Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов

Описание

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с в течение импульса засветки 170 - 190 с от 20 3oC до максимальной мгновенной температуры структуры 340 - 380oC, а охлаждение проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с по окончании импульса засветки.

Заявка

4629694/25, 12.12.1988

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина

Сурма А. М, Асина С. С, Чернякин О. А, Ковешников С. В, Уверская Т. А, Абросимова В. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/26

Метки: быстровосстанавливающихся, диодов, силовых

Опубликовано: 10.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1595274-sposob-izgotovleniya-silovykh-bystrovosstanavlivayushhikhsya-diodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов</a>

Похожие патенты