Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas algaas

Номер патента: 1091766

Авторы: Марончук, Якушева

Описание

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.

Заявка

3535042/25, 07.01.1983

Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР

Марончук Ю. Е, Якушева Н. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/208

Метки: algaas, гетеролазерных, основе, структур

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1091766-sposob-izgotovleniya-geterolazernykh-struktur-na-osnove-gaas-algaas.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas algaas</a>

Похожие патенты