Номер патента: 1501165

Авторы: Битнер, Буткевич, Деревягина, Лубсанов

ZIP архив

Текст

-24 нт У. Цельюшипение наПоставлен Бюп. Р 30 ститут а управлени оматиз го, что игается за сче ь д адиоэлек слои компостоящего из(57) Изобретенлительной техн ного материала, с оводниковой основ в ней металличес ЛЛ, Б РБ.Л уткевич,бсанов,РЬуз. енн их волокон,ости слояонного мате 2507, блик, 1976, 1970, т, 33 перп прич риал слоя ндикулярных к плос м слой из композиц положен на ерхности перв таллическо да, а на по- ионного лек ПА 1"ИТИ ие отн ике и У ти слоя из кампоала размещен слой нки. 2 ил. верхн матер иэлектрическ вычисбыть исит ож ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬПИЯПРИ ГНЧТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании интегральныхполупроводниковых ППЗУ.Цель изобретения - повышение надежности элемента памяти,На фиг. 1 приведена структураэлемента памяти; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика элементапамяти.,На поверхности слоя 1, состоящегиз композиционного материала с металлическими волокнами 2, расположен слой диэлектрической пленки 3с проформованными при изготовленииканалами повышенной проводимости(ПВ) 4. Элемент памяти включаетпервый и второй слои металлическихэлектродов 5.Элемент памяти работает следующимобразом,пользовано при созданииных полупроводниковых ППизобретения является подежности элемента памяти лемент памяти содер Для определенности рассмотрим случай, когда полупроводниковая основа в композиционном материале обладгет электронным типом проводимости. Для переключения в состояния с высоким сопротивлением (ВС) или ПВ к металлическим электродам прикладывается импульс напряжения с амплитудой соответственно 12 или 4 В и длительностью 10 фс, причем полярность верхнего электрода положительная. Считывание импульсом напряжения той же полярности амплитудой 1 В и длительностью 1 мкс. При подаче импульса напряжения обратной полярности в приповерхностной области полупроводниковой основы слояформируется обедненный основными носителями участок, на котором падает большая часть прикладываемого напряжения и переключения соответственнометром 16 мм. Поперечный размер волокон составляет в среднем 1 мкм,расстояние между ними 5 мкм. Формула изобретения Составитель С. Подорский М. Недолуженко Техред Л,Олийнык Корректор М. ПожЗаказ 4878/50 Тираж 558ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени113035, Москва, Ж, Раушска одпи ГКНТ м и открытия наб, д, 4/5 ронзводстненно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 10 3 1501165 не происходит. При прямой полярности - проводимость слоя композиционного материала определяется волокнами, удельное сопротивление которых мало (10 " Омсм) . Наличие выпрямляющих свойств элемента памяти позволяет использовать его в ЗУ без дополнительных элементов развязки. П р и м е р. Состав диэлектрического слоя - оксинитрид кремния, нанесенный методом ионно-реактивного распыления кремниевой мишени сформированным пучком ионов азота в рабо чем газе, содержащем 107. кислорода и 907. азота. Первый и второй слои металлических электродов формируются термическим напылением алюминия.Слой композиционного материала тол щиной 200 мкм состоит из кремниевой основы с электронным типом проводимости и волокон дисилицида ниобия, Композиционный материал формируется вытягиванием из расплава со скоростью 25 1,2 мм/мин эвтектического сплава состава Я-ИЬБ в виде стержня диаЭлемент памяти ППЗУ на основе тонкопленочной структуры металл - диэлектрик - металл, содержащий первый слой металлического электрода, слой диэлектрической пленки, на котором размещен второй спой металлического электрода, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повыше ния надежности элемента памяти, он содержит слой из композиционного материала, состоящего из полупроводниковой основы и расположенных в ней металлических волокон, перпендикулярных к плоскости слоя, причем слой из композиционного материала расположен на поверхности первого слоя металлического электрода, а на поверхности слоя из композиционного материала размещен слой диэлектрической пленки.

Смотреть

Заявка

4325445, 06.11.1987

ТОМСКИЙ ИНСТИТУТ АВТОМАТИЗИРОВАННЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

БИТНЕР ЛИЛИЯ РАЙНГОЛЬДОВНА, БУТКЕВИЧ ЛЕОНИД МИХАЙЛОВИЧ, ДЕРЕВЯГИНА ЛЮДМИЛА СЕРГЕЕВНА, ЛУБСАНОВ РИНЧИН БАЛДАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: памяти, ппзу, элемент

Опубликовано: 15.08.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1501165-ehlement-pamyati-ppzu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти ппзу</a>

Похожие патенты