Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas algaas
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
3535042/25, 07.01.1983
Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР
Марончук Ю. Е, Якушева Н. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/208
Метки: algaas, гетеролазерных, основе, структур
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1091766-sposob-izgotovleniya-geterolazernykh-struktur-na-osnove-gaas-algaas.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas algaas</a>
Предыдущий патент: Способ легирования полупроводниковых соединений типа aiii bv
Следующий патент: Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках
Случайный патент: Гидравлический амортизатор