Лубсанов

Номер патента: 1501165

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Битнер, Буткевич, Деревягина, Лубсанов

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: памяти, ппзу, элемент

...12 или 4 В и длительностью 10 фс, причем полярность верхнего электрода положительная. Считывание импульсом напряжения той же полярности амплитудой 1 В и длительностью 1 мкс. При подаче импульса напряжения обратной полярности в приповерхностной области полупроводниковой основы слояформируется обедненный основными носителями участок, на котором падает большая часть прикладываемого напряжения и переключения соответственнометром 16 мм. Поперечный размер волокон составляет в среднем 1 мкм,расстояние между ними 5 мкм. Формула изобретения Составитель С. Подорский М. Недолуженко Техред Л,Олийнык Корректор М. ПожЗаказ 4878/50 Тираж 558ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени113035, Москва, Ж, Раушска одпи ГКНТ м и открытия наб, д, 4/5...