Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХ ООИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 91 0 В 51)Ъ С 11 С 11/4 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 61)(54)(57) У 440960, тем, что, ти элемен .ные облас к основнои положенные ИНОП стру авт.с 1) 1976537/18-22) 11,12.736) 23. 11. 88. ийсяия надежносБюл. У 4щев, В.Д. Са6(088.8) ополнительрилегающие ания и рас(72) Г.С. Хря и Л.А, Зенцов (53) 628.327 ов м затвнала. 7 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ЛЕИЕНТ ПАМЯТИ отличаю с целью повыш а, он содержи и запоминания области запо по обеим сто туры по ширин529672 Изобретейие относится к вычислительной технике и предназначено длясоздания полупроводниковых постоянныхзапоминающих устройств с электрической перезаписью информации с сохранением информации при отключении питания еИзвестен элемент памяти по авт.св.У 440960 на основе МНОП (металл -нитрид кремния - двуокись кремния -полупроводник) структуры, содержащийобласть двуслойного диэлектрика с эффектом запоминания, две области двуслойного диэлектрика, не обладающиеэффектом. запоминания и прилегающие кобласти запоминания и имеющие толщинудвуокиси кремния в 15-20 раз большетолщины слоя двуокиси кремния в областизапоминания, и две области маскирующего диэлектрика, расположенные пообеим сторонам затвора по ширине канала,Недостатком известного устройстваявляется то, что при считывании инфор мации в элементе памяти, находящемсяв состоянии "1", возможно появлениепаразитных токов утечки между стокоми истоком МНОП структуры, обусловленное наличием расположенных по обеим 3 Осторонам затвора по ширине каналаобластей маскирующего диэлектрика,которое может быть принято за признак"О" и привести к ложному считываниюйнформации,Цель изобретения - повышение надеж.ности элемента памяти при считыванииинформации,Это достигается тем, что в элементпамяти введены дополнительные области 10запоминания, прилегающие к основнойобласти запоминания и расположенныепо обеим сторонам затвора МНОП сгруктуры по ширине канала. 2На чертеже показана конструкция элемента памяти.Элемент памяти содержит: исток 1, область 2 двуслойного диэлектрика, не обладающую эффектом запоминания, область 3 маскирующего диэлектрика, основную область 4 запоминания двуслойного диэлектрика, дополнительную область 5 запоминания двуслойного диэлектрика, сток 6 и электрод 7 затвора.При работе элемента памяти при считывании информации на электрод затвора 7 подается считывающее напряжение.В состоянии "О" элемент памяти обладает низким пороговым, напряжением и при подаче считывающего напряжения в цепи исток 1 - сток 6 появляется .ток, который является признаком состояния "О".В,состоянии "1" пороговое напряжение элемента определяется высоким пороговым напряжением области 4 двуслойного диэлектрика с эффектом запоминания и дополнительных областей 5 двуслойного диэлектрика, прилегающих к основной области запоминания 4. Введение дополнительных областей 5 с эффектом запоминания по обеим сторонам затвора МНОП структуры по ширине канала позволяет исключитЬ появление паразитных токов открывающихся областей 3 маскирующего диэлектрика, расположенных по обеим сторонам затвора по ширине канала и прилегающих к истоку и стоку. Отсутствие тока при подаче считывающего напряжения служит11 1признаком состояния 1Такая конструкция элемента памяти устраняет возможность ложного считывания состояния " О " в элементах памя 11 11 ти, находящихся в состоянии 1529672 ед И.Моргентал Корректор В.Романенко едактор Н. Сильнягина каз 648 Тираа 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Уагород, улПроектная, 4.
СмотретьЗаявка
1976537, 11.12.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5936
ХРЯЩЕВ Г. С, САФОНОВ В. Д, ЗЕНЦОВА Л. А
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 23.11.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-529672-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Электростаический элемент памяти
Номер патента: 533987
Опубликовано: 30.10.1976
Авторы: Дятлов, Коняшкин, Мишин, Потапов
МПК: G11C 11/24
Метки: памяти, электростаический, элемент
...У относительно пластины 1 (либо 7). Действие напряжения У, становится эффективным только тогда, когда средний выступ 2 под действием напряжения Уп притянут к поверхности изо лирующего основания. После приложения Унапряжение Уп можно установить равным нулю.тонкопленочного резистора б за.в уменьшении влияния напряжения средний выступ 2 находится в сво533987 4 Формула изобретения Составитель Т. Кирюхинаедактор В. Левятов Техред 3. Тараиенко Корректор Н Изд,1694 Тираж 723 ИИП 1 Л Государственного комитета Совета Министров по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.36, Раушская наб., д. 416писно аказ 2268 Типография, пр. Сапунова, 2 ем исходом состояи 1 (зазорпом 2 и резистором максимален). Действительно, пусть на источнике, задающем...
Способ изготовления микросхем с диэлектрической изоляцией элементов
Номер патента: 1686982
Опубликовано: 15.02.1994
МПК: H01L 21/76
Метки: диэлектрической, изоляцией, микросхем, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...
Магнитный запоминающий и логический элемент
Номер патента: 536525
Опубликовано: 25.11.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, логический, магнитный, элемент
...и логичеакого элемента.Это достигается тем, что в магнитный запоминающий и логический элемент, содержащий сложный магнитопровод с источником потока, расположенным на среднем стержне, площадь поперечного сечения которого вдвоа больше, чем у всех остальных участков магнитопровода, с двумя исходящими из,концов этого стержня симметричными относительно него замкнутыми раоочими стержнями, каждый из которых содержит, пару отверстий, симметриччо расположенных отлосительно среднего стержня и прошитых опросными и сигнальными обмотками, введены входные обмотки, расположенные на каждом рабочем стержне магнитопровода.На чертеже изображен предлагаемый элеПри записи информации в рабочий стержень 3 управляющий ток по определенному направлению...
Транзисторно-транзисторный логический элемент “и-или-не
Номер патента: 790331
Опубликовано: 23.12.1980
Автор: Шагурин
МПК: H03K 19/08
Метки: «и-или-не», логический, транзисторно-транзисторный, элемент
...инвертора 2.Если на все М эмиттеров одногоиз К и -р-ь транзисторов 4,5 (К+3)подан высокий потенциал О", то этиэмиттерные переходы запираются, открывается (М+1) -й эмиттерный переход, подключаемый ко входу инвертора 2, через который в инвертор поступает ток 1 = Ао(Ь+)7 о ,. гдеЭо - эмиттерный ток транзистора 3;Ар - коэффицие-т передачи токаэмиттера транзистора 3 в К-ый кол- .лектор, В и В - прямой и инверсныйкоэффициенты усиления тока для соответствующего п-р-п транзистора.Величина тока 3 задается достаточнойдля переключения инвертора 2 в состояние низкого потенциала ОО навыходе, Если хотя бы на одйн из Млогических входов эмиттеров п-р-птранзистора подан низкий потенциалОо, то (М+1) -ый эмиттерный переходэтого транзистора запирается...
Устройство для отображения информации
Номер патента: 1293754
Опубликовано: 28.02.1987
Авторы: Козлов, Коростелев
МПК: G09G 3/20
Метки: информации, отображения
...с различными уровнями яркости, то в одну из соответствующих ему ячеек блока памяти записывается логическая 1, а в другую - логический О. Адреса ячеек блока памяти, обслуживающих один элемент отображения, отличаются на величину С, постоянную для всех ячеек блока 4 памяти. Таким образом, в блоке 4 памяти образуются две области, в каждой из которых хранится информация для всех элементов отображения матричной газоразрядной панели 6.При отображении информации тактовые импульсы с генератора 1 импульсов изменяют состояние счетчика 2. Кодом счетчика 2 через дешифратор 7 производится последовательный перебор столбцов 1 развертка) матричной газоразрядной панели 6. Одновременно этот код поступает на вход сумматора 3. На второй вход сумматора 3...
Предыдущий патент: Линейный ускоритель заряженных частиц
Следующий патент: Моноалкиловые эфиры 2, 4, 5-триолов в качестве экстрагента борной кислоты
Случайный патент: Контейнер для транспортирования и сохранения биологического материала