

МПК: B22F 7/04

Метки: керамику, металлических, нанесения, покрытий

1. Способ нанесения металлических покрытий на изделия из керамики припеканием механической смеси из металлического порошка и связки к поверхности подложки в атмосфере водорода, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры припекания порошка к основе, процесс осуществляется сначала в атмосфере сероводорода до образования и последующего расплавления сульфидов, а затем в атмосфере водорода до полного их восстановления.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве связки используют порошок твердого раствора на основе двуокиси церия.

Номер патента: 1373160

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Кожевников, Цеймах, Шойхет

МПК: G01N 33/48

Метки: диагностики, дифференциальной, легких, нагноительных, процессов, рака, туберкулеза

Способ дифференциальной диагностики рака, нагноительных процессов и туберкулеза легких путем рентгенологического и цитологического исследования, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, дополнительно определяют комплексную относительную диэлектрическую проницаемость и проводимость плазмы, тромбоцитов и эритроцитов крови в полях тока сверхвысокой частоты и при значениях комплексной относительной диэлектрической проницаемости плазмы крови 45,90 - 48,87, тромбоцитов 41,24 - 44,63, эритроцитов 44,20 - 45,90 отн.ед. и проводимости плазмы - 15,23 - 20,18, тромбоцитов - 8,38 - 12,18, эритроцитов - 7,18 - 12,88 См диагностируют рак легких, при значениях комплексной относительной...

Номер патента: 1551133

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бакирова, Высокоостровская, Егоров, Ергожин, Зыков, Мухитдинова, Тастанов

МПК: G21F 9/12

Метки: азотнокислых, радиойода, растворов

Способ очистки азотнокислых растворов от радиойода, включающий фильтрацию раствора через сорбент с анионообменными группами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки растворов с концентрацией азотной кислоты 1 - 3 моль/л, в качестве сорбента используют вещество, содержащее дополнительно анионит с функциональными группами, создающими в фазе сорбента окислительно-восстановительный потенциал-редокспотенциал - 735 - 740 мВ, причем фильтрацию раствора осуществляют при температуре 24 - 40oC.

Номер патента: 616889

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Власов, Орлова, Усов, Хижняк

МПК: H01J 25/00

Метки: мазер, резонансе, циклотронном

Мазер на циклотронном резонансе, содержащий волновод кругового сечения с излучателем, выполненным в виде ступенчатого среза его со стороны торца, рефлектор в виде параболического цилиндра, установленное на пути волнового пучка, формируемого им, окно вывода энергии и коллектор, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности, в него введен дополнительный рефлектор с конической отражающей поверхностью, обращенной к излучению, образующая которой в плоскости продольного сечения узла наклонена к оси волновода, причем рефлектор в виде параболического цилиндра установлен на пути излучения, отраженного дополнительным рефлектором.

Номер патента: 1494493

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гаврилов, Исупов, Москалев

МПК: C07F 9/11

Метки: йода, радиоактивного, трибутилфосфата

Способ очистки трибутилфосфата от радиоактивного йода путем обработки его раствором азотной кислоты с последующим удалением йода, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки трибутилфосфата, упрощения процесса и улучшения условий труда, используют азотную кислоту концентрацией 6 - 12 мол/л и удаление йода ведут отдувкой током воздуха.

Номер патента: 1662127

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Лубышев, Мигаль

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, нагрева, подложек

Устройство для нагрева подложек в вакууме преимущественно к установкам молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащее корпус с размещенными в нем нагревателем и держателем подложек, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения однородности температурного профиля на подложках, нагреватель снабжен тепловыравнивающими пластинами из пиролитического нитрида бора и размещен между ними, при этом плоскости спайности пластин параллельны нагревателю, а толщина каждой пластины менее 4 мм.