Оперативное запоминающее устройство

СОЮЗ СОВЕТСНИХ.СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 1 4 С 11 С 11/4 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ к А. е схемы тор дио Е УСТГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ. СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Валиев К.А., ОрликовскПолупрсзодниковые интегральпамяти на биполярных транзиструктурах. М.: Советское р1979, с. 115, рис.4.23.Там же, с. 118, рис.4.26(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено в микросхемах памяти, Целью изобретения является повышение устойчивости оперативного запоминающего устройства к кратковременному воздействию дестабилизирующих факторов. Поставленная цель достивается тем, что в устройство введен генератор 14 фототока, а в каждый элемент памяти - третий и четвертый нагрузочные резисторы 7, 8. При воздействии дестабилизирующих факторов включается генератор 14 фототока и поддерживает на резисторах 7, 8 перепад напряжений, необходимый для сохранения информации. 1 ил.3 150116Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании микросхемпамяти. 5Цель изобретения - повьппение устойчивости оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) к кратковременному воздействию дестабилизирующихфакторов (ДФ), не приводящему к не- Ообратимому изменению параметров тран"зисторов элементов памяти ОЗУ.На чертеже представлена электрическая схема ОЗУ.Предлагаемое ОЗУ содержит (элементы памяти) ЭП, состоящие из двухтранзисторов 1, 2, первого и второгонагрузочных резисторов 3 и 4, двухограничительных диодов 5 и 6, третьего и четвертого нагрузочных резисторови 8, адресную шину 9, шину10 хранения, разрядные шины 11 и 12,источник .13 тока хранения, генератор 14 фототока.Генераторы 15 и 16 фототока отражают суммарный ток р - и-переходовтранзисторов ЭП, возникающий из-завоздействия ДФ,ОЗУ работает следующим образом.В режиме хранения сопротивления нагрузок плеч ЭП опрецеляется резисторами 3 и 4, так как источник 13 задает через каждьй ЭП такой ток, что на резисторе 3 или 4 открытого плеча триггера ЭП падает напряжение.равное примерно 0,5 Ч , где Ч - падение напряжения на открытом диоде 5 и 6, В результате диод 5 или 6 открытого плеча триггера оказывается 4 О под таким же прямым напряжением0,5 Ч, так чпо через него ток практически не течет. Падение напряжения на нагрузке закрытого плеча триггера определяется током базы открытого транзистора 1 или 2. Этот ток в Я раз, где- коэффициент усиления транзистора по току, меньше токаего коллектора, поэтому и падение напряжения на резисторе 3 или 4 за 50 крытого плеча ЭП враз меньше, т.е.0,5 Ч"/ Я . В результате диод 5 или 6 закрытого плеча ЭП окажется под смещением, близким к нулевому, и ток через него также не протекает, Номиналы резисторов 7 и 8 более чем на порядок меньше номиналов резисторов 3 и 4, поэтому падением напряжения на них можно пренебречь. Таким образом, разность потенциалов коллекторов транзисторов 1 и 2 составитЧ= 0,5 Ч (1 - 1/р ): 0,5 ЧВ режиме выборки повьпдается потенциал адресной шины 9. В результате повышается и потенциал шины 10. Через первые эмиттеры транзисторов 1 и 2 ток перестает протекать. Ток записи или считывания протекает через второй эмиттер одного из транзисторов 1 и 2. При этом транзистор работает в квазинасьпценном режиме, т.е. его коллекторный переход оказывается под прямым смещением. Однако наличие ограничительных диодов 5 и б не позволяет достигнуть этому прямому смещению величины Ч, обеспечивая высокое быстродействие ЭП.Так как номинал резисторов 7 и 8 мал, то падение напряжения на них в режиме выборки (0,15-0,2 В) не оказывает существенного влияния на быстродействие ЭП из-за увеличения степени насьпцения открытого транзистора.При кратковременном воздействии на микросхему памяти ДФ обращение к ней запрещается, т.е. все ЭП находятся в режиме хранения. Воздействие ДФ вызывает генерацию заряда в р - ппереходах транзисторов и, следовательно, возникновение фототоков, которые отражены генераторами 15 и 16Величина этих токов может быть значительно больше величины тока хранения:ЭП (более чем в 2 раза).Фототоки возникают независимо от состояния ЭП одновременно в обоих его плечах, вызывая увеличение падений напряжения на резисторах 3 и 4 по тех пор, пока не откроются диоды 5, б.Дифференциальные сопротивления открытых диодов 5, 6 малы, поэтому небольшой ток хранения, задаваемый источником 13 тока, не в состоянии обеспечить на диодах 5 и 6 перепад напряжений, достаточный для сохранения информации. Резисторы 7 и 8 обеспечивают увеличение дифференциального сопротивления нагрузки, так как они включены последовательно с диодами 5 и б. Однако только увеличения сопротивления нагрузок ЭП недостаточно для сохранения в нем информации, так как по-прежнему мал ток хранения. Для того, чтобы ЭП сохра1161.6Устройство переходит к работе в обычных режимах. б 150 нил записанную в нем информацию, при воздействии ДФ включается генератор 14 фототока, который может быть выполнен, например, на фототранзисторе. Ток генератора 14 должен быть , больше токов генераторов 15 и 16 весь ЭП. В результате на резисторе 7 или 8 открытого плеча триггера ЭП падение напряжения больше на величи- ну Формула изобретения Оперативное запоминающее устройство, содержащее источник тока хранения, элементы памяти, каждьп из О которых состоит из двух транзисторов, двух нагрузочных резисторов,двух ограничительных диодов, анодыкоторых и первые выводы нагрузочныхрейиСторов подключены к адресной Б шине устройства, вторые выводы нагрузочных резисторов соединены соответственно с коллекторами первогои второго и с базами второго и первого транзисторов, первые эмиттеры 20 которых подключены к соответствующимразрядным шинам устройства, а вторые - к шине хранения устройства и кпервому выводу источника тока хранения, второй вывод которого подключен 26 к шине нулевого потенциала устройства, о тл и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повьппения устойчивостиустройства к воздействию кратковременных дестабилизирующих факторов, 30 в него введен генератор фототока,первый и второй выводы которого подключены к соответствующим выводамисточника тока хранения, и в каждьйэлемент памяти - третий и четвертыйнагрузочные резисторы, первые выводы которых соецинены с катодами первого и второго ограни/ительных диодов соответственно, а вторые выводы - с коллек;"орами первого и второ- /О го транзисторов соответственно.+ 1 ) 1/и, х/ ток генератора 14; где 1///////гф1),К токи генераторов 15, 16;ток источника 13;сопротивление резисторов7, 8;разница падений напряжений на открытых диодах 5,6 открытого и закрытогоплеч триггера ЭП;количество ЭП устройства. ЬЧ Ф /За счет перепада напряжений ЬЧх создаваемого током генератора 14, на резисторах 7, .8 в ЭП сохраняется информация во время воздействия ДФ, Очевидно, что при отсутствии резисторов , 8 (К = О) информация не сохраняется, поскольку л ЧО.По окончании воздействия ДФ генерация в р - и-переходах Транзисторов прекращается, т.е. выключаются генераторы фототоков 15 и 16, Одновременно с ними отключается генератор 14. Составитель А. ДерюгинТехред Л.Олийнык Корректор М. Пожо Редактор. И, Недолуженко Заказ 4878/50 Тираж 558 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям прн ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 1 О