Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv

Номер патента: 1602183

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава по авт. св. N 1543319, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации раствора-расплава, после первоначального определения момента начала кристаллизации в расплав элемента III группы вводят дополнительное количество соединения AIIIBV для образования насыщенного раствора-расплава при температуре начала кристаллизации раствора-расплава, повторно перемещают раствор-расплав по поверхности кристалла AIIIBV со скоростью , где Vx и V'x скорости перемещения раствора-расплава при первоначальном...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...

Номер патента: 1589173

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Воронов, Епифанов, Космына, Некрасов, Суздаль

МПК: G01N 25/04

Метки: выращивании, кристаллизации, кристаллов, начала, раствора-расплава

...фазового сдвига, коммутатор и блок синхронизации, реверсивный счетчик, схему сравнения изадающее устройство.Блок 4 управления содержит триггери согласующий блок.Блок 5 фиксации температуры содержит коммутатор, аналого-цифровойпреобразователь и регистр памяти.Блок б фиксации электросопротивлеиия содержит счетчик импульсов, схеМу сравнения, задающее устройство,блок синхронизации.20Блок 7 обработки информации со".держит вычислительное устройство тиПа "Электроника Д 3-28", входящее вуправляющую микросхему ВУМС.Блок 8 индикации содержит дисплей, у 5термопечатное устройство, схему звуковой сигнализации.Момент начала кристаллизации определяют следующим образом,При помощи блока 1 перемещений.измерительный электрод 3...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1496325

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;