Патенты с меткой «энергонезависимым»

Номер патента: 1161989

Опубликовано: 15.06.1985

Автор: Костюк

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, ее, информации, озу, памяти, хранением, энергонезависимым, ячейка

....памяти может быть применен любой изизвестных вариантов, используемыйв динамических, статических иликвазистатических ячейках памяти ОЗУ,вплоть до самого простого из них -ИДП-емкости. Необходимо только соблюсти следующее приближенное соотношение:Сз прс 1,1-2) В где С, - емкость затвора ИНОП-транзистора;С - емкость узла хранения поутенциала,"- напряжение программирования,Конструкция адресного формирователи, используемого как для записи,так и для считывания, может иметьили отдельные транзисторы записи исчитывания информации, или в простейшем случае один общий ИДП-транзистор, выполняющий обе функции,На фиг. 1 представлены ячейкипамяти по первому и второму вариантамф на фиг. 2 - то же, принциниальная электрическая схема на фиг. 3...

Номер патента: 1531163

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Корниенко, Костюк, Кролевец, Невядомский, Омельченко, Сидоренко, Смирнов, Третьяк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, оперативного, памяти, устройства, хранением, энергонезависимым, ячейка

...1 оперативной памяти хранит логический "0", т.е. близкий к нулю потенциал, то ключевые транзисторы 3 и 5 закрыты, и практически все напряжение, приложенное к затвору МНОП- транзистора 4, падает в подложке на области пространственного заряда, и МНОП-транзистор 4 сохраняет свое исходное логическое состояние с низким, например 0,5 В, уровнем порогового напряжения.Ячейка осуществляет обратный пере- .вод информации из энергонезависимойпамяти в оперативную, т.е. производить обратную запись, Для этоговначале через адресный транзистор 2заряжают узел 7 хранения потенциаладо уровня, соответствующего хранениюлогической "1" ( - 5 В), и устанавливают на затворе МНОП-транзистора 4напряжение, величина которого находится внутри его межпороговой...