Способ записи и хранения информации в бис зу на кмоп структурах

лительной технике и может быть использовано при создании и эксплуатации ЗУна КМОП-структурах, Цель изобретенияповышение надежности функционированияБИС ЗУ на КМОП-структурах эа счет устранения тиристорного эффекта. Поставленная цель достигается за счет того,что одновременно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентированперпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ, 2 ил,М. И.фо тухов ССР81.8-26,ьство/00,1, Бс РАНЕНИЯП-СТРУ ИНФ УРАХ МАЦ вычисси Способ реалройства (фиг.На корпусе 2епленным в немивают магниты эуется с помощью уст) следующим образом. с выводами 3 и эаккристалле 1 устанав, создающие магнитное и может быть исполь нии и эксплуатации ройств (ЗУ) на К-МО БИС тированного перпендикуля кости кристалла, действу ца, определяемая выражен о поверх- сила Лоренде и - эа С - скд эл ость трона; ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ЗАПИСИ И ХИИ В БИС ЗУ НА К-МО(57) Изобретение отно Изобретение относится к вычисл тельнои технике.зовано при создазапоминающих уст П структурах.Цель изобретения - повьпнение надежности функционирования БИС ЗУ на К-МОП-структурах за счет устранения "тиристорного эффекта и повьннение технологичности реализации способа.На фиг, 1 представлено устройство реализующее предлагаемый способ запи си и .хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах; на фиг. 2 - разрез и топология паразиткой тиристорной структуры.На фиг. 1 показаны кристалл 1 ЗУ, закрепленный в корпусе 2 с выводами З.,С обеих сторон корпуса расположены постоянные магниты 4. На фиг, 2 показаны шунтирующие резисторы 5 - 8, транзисторы 9 и 10, полупр водниковая подложка 11 п-типа, облас ти 12 пф-типа, области 12 п-типа, область 13 кармана. поле Р, вектор которого направлен перпендикулярно поверхности кристалла 1. При подаче напряжения питания на БИС ЗУ происходит ответвление тока, протекающего через параэитную тиристорную структуру, и явления тиристорньш эффектцне возникает.Способ записи и хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах заключается в том, что на основные носители зарядов, создающие электрический ток, в паразитной структуре приЕ - вектор магнитной индукции;Ч - вектор скорости неосновных носителей заряда.Под воздействием вектора силы Ло 5 енпа,. расположенного в плоскости кристалла, траектория основных носитедей заряда, генерируемых в области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной, Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена Г Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величи-. ны можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устраня тся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току транзисторов 9 и 10, страняется возможность достижения уммы коэффициентов усиления по току значения 1, при котором происходит включение паразитной тиристорной структуры.Ориентация вектора напряженности магнитного поля имеет большое значение так как при направлении вектораэперпендикулярно поверхности кристалла происходит отклонение неоснов 40 ных носителей заряда под действиемФсилыЛоренца Г) вправо, при обрат,ном направлении вектора напряженности Й - влево, При ориентации вектора ,напряженности магнитного поля парал:лельно поверхности кристалла отклонение неосновных носителей заряда будет происходить вглубь или к поверхности кристалла, что увеличит расстояние прохождения неосновных носителей, т,е. величины сопротивлений 5 и 6, Это отрицательно скажется на шунтирующих свойствах эмиттерных переходов, Таким образом, только перпендикулярная к поверхности ориентация вектора напряженности магнитного поля приводит к достижению поставленной цели.Предположим, что в области пространственного заряда обратно смещенного коллекторного перехода произошла генерация пар носителей электрического тока. Под воздействием приложенного к БИС ЗУ напряжения питания, создающего электрическое поле в структуре, произойдет их разделение и дырочная составляющая генерируемого тока направится в сторону контакта подвода потенциала земли в области кармана ртипа, а электронная составляющая - в сторону контакта подвода потенциала питания в области подложки п-типа, Под воздействием силы Лоренца, возникающей за счет приложения магнитного поля, произойдет отклонение вектора скорости носителей зарядов от прямолинейного направления (см. фиг. 2). Это устранит возникновение падения напряжения на шунтирующих резисторах 5 и 6 и исключит явление "тиристорного эффекта". Формула изобретенияСпособ записи и хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах, заключающийся в подаче напряжения питания на кристалл БИС ЗУ, о т л и ч аю щ и й с .я тем, что, с целью повышения надежности функционирования, одновремепно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентирован перпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ..г оставитель Л,Амусьев Редактор Е.Копча Техред Л,Олийнык Коррект абаций аказ 7748 4 дж 558 Подписно ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Иосква, М, Раушская наб., д. 4 /5