Динамическое полупроводниковое запоминающее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1439680
Автор: Савельев
Текст
(51)4 С 11 С 11/40 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54) ДИНАМИЧЕСКОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО(57) Изобретение относится к ьычислительной технике и может быть использовано в качестве оперативной па"мяти. Целью изобретения является пс 1,80143968 О Д 1 вьппение быстродействия устройстваУстройство содержит;егистр 1 адреса, мультиплексор 3, триггер 4 регенерации, счетчик 5 адреса регенерации,блок 6 местного управления, дешифратор 7 тактовых сигналов, блок 8 памяти, блок 11 синхронизации, реверсивный счетчик 12, денифратор 13 времени регенерации, генератор 14 сигна, лов "егенерации, В устрой тве обеспечивается асинхронньп режим регенерации, причем приоритет отдается режиму записи или чтения, если момент времени регенерации по другим адресам не является критическк, что позволя" ет повысить быстродействие устройства эа счет оптимального распределения времени Функционирования устройства между режимами регенерании и обращения по записи или чтению. 2 илеИзобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь 25 30 зовяцо в качестве оперативной памяти.Цель изобретения - повышение быстродействия устройства.На фиг,1 изображена функциоцяль"цая схема предлагаемого устройства;ца фиг.2 - функциональная схема блока синхронизации. 1 ОУстройство содержит (фиг.1) регистр 1 адреса, адресные входы 2,мультиплексор 3, триггер 4 регенерации, счетчик 5 адреса регенерации,блок 6 местного управления, дешифратор 7 тактовых сигналов, блок 8 памяти, информационные входы 9 и выхо"ды 10, блок 11 синхронизации, реверспвцый счетчик 12, дешифратор 13 времени регенерации, генератор 14 сигца" 20лов регенерации, вход 15 начальнойустановки и вход 1 6 обращения .Блок 11 синхронизации содержит(фиг,2) элемент Е 1 Е 17, элементы И 18и 19, элемент 20 задержки, элемент ИЛИ 21, триггер 22, элемент И 23и элементы ИЛИ 24 и 25.Блок 8 памяти может бмть построениз запоминающих элементов памяти,например, типа К 565 1 УБлок 6 местного управления можетбыть выполнен, например, аналогичносерийно выпускаемому модулю управления М" 2 К Ц 3.01 КЛЗ,Устройство работает следующим образом,Устройство работает в трехежимах: записи чтения и регенерации,Любое обращение к строке накопиталл блока 8 вызывает регенерацию о 40всех запоминающих элементах, подключенных при выборе строки к усилите"лям считьизания столбцов (не показаны)блока 8. Кроме того, в течение пернода регенерации необходимо провести 45циклы регенерации с целью предотвращения искажения или потери информации. Предлагаемое устройство позволяет оргацпзовать асинхронный режимрегенерации, отдавая приоритет режиму записи или считывания, если моментвремени регенерации по другим ядре.сам це является критическим, в пределах требований падежного хранения информации, 55Перед началом работы на вход 15(фиг 1) гоступает сигнал начальнойустановки, в результате чего триг"гер 22 (Фпг,2) устанавливается в "О",Блок 6 формирует сигналы в. борямикросхемы, режимов зяпн.и илп чтения, стробировацпя дешифраторя 7 и установки в "0" триггера 4,В случае, когда па счетчике 5 находится очередной адрес регенерации, на счетчике 12 находится число и (и - целое число) циклов регенерации, проведенных в течецие времени с начала текущего периода регенерации, за вычетом числа т (ш - целое число) обращений к блоку .8 в течение этого времени, т,е, число ца выходе, счетчика 12 равно =и-щ, так как на суммирующий вход счетчика 12 поступают сигналы разрешения регенерации, а ца вычитающий вход - сигнал разрешения обращения к блоку 8 соответственно с второго и первого выходов блока 11, 1.сли приходгт некоторый адрес на обращение, то он устанавливается на регистре 1, с выходов которого ца дешифратор 7 подаются управляющие потенциалы для считывания или записи информации, Одновременно поступает спгнал обращения па вход 16 блока 11, который устанавливает триггер 22 в единичное состояние. При этом, если содержимое счетчика 12 не является критическим, то на выходе дешифратсра 13 появляе".ся гпзкий потенциал, ксторый поступает на элемент ИЕ 17 и гя один и; входов элемента И 18, за сче чего выходной сигнал с генератора 14, пройдя элемент 20 задержки, не проходит через элемент И 18 и элемент 11 10, закрытый сигналом с выход триггера 22, и далее через элемен. пИ 25 - на второй выход блока 11 т,е. режим регенерации оказывается запрещенным, Поэтому второй синап с выода элемента 20 задержки поступает на второй гход элемента И 23 и проходит через первый выход блока 11 к блоку 6 и на вход счетчика 12. уменьшая на единицу число на его выходах, Этот же сигнал проходит на вход триггера 22 через элемент И 1 И 24, сбрасывая триггер 22 в нулевое "остояцпе, Элемент 20 задержки предотвращает переходные процессы при смене режимов прн асинхронном пояглеции сигналов обращения. Следующий сигнал с ", ецератора 14, если цет сигналя обрякения ца входе 16, постуцяе пере 3 алев мент И 19 и далее врез элемент31 ШИ 2. - и; Нт 1 рс ВЫХ д б.ОКа разрешая ре гелерц 1.1 о.В том случае, если есть сигнал обращения на входе 1 б и триггер 22 находится в ед 1 шичном состоянии, но момент регенерации достиг критического значения, то на выхое дешифратор 13 присутствует высокий потенцил, который заь-:ешает прохождение сиг 11 ала обращения через элемент И 23 и разрешает прохождение сигнала регенерации через элемент И 18. В случае отсутствия сигнала обращения и отсутствия критического значения времени регенерации управляющий сигнал ца разрешение регенерации проходит через элементы И 1 о и ИЛИ 25.Таким образом, в устройстве обеспечен приоритет режима обращения по записи или чтению, если момен-. зремени регенерации не является критическим, что позволяет повысить быстрою действие устройства за сче-: оптимального распределения времени его функ- ЦИОЦИРОВаНИЯ МЕЖДУ ЭТИМИ РЕКИММс,Формула изобретенияДинамическое полпроводниковое за-. поминающее устройство, содержащее блок памяти, регис:р адрес, мультиплексор, триггер регенерации, счетчик адреса регенерации, гене .атор сигналов регенерации, ;ешифртор тактовых сигналов и бло . местногс управления первый вьсход котсрогс по,",ключен к входу стробироваиия де 1 ифратора тактовых сигналов, выходы которого соединены с входами зыбора строки блока памяти, входы адресов строк которого подключены к.выходам мультиплексора, информационные гходы первой группы которого соединенш с разрядными выходами первой группы регистра адреса, разрядные выходы второй группы которого подключены к входам адресов столбцов блока памяти, вхоц записи-чтения ц вход выбора микросхемы которого соединены соответственнр с вторым и третьим выходами блока местного управления, четвертый выход к О Гт11 слс д ксек 1 х с ) л 1 , с т,ГГ кссв О гр гера ре 1 енерац 11, цнерсНЫйПРЯМой ВЬсХОДЫ КОТО 1 ОО С ОЕЛИиеш соответствеи о с;.ервым входом 5УПРав 1 Е)111 МУЛЬТИЗ.ЕК СО РЗС В ХОДОЫзапрета об;щения блока местного у 1 равления и вторым входом у 1;рвпениямультццлексо 1 а, с:Форсаионнье входы 1) второй 1 руцы котор 01 о 1:Одк.сючены кразрядным вьходам сче;чка адреса регенерац 1111, причем выходь третьейгруппы реги.тра адреса соединены с.информационньц.и входамц дешифраторатактовых сигналов, входы регистра адреса являютсл адресными входами устройства, 1 нфорационные гхсды и выхоДСс 1 бЛОК ПаМЯтИ ЯВЛЯЮТСЯ ИНФОР. ЦИОНными входами и выхо 1,ами устройства,о т л и ч а к. щ е е с я тем, что, сцелью повышенв быстродействия устройства, в него введены реверсивпый счетчик, блок синхронизации и дешифра.Ор времени регенерации, входы и вы ход которого подключены состветстве-.но к выходам реверсивного счетчика ик входу разрешения регенерацс 1 и блокасинхронизации, первый ьыход которогосое"1 цен с входом запуска Обращениябл.,к: местного управления и входомвычитания ;еверсив:Ого счетчика, входс уЫирое Тн:я 1,0 торого подкл 10 чеи к в торому выходу блока синхронизации,входу апуска регенерации блока местного управления, входу установки вст ри г г е ррегенерации , и счетномувходу с ч е тч цк а адреса регенерацииз х од сброс которого , вход начальнойустановки блок а синхронизации ив ход сброса регистра адреса обь един е ны и являю тс я входом начальной устан о в к и ус тр ой с тв а . входом обращенияк о торо го является вход обращения блок а синхронизации, т р е 1 ий выход 4 5 ро г о подключен к входу сброса р ев е рсив н о г О сч е тч ик а, выход генераторасигналов регенерации с о един зн с так товым входом блока синх ро ниэ ации, в х одсброса которого подключен к выходу 50 переполнения счетчика адреса р е г ен ерации ..1439680 орректор 3,1 ирняк р И.Дербак дписное ираж 5 комитета ССС ПИ Государственного о делам изобретений Москва, Ж, Рауш и открыти кая наб 035 изводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, Ул, 1 Г ектна аказ Ь 085/53ВНИИ Со Те итель Т.Зайцева Г 1.Ходанич
СмотретьЗаявка
4188089, 10.02.1987
МОСКОВСКИЙ ТЕКСТИЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Н. КОСЫГИНА
САВЕЛЬЕВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковое
Опубликовано: 23.11.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1439680-dinamicheskoe-poluprovodnikovoe-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Динамическое полупроводниковое запоминающее устройство</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковое оперативное запоминающее устройство с коррекцией информации
Следующий патент: Буферное запоминающее устройство
Случайный патент: Клещевой захват для кранов