Невядомский

Номер патента: 1531163

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Корниенко, Костюк, Кролевец, Невядомский, Омельченко, Сидоренко, Смирнов, Третьяк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, оперативного, памяти, устройства, хранением, энергонезависимым, ячейка

...1 оперативной памяти хранит логический "0", т.е. близкий к нулю потенциал, то ключевые транзисторы 3 и 5 закрыты, и практически все напряжение, приложенное к затвору МНОП- транзистора 4, падает в подложке на области пространственного заряда, и МНОП-транзистор 4 сохраняет свое исходное логическое состояние с низким, например 0,5 В, уровнем порогового напряжения.Ячейка осуществляет обратный пере- .вод информации из энергонезависимойпамяти в оперативную, т.е. производить обратную запись, Для этоговначале через адресный транзистор 2заряжают узел 7 хранения потенциаладо уровня, соответствующего хранениюлогической "1" ( - 5 В), и устанавливают на затворе МНОП-транзистора 4напряжение, величина которого находится внутри его межпороговой...

Номер патента: 1336110

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Голтвянский, Костюк, Невядомский, Сидоренко, Троценко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройства, электрорепрограммируемого

...выбранных с иомогцьюсоответствующих шин, переводя при этомвыбранные ячейки во второе логическое состояние, характеризующееся исходным индуцированным каналом запоминающих транзисторов, при помощи подачи на заданные программирующие шины запо. минающих транзисторов положительного напряжения относительно подложки (фиг. 3, кривая Б). Такое программирование означает избирательное стирание информации, записанной в виде первого логического состояния во всю матрицу. Например, для записи второго логического состояния в запоминающий транзистор ячейки 1 заземляют, например, шину 5, открывают с помощью шины 7 транзистор 2 и подают напряжение записи на шину 8. При этом запоминающий транзистор ячейки 1 приобретает второе логическое состояние,...

Номер патента: 1169021

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Кролевец, Невядомский, Стиканов, Чекалкин

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: записи, информации, мнсп-транзистор

...с энерОнезавнсимым хранением информа- Ц 1 И. 101 ь 0 изобрс:.ния является повышениеП 1,СНЦ)СТП э 1 ПИ 1 ИНфОРМЯЦИИ. НЯ ф 1,. 1 представлены зависимости тока иОка я МНОП-транзистора и н)С): - ни;шин информации 1 э нри фиксир )и - НЫХ З 1 ЯЧЕН 51 Х НЯГЭЯ 5 КЕНИЯ На ЗЯТ 600 И СТОК , ст И ТОКЯ В Ц.НИ СТОК стК )1 вяя 3 нри записи пнформацн 01,но и:1 вестнох у способу, кри Вя 0 - 01,131 х) предсгеехОх)м; на фиг. 2 - х ха лн)соба ЗЯПИ И 1 ПОРМЯЦИИ. ХЕ 10 060 ЗНЕ)1.,; К,", Л,н)Е " РОГ 50 1, 3111) Инан),г,- :35 зистор .), ток 5, 3 г 11,.: 4. и: 101 )д, Ож; 6:131 Ом ин кап.", г;,1 С, 1" );и) Об 01 и 11, неяе , к)111 м ОбПри записи информации одновременнос подачей управляющего напряжения назатвор 4 от устройства 1 (фиг. 2) в стоктранзистора 2...

Номер патента: 1117480

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Балмашов, Бук, Ковальчук, Кузнецов, Мысина, Невядомский, Павел, Смирнов, Файзуллин, Цыплаков

МПК: G01V 1/00

Метки: межскважинного, прозвучивания

...делителем напряжения, блок 11 фильтров, двухлучевой осциллограф 12 для визуального контроля и оптической регистрации, схему 13 синхронизации осциллографа и фоторегистратор 14.Излучатель (Фиг.2) и приемник (фиг.3) выполнены из двух преобразо" вателей, работающих в резонансном режиме на частотах б 00 и 1300 Гц. При этом выбор рабочих частот ограничен соотношением 10 30 где Р - сжимаемость, 1 - плотностьсреды и 1 - частота излучателя. Этиже отверстия служат и для вьпускапузырьков газа, образующихся при разряде.35На электрод 20 первого преобразователя надет электрод 21 второгопреобразователя с охранными жаростойкими изоляторами-трубками 22 и 23.Приемник (фиг,3) состоит из двух 40преобразователей, помещенных в емкость 24, заполненную...

Номер патента: 1015440

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Гусева, Исаева, Невядомский, Чекалкин

МПК: G11C 17/00

Метки: матричный, накопитель

...запоминающихтранзисторов, истоки запоминающихтранзисторов в каждой строке матрицы попарно объединены и соединеныс соответствуюцей коммутирующейшиной, затворы запоминаюцих транзисторов Каждого столбца Матрицысоединены с.соответствующей управляющей шиной, стоки адресных транзисторов смежных столбцов матрицыобъединены и соединены с соответствующей реэрядной шиной.На чертеже представлен матричный накопитель.Матричный накопнтель содержитМатрицу элементов памяти, каждыйиз Которых содержит адресный 1и запоминающий 2 МНОП-транзисторы,причем затворы адресных транзисторов соединены с соответствующими фадресными шинами 3, истоки соединены со стоками запоминающих транзисторов 2,.истоки запоминающих транзисторов 2 в каждой строке матрицыпопарно...

Номер патента: 834764

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гусева, Исаева, Куриленко, Невядомский, Яровой

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...МДПтранзисторы со встроенным каналом,стоки которых подключены к шине 4питания, Исток и затвор зарядноготранзистора 1 подключены к стоку первого разрядного транзистора 5 с индуцированным каналом и к затвору второго разрядного транзистора б с индуцированным каналом, Затвор транзистора 5 соединен с затвором третьегоразрядного транзистора 7 с индуцированным каналом и подключен к входу8, а исток его соединен с истокамиразрядных транзисторов б и 7, стокикоторых соответственно подключенык истокам и затворам зарядных транзисторов 2 и З.Сток разрядного транзистора б соединен с прямым выходом 9,а сток разрядного транзистора 7 - синверсным выходом 10 .Кроме этого, устройство включаетдва согласующих транзистора 11 и 12со встроенными каналами,...

Номер патента: 765873

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Исаева, Невядомский

МПК: G11C 7/10

Метки: записи-считывания, запоминающих, устройств, формирователь

...проводимостей транзистора 2 и МДПрезисторавозрастает,Вследствие этого через открытый транзистор 2 на затвор управляющего транзистора 3 поступает напряжение, достаточное дляего отпирания, Соотношение проводимостей. управляющего транзистора 3 и МДП-резистора 6 выбрано таким, что на шине выбранэю ной строки накопителя устанавливается напряжение + 5 В. Если одновременно на изолированную подложку подать напряжениестирания амплитудой - 30 В, то в ячейкахвыбранной строки происходит стирание ин 46формации. При работе формирователя наневыбранную строку иа словарную шину 9из дешифратора поступает напряжениелог. О.В этом случае коммутирующий транзистор 2 и транзистор 5 считывания закрыты,м а через МДП-резисторемкость затворауправляющего...

Номер патента: 649035

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Гусева, Куриленко, Невядомский, Опенько, Сидоренко, Яровой

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, программируемый, элемент

...подключен к шине записи, а сток его соединен со стоком второго МДП-транзистора, исток которого подключен к шине считывания, а затвор - к шине выборки и к затвору первого МДП-транзистора, причем МДП-транзисторы выполнены с индуцированным каналом, при записи применяется режим прямого туннелирования, а при стирании - лавинная инжекция 31.Однако этот элемент памяти имеет сложную систему адресации и управления, так как в режиме записи необходимо коммутировать высоковольтные сигналы, а в режиме считывания - низковольтные. Следствием этого является увеличение мощности, потребляемой элементом памяти в режиме6490353записи, и усложнение управляющей электроники.Целью изобретения является уменьшение мощности, потребляемой элементом памяти,...

Номер патента: 570920

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Кролевец, Невядомский

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, информации, перезаписью

...запрещая запись 1.В ЗУ в режиме записи шина 14 отключается от источника импульсного питания и заземляется, на вход 8 подаются тактовые импульсы 1 с периодом, превышающим длительность отрицательных импульсов записи на величину длительности тактового импульса. Одновременно с импульсами записи, подключаемыми к выбранной адресной шине 5 накопителя 3, на входы блока выборки в двоичном коде поступает записываемое чисчо. Если в столбец записывается 1, то транзистор 13 отпирается, на конденсаторе 18 устанавливается нулевой потенциал, транзистор 11 запирается и блок 10 запрета записи переводится в выключенное состояние, Узловой 25 30 35 40 45 50 55 60 65 конденсатор 16 после подачи на вход 8 так. тового импульса разряжается до потенциала...

Номер патента: 547419

Опубликовано: 25.02.1977

Авторы: Васариньш, Золднере, Невядомский

МПК: C04B 15/02

Метки: легкобетонная, смесь

...и вод Известна также легкобет включающая минеральное в товый гравий и воду 2.Недостатком известных легкобетонных смесей является неплотная структура пол чаемого бетона, что снижает его теплоте нические показатели.Цель изобретения - повышение плотнос и снижение объемного веса,газобетона пр понентов, вес ьное вяжущее овый гравий з гидрофобизир обетона сом 0,52 т/м 0,60 анцче547419 3 Песок из гидрофобизированного газобетонаВода Составитель А, Издебский Редактор Н. Данилович Техред М. Левицкая Корректор А. ГриценкоЗаказ 801/87 Тираж 7627 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 При таком составе смесь...

Номер патента: 519760

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Бублик, Дариевич, Кролевец, Невядомский, Орлов, Радугин, Сидоренко, Хцынский

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, информации, накопитель, перезаписью, полупостоянного, устройства, электрической

...информации, записанной в запоминающих МДПтранзисторах матрицы накопителя, осуществляется подачей положительных импульсов перезаписи по всем адресным шинам 2 строк накопителя.Для уменьшения напряженности электрического поля в областях сток - затвор, исток - затвор запоминающих транзисторов, их истоковые и стоковые области заземляются через транзисторы 5, 6 блокировки, на затворы которых по шине 4 подается напряжение логи- чекой 1 синхронно с импульсом стирания. При этом все запоминающие транзисторы выбранной строки накопителя одновременно устанавливаются в состояние логического О.Записывается информация избирательно, т. е. логическая 1 может быть записана в какой-либо транзистор выбранной строки без искажения информации и других...

Номер патента: 514799

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Алсин, Дубина, Лейманис, Максаров, Невядомский

МПК: B28B 11/24

Метки: камеры, коллектор, пропарочной

...камер ,содержащий трубы с соплами Лаваля,Однако в известном коллекторе располо жение коллектора вдоль продольных или поперечных стен ямной камеры уменьшает ее габариты и коэффициент заполнения и приводит к поломкам коллектора при подъеме и опускании форм с изделиями, Значительная часть энергии струй пара теряется иэ-за близко расположенных бортов форм, днища или крышки пропарочной камеры, так как большинство сопел Лаваля направлено на них; кроме того, невозможно создание расчетной эпюры распределения тепловой энергии по высоте камеры,Цель .изобретения - повышение эффективности теплопередачи по высоте. Для этого трубы коллектора установлены вертикально по углам камеры, а оплаЛаваля имеют переменное сечение.На фиг. 1 изображена...