Патенты с меткой «ппзу»
Элемент памяти ппзу
Номер патента: 1501165
Опубликовано: 15.08.1989
Авторы: Битнер, Буткевич, Деревягина, Лубсанов
МПК: G11C 11/40, G11C 17/00
...12 или 4 В и длительностью 10 фс, причем полярность верхнего электрода положительная. Считывание импульсом напряжения той же полярности амплитудой 1 В и длительностью 1 мкс. При подаче импульса напряжения обратной полярности в приповерхностной области полупроводниковой основы слояформируется обедненный основными носителями участок, на котором падает большая часть прикладываемого напряжения и переключения соответственнометром 16 мм. Поперечный размер волокон составляет в среднем 1 мкм,расстояние между ними 5 мкм. Формула изобретения Составитель С. Подорский М. Недолуженко Техред Л,Олийнык Корректор М. ПожЗаказ 4878/50 Тираж 558ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени113035, Москва, Ж, Раушска одпи ГКНТ м и открытия наб, д, 4/5...
Способ изготовления элемента памяти для ппзу
Номер патента: 1506481
Опубликовано: 07.09.1989
Авторы: Беккер, Заколдаев, Приходько, Щетинин
МПК: G11C 11/40
...концентрации кремния валюминиевой шине, Высаживание избыточного количества кремния происходит локально, главным образом на границах зерен слоя алюминия, в результате чего уменьшается сцепление междун ц зернами, что вызывает шелушецие пленки алюминия. Локальное высаживаниекремния на алюминиевых шинах ухудшает адгезию и теплоотвод, что уско ряет процесс "шелушения", локального увеличения электрического сопротивления алюминиевых шин, вследствие чего на пинах падает част напряже:л программирующего импульса, Ь 30 плавксй пепемычке элемента памятинапряжение становится меньше и, как резултат, элемент памяти .:. программируется, Поэтому при введении кремния в алюминий ца стадии изготсвле 1 4торезиста травлением металла,...