Ячейка памяти

Номер патента: 491998

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Аракчеева, Иванов, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...транзисторов 3 и 4 задается базовым током этих транзисторов через диод 13 и резистор 14. 11 ереключающие транзисторы р - п - р-типа 5 и 6 в этом режиме закрыты, так как закрыты эмиттеры двухэмиттерных транзисторов 1 и 2, подключенные к разрядным шинам 8 и 9, а падение напряжения на диоде 13 недостаточно для открывания переключающего транзистора, база которого подключена к коллектору насыщенного двухэмиттерного транзистора.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. В момент считывания потенциал на шине питания 10 увеличивается. Это ведет за собой увеличение потенциала на шине смещения 11, к которой подключены эмиттеры переключающих транзисторов 5 и 6, Транзистор 5 открывается, так как база его...

Номер патента: 1262721

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Березенко, Ильин, Калинин, Корягин

МПК: H03K 19/094

Метки: кмдп-транзисторах, логический, элемент

...транзисторов 3,5 и 9 подключены к второй входной шине 14 На входную шину 13 поступает логическая переменная " , на шину 14 - логическаяпеременная В, в узле 15 реализуетсяинверсия логической переменной А-А,в узле 16 - инверсия логической переменной В-ВЛогический элемент НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ (фиг.1) работает в соответствии с таблицей истинности (фиг.З),В таблице истинности низкому и высокому уровням сигналов соответствуют.логические "О" и "1" обозначения Йи 3 соответствуют состояниям транзисторов, когда они проводят ( П ) икогда закрыты (3). Во второй строкетаблицы истинности приведены подчиненные номера транзисторов, соответствующие фиг,1,При А = О и В = О уровень логического О на выходе Р устанавливается через проводящие транзисторы 7 и...

Номер патента: 1767535

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Верходанов, Гладких, Евтин, Латышев, Славнова, Эрмантраут

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...область каналатранзистора с переменным пороговым напряжением проводят по маске фоторезиста5 ионную имплантацию мышьяка 6 энергией 100 кэВ, дозой 0,06 мкКл/см до вытравливания отверстий, Затем после снятияфоторезиста и обработки пластин в полученных отверстиях выращивают туннельно-прозрачный диоксид кремния 7реакцией закиси азота с кремнием в РПДреакторе при 700 С, толщиной 18 А, в томже реакторе на всей поверхности пластинывыращивают слой нитрида кремния 8 при700 С, толщиной 600 А разложением тетрахлорида или дихлорсилана кремния в среде аммиака, После формированияконтактов напыляют алюминий 9 и методами фотолитографии формируют металлизированную разводку и затворы транзисторовсхемы, Затем по маске алюминия проводятионную имплантацию...

Номер патента: 699565

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Гаврилов, Милославский

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, линейка, магнитного, модуляцией, сопротивления, типа, ферритовая, элемент

...им пульсов тока чередующейся полярности.На фиг. 1 изображена временная диаграмма адресного и разрядного токов в режиме записи предложенным способом; на фиг. 2 изображен запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка, прошитый адресной и разрядными шинами.Предложенный способ записи был реализован в запоминающем устройстве объемом 256 чисел. В режиме записи адресный 15 ток в виде последовательности пачек импульсов чередующейся полярности (см. фиг. 1) формировался в адресной шине, прошитой через опросные отверстия ферритовой линейки. Одновременнопо разрядным шинам, прошитым через информационные отверстия ферритовой линейки, подавались разрядные токи той или иной полярности в зависимости от записываемой...

Номер патента: 1201852

Опубликовано: 30.12.1985

Автор: Герасимов

МПК: G06G 7/12

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...фазоимпульсных элемента 2 и 3, триггер4, пять масштабных резисторов 5-9,два управляемых ключа 10 и 11, трисглаживающих конденсатора 12-14,вторые информационные входы 15 и16 многоустойчивых фазоимпульсныхэлементов 2 и 3, управляющие входы17 и 18 многоустойчивых фазоимпульсных элементов 2 и 3, первый 19 ивторой 20 информационные выводыэлемента с управляемой проводимостью.Элемент с управляемой проводимостью работает следующим образом.Зависимость проводимостипред лагаемого двухполюсного элемента отуправляющего цифрового кода М ипропорциональной ему относительнойдлительности 6 широтно-модулированного сигнала имеет вид= К агссо 3 е й) = К ассор 9(1) где 0 = о/Т - относительная длительность ШИИ-сигнала, представляющего...