Архив за 1999 год

Номер патента: 1163597

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Семенов, Терещенко, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/102

Метки: звукопроводов, стекло

Стекло для звукопроводов, включающее SiO2, PbO, K2O, отличающееся тем, что, с целью снижения акустических потерь в диапазоне частот до 200 МГц и получения линейной зависимости этих потерь от частоты, оно дополнительно содержит BaO и CdO при следующем соотношении компонентов, мас.%:SiO2 - 35-50PbO - 15-45K2O - 3,5-4,5BaO - 10-25CdO - 5,5-6,5

Номер патента: 1342348

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Долгополов, Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/22

Метки: пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, соединения

Способ соединения пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов, включающий напыление металлических соединительных слоев на соединяемые поверхности, приведение их в соприкосновение и выдержку под давлением в вакууме, отличающийся тем, что, с целью расширения номенклатуры материалов соединительных слоев за счет легко окисляющихся металлов и сплавов, напыление соединительных слоев и приведение в соприкосновение соединяемых поверхностей проводят в потоке металлического пара, направленного параллельно соединяемым поверхностям, причем сечение потока превышает первоначальный зазор между соединяемыми поверхностями.

Номер патента: 1344157

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Болдырев, Ильинов

МПК: H01L 31/0203

Метки: фотоприемное

Фотоприемное устройство, содержащее внешний корпус с защитным окном-фильтром, внутренний корпус с термокомпенсатором, на котором закреплены фотоприемники первого спектрального диапазона, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него дополнительно введены фотоприемники второго спектрального диапазона, расположенные перед фильтром, а приемники первого спектрального диапазона, закрепленные на термокомпенсаторе, установлены на внешнем корпусе.

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 915668

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: варианты, его, структур, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа AIIIBV жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношениюV=Vт/K(T0+5+30),где V - скорость изменения соотношения концентрацией...

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Дроздов, Носков, Сухих, Цейтлин

МПК: H01L 21/26

Метки: двуокиси, диэлектрических, кремния, низкотемпературных, пленок

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 1526514

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: кремнии, примесей, профиля, распределения

Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, пленок, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 711947

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Корчков, Михайловский, Черепов

МПК: H01L 21/24

Метки: диодов, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 105-107 В/см и плотности тока 106-107 А/см2.

Номер патента: 1112913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: G03F 7/26

Метки: подложке, стеклянной, фотошаблона

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Номер патента: 651556

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: C03C 3/12, C03C 3/32

Метки: светозвукопровода, стекло

Стекло для светозвукопроводов, включающее Sb, O, J, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента показателя преломления и температурного коэффициента скорости ультразвука, оно дополнительно содержит AS при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 33-40О - 54-60J - 1-5AS - 1-2

Номер патента: 651558

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Цитровский, Шелопут

МПК: C03C 3/253, C03C 3/32

Метки: светозвукопроводов, стекло

Стекло для светозвукопроводов, включающее О, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента скорости ультразвука, оно дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов, ат.%:О - 65-66Ge - 18-20Bi - 15-18

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 919540

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: селективных, структур, эпитаксиальных

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 5 10-3 - 10-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношенияV=D/L,где V - скорость перемещения подложки, мкм/с;D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см2/с;L - линейный размер периода...

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Номер патента: 971041

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая, Спектор

МПК: H01L 21/66

Метки: p-n-структур, электролюминесцентных

Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур, включающий измерение интенсивности электролюминесцентного излучения со стороны эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего контроля толщины p-n-областей электролюминесцентной структуры, дополнительно измеряют интенсивность электролюминесцентного излучения со стороны подложки и по отношению определяют толщину p-n-областей.

Номер патента: 833601

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Куценко, Семенов, Туряница, Цитровский, Шелопут

МПК: C03C 3/253, C03C 3/32

Метки: светозвукопровода, стекло

Стекло для светозвукопровода, включающий Pb, O, Bi, отличающееся тем, что, с целью повышения коэффициента акустооптической добротности и показателя преломления, оно дополнительно содержит Ge при следующем соотношении компонентов, ат.%:Pb - 6-19О - 56-62Bi - 8-16Ge - 16-20

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Номер патента: 1530020

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кантер, Федоров

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, подложек

Устройство для крепления подложек, содержащее основание и установленные на нем держатели в виде пружинной скобы с изогнутыми концами в плоскости держателя, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, концы держателя выполнены с дополнительным изгибом в плоскости, размещенной под углом к плоскости держателей.

Номер патента: 780742

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.

Номер патента: 1021317

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аликин, Бурмакин, Степанов

МПК: H01M 6/18

Метки: источника, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока, содержащий ортованадат лития и литиевую соль ортокислоты элемента четвертой группы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения удельного электросопротивления, в качестве литиевой соли взят ортогерманат лития при следующем соотношении компонентов, мол.%:Ортогерманат лития - 65 - 80Ортованадат лития - 20 - 35

Номер патента: 1353124

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Добровольский, Севастьянов, Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого...

Номер патента: 1471900

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемой пленки, определяют напряжение Uо, соответствующее началу скачкообразного возрастания тока, и рассчитывают толщину d исследуемой окисной пленки по формуле d = Uо/Еd, где Еd - дифференциальный напряженность электрического поля исследуемой окисной пленки.

Номер патента: 1119535

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Астахов, Герасименко, Ивахнишин

МПК: H01L 21/302

Метки: использования, образцов, структуры, твердых, тел

Способ изготовления образцов для исследования структуры твердых тел, включающий формирование границ раздела между разными участками структуры и последующее утонение образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления образцов, перед утонением на поверхности исследуемого тела создают ряд выступов прямоугольного или трапецеидального поперечного сечения, на боковых гранях которых формируют границы раздела.

Номер патента: 1119553

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Калухов, Чикичев

МПК: H01L 29/40

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-8 10 см-3.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1292575

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Зубринов, Семенов, Туряница, Шелопут

МПК: H01S 3/10

Метки: акустооптических, лазеров, материал, мод, светозвукопровода, синхронизаторов

Применение стекла 67 SiO2 28 Pb 3 K2O 2 Na2O в качестве материала для светозвукопровода акустооптических синхронизаторов мод лазеров.