Способ обращения к энергонезависимому запоминающему устройству на основе мдп-транзисторов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИК А 1 11/40 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМ ТЕЛЬСТ Микроэлес. 491. с е щислик работ ия уев ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГННТ СССР(71) Физический институт им. П.Лебеде ва и Башкирский государственный университет им. 40-летия Октября (72) В.Н.Селезнев, Р.Г.Сагитов и Н.И.Хцынский(54) СПОСОБ ОБРАЦЕНИЯ К ЭНЕРГОНЕЗАСИМОМУ ЗАПОМИНАЮЦЕМУ УСТРОЙСТВУ НАОСНОВЕ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Изобретение относится к вь тельной технике, в частности е запоминающих устройств с сохранением информации при отключении питанЦелью изобретения является повышение надежности и увеличение времени хранения информации.При считьвании информации формир ют опорное напряжение считывания, отличающееся от минимального (максимального) значения порогового напряжения запоминающих транзисторов на минимальную величину. Тем самым автоматически компенсируется сдвиг межпороговой эоны запоминающих 1 ЩП-транзисторов в зависимости от технологии или в процессе эксплуатации. При использовании изобретения достигается также увеличение радиационной стойкости запоминающего устройства.(57) Изобретение относится к вычисли-;тельной технике, в частности, к запоминающим устройствам, сохраняющиминформацию при отключении питания.Целью изобретения является повышениенадежности и увеличение времени хранения информации. Это достигается тем,что при считывании информации формируют опорное напряжение считьвания,отличающееся от минимального (максимального) значения порогового напряжения запоминающих транзисторов на минимальную величину. Тем самым автоматически компенсируется сдвиг межпорого"вой зоны запоминающих МДП-транзисторов в зависигюсти от технологии в процессе эксплуатации. П р и м е р. Для выбранного накопителя определяют величину разброса пороговых напряжений МДП-транзисторов в состоянии "1", для чего записывают в достаточно большое (больше 100) число МДП-трапзисторов информационную единицу и измеряют их пороговые напряжения. По полученному массиву данных, используя стандартные статистические модели, определяют величину Ч при заданной доверительной вероятности. Величины А, В, 10 и Б определяют, исходя из схемотехники и топологии накопителя и схем его обрамления. Значение 7 выбирается равным пороговому напряжению опорного МДП-транзистора. При записи - стирании информации на затворы опорных .и выбранных запоминающих ИДП-транзисторов подают напряжение ф (15-50)В.Заказ 223 Тираж 476 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 При считывании информации на затворывыбранных запоминающих ИДП-транзисто-ров подают напряжение Формула из о бр ет ения10Способ обрацения к энергонезависимому запоминаюцему устройству на основе МДП-транзисторов, заключающийся в том, что при записи и стирании информации на затворы МДП-транзисторов по дают напряжение, превышающее пороговые напряжения переключения МДП-транзисторов, при считывании - в сравнении порогового напряжения переключения МДП-транзисторов с опорным напря жением, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности.и увеличения времеви хранения информации, при записи информации на затворы части МДП-транэисторов энергонезависимого запоминающего устройства, используемых в качестве опорных, подают напряжение, превышающее пороговое напряжение при записи логической единицы, при считывании информации 0 на затворы информационных МДП-транзисторов воздействуют напряжением О, оп.ределяемьж выражением 0 = Уо + А(М+ВЕо/Й эгде 0 - пороговое напряжение опорного МДП-транзистора;Е - токовая чувствительностьусилителей считывания,8 - крутизна информационных МДПтранзисторов в линейной области,А : 1, если пороговое напряжениесоответствующее логическойединице, меньше пороговогонапряжения, соответствующегологическому нулю,А = -1, если выполняется обратноесоотношение,В = 1, если проводимость каналаМДП-транзистора, соответствующая логической единице, больше проводимости канала МДПтранзистора, соответствующей логическому нулюфВ = -1, если выполняется обратное соотношение,,У - величина разброса по запоминающему устройству порогового напряжения, соответствующего логической единице,а перед стиранием информации на затворы информационных МДП-транзисторов подают напряжение, превышающее пороговое напряжение при записи логическойединицы.