Способ изготовления полупроводниковой структуры

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: полупроводниковая, структура

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Номер патента: 1010997

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Андреев, Сулима

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, повышенными, полупроводниковых, структурах, токами, утечки

...меньшей напряжения отсечки до величины большей напряжения отсечки.Ограничение Оп с Оц обеспечивает стабильность пленки анодного окисла в процессе электрохимического осаждения металла, так как,пленка 3 . 101099 направлении, при котором ток через -11-переход течет только в местах дефектов 4 с повышенной утечкой тока, Силовые линии тока показаны .штриховыми линиями. 5Приведем обозначения величин напряжений, используемых в описании: 0 - напряжение при анодном окислеЦнии 0 - напряжение при электрохиф. ммическом осажцении металла, 0-, напряжение пробоя-Ь-перехода, 0 напряжение отсечки-Ь-перехода.Напряжение Ц 1, прикладываемое к электродам 7 и 8, падает в основном на-Ь-переходе в местах, 15 свободных от утечек. Для того, чтобы не...

Номер патента: 1531678

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Елагина, Новикова, Роках

МПК: G01T 1/24

Метки: детектор, полупроводниковый, потоков, электронных

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ на основе сульфидов кадмия и свинца, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы детектора и увеличения удельной чувствительности и стойкости к радиации, он дополнительно содержит селенид кадмия и сульфат никеля при следующем соотношении компонентов, мас.CdS 15 25PbS 2 40CdSe 72 40NiSO4 1 15

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...