Патенты с меткой «транзисторов»

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Котов

МПК: H01L 21/331

Метки: мощных, свч, транзисторов

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 845678

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Аноприенко, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторов

...слой бтолщиной 0,4 мкм, Далее фотогравировкойв маскирующем слое б вскрывают окно 7через которое формируют и -область подла 0гированной пассивной базы 8 с целью сжения последовательного сопротивле:имежду эмиттерным и базовым котактомДиффузию осуществляют из греххлористоО Фостора РС 1, в две стадии, загон куфооа ведут при температуре 9800 Гизкотемпературная разгон ка ,Т,":сухОЙ и уэлд)кненной вОдяными парами среде со следующими дйффузионьк 1 и параметрами: Й. 15 омlг и Х=2 м,.толщиной окисла 9- 0,35 мкм. Далее в "зокисла б с помощью фотогравировки вскрывают окно 10. через которое диффузией бора и формируют эмиттернуО Обэсть 11.45Диффузию осуществляют из борного ангидрида В 20 з в две стадии, Первая стадия - загонка проводится при...

Номер патента: 1831731

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Ваксенбург, Иноземцев, Кораблик, Поляков

МПК: H01L 21/335

Метки: арсениде, галлия, полевых, транзисторов

...кислоте. Для хороших пленок время травления слоя толщиной 0,09 мкм лежит в пределах 2-3 мин.Следующая операция - электронное экспонирование затворной маски: Используется электронной резист марки ЭЛП. Наносится центрифугированием при скорости вращения 4000 об/мин в течение 30 с, Сушка осуществляется в термостате при температуре 170"С 30 мин, Экспонирование проводится по программе в автоматическом режиме на установке 7 ВА(ф. Карл Цейс, Йена), Затворная щель экспонируется методом набора прямоугольных штампов размером 0,2 х 1,0 мкм с коэффициентом пе рекрытия 2. Одновременно с затворной щелью проводится экспонирование контактных областей истока, стока, затвора, Электронный резист ЭЛПявляется позитивным, поэтому экспонированные...

Номер патента: 764549

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Петров

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, малошумящих, транзисторов

...участок эмиттера 8.На фиг.З к базе в обьеме полупроводникового тела показана контактная р диффузионная область 9, Между р областью 9 и эмиттером 8 остается участок 10 в эпитаксиальной пленке 6, не залегированной в процессах диффузии.В каждой из областей эмиттера 8 базы 9 вскрыты контактные окна и осуществлена металлизированная разводка 11,П р и м е р, На высоколегированную подложку (р=0,001 Ом.см) осажда ют в и сокоомную р =1-3 Ом,см) пленку 2 эпитаксиального кремния того ке и-типа проводимости, После этого получают маскирующее покрытие 3 - путем окисления кремния в каомбинированной среде сухого и увлажненного кислорода при Т=1100 - 1200 С,.Фотогравировкой в окисле 3 вскрывают окно и проводят базовую диффузию бора - 4 (Ие 1 =1 10 см )...

Номер патента: 533157

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Булгаков, Велигура, Ивановский, Лобов, Майшев

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевых, многоэмиттерных, транзисторов

...формирования активных областей транзисторной структуры на поверхность структуры наносят нихромовый слой, а поверх него - слой алюминия толщиной 0,1 - 0,2 мкм. Далее проводят фотолитографическое формирование резисторов.Следующим. этапом последовательно напыляют слои многослойной золотосодержащей металлизации, после чего осуществляют фотогравировку металлических контактов ионно-химическим травлением, Последнее практически очень мало действует на алюминий, который таким образом надежно защищает нихромовые резисторы.По окончании ионно-химического травления слой алюминия удаляют в химическом травителе.Практически изготовление многоэмиттерных СВЧ транзисторов с нихромовыми резисторами показано в следующем примере.1. В исходных...

Номер патента: 814168

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/04

Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Абаньшин, Высоцкий, Кузьмин, Митрохин, Севостьянов, Смирнов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матрицы, тонкопленочных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...

Номер патента: 1825234

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Воронин, Губа, Плахотная

МПК: H01L 21/18

Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки

...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...

Номер патента: 1529940

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Олейник, Сучков

МПК: G01R 31/26

Метки: пластине, полевых, свч, транзисторов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАСТИНЕ, включающий подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды полевого транзистора, возбуждение в нем СВЧ-тока, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, определение коэффициента усиления полевого транзистора и сравнение его с эталонным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и расширения частотного диапазона при контроле, после возбуждения СВЧ-тока к стоковому электроду полевого транзистора прикладывают поглощающую СВЧ-пластину, на участке стокового электрода между поглощающей СВЧ-пластиной и затвором полевого транзистора размещают электрооптический кристалл, возбуждение СВЧ-тока в полевом транзисторе осуществляют путем освещения...

Номер патента: 1537071

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Амирханов, Венков, Земский, Мельникова, Моисеева

МПК: H01L 21/24

Метки: биполярных, горизонтальных, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГОРИЗОНТАЛЬНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание областей межкомпонентной изоляции, формирование в эпитаксиальном слое диффузионных областей контакта к пассивной базе второго типа проводимости, формирование области активной базы подлегированием эпитаксиального слоя примесью второго типа, создание коллекторных и эмиттерных областей первого типа проводимости и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия транзисторов и упрощения технологии их изготовления, после формирования области...

Номер патента: 1468318

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Гресков, Романов

МПК: H01L 21/263

Метки: арсенидгаллиевых, полевых, радиационной, свч, транзисторов

СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий облучение готовых приборов электронами с энергией 3 - 5 МэВ и дозой 1013 - 1014 см-2 при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и увеличения коэффициента усиления по мощности, облучение электронами проводят при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см2 при заземленных внешних выводах транзисторов.

Номер патента: 723984

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Злыднев, Кремлев, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/33

Метки: планарных, самосовмещающихся, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компановки структур, на нижнюю диэлектрическую пленку наносят поликристаллический кремний, травят окна в пленках до подложки, наращивают низкотемпературный поликристаллический кремний, легированный примесью противоположного типа проводимости подложке, локально маскируют диэлектрической пленкой, не травящейся в травителях для...

Номер патента: 1135378

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярных, интегральных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1371445

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, транзисторов

...250-300 нм. Осаждают первый слой поликремния толщиной 300 нм, маскируют его нитридом кремния толщиной 100- 150 нм и под защитой фоторезистора в Я зй 4 вскрывают окна о местах комбинированной изоляции и осуществляют селективное окисление первого слоя голикремния при Т = 1123 К и Р = 10 атм. Удаляют нитрид крем ния, ионным легированием вводят бор с Е = =60 кэВ и О = 3,7510 сгл о первый слой13 -2поликремния и осаждают окисел кремния толщиной 500 нм. Под защитой фоторезистд плазмохимическим травлением удаляют окисел кремния и первый слой поликремния и осаждают окисел кремния иэ паров дихлорсилана и закиси азота при Т = 1123 К прн пониженном давлении, толщиной 500 нм, Далее ионно-реактивным травлением удаляют окисел кремния со дна...

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1574110

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гузаева, Москалев, Нечаев

МПК: H01L 21/265

Метки: барьером, полевых, транзисторов, шоттки

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий формирование n-слоя в подложке полуизолирующего арсенида галлия путем имплантации ионов донорной примеси, внедрения кислорода по крайней мере в области канала и термический отжиг, изоляцию активных областей транзистора и формирование металлических электродов к транзисторной структуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов, создания резкого градиента распределения концентрации донорной примеси на границе раздела n-слой подложка и уменьшения влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой, имплантацию ионов кислорода проводят перед имплантацией ионов донорной примеси с энергией и дозой ионов кислорода, обеспечивающими...

Номер патента: 1428108

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Селезнев, Смолкин, Ткал

МПК: H01L 21/331

Метки: германиевых, планарных, транзисторов

Способ изготовления германиевых планарных транзисторов, включающий создание на поверхности пластин германия диэлектрических покрытий, формирование активных областей с использованием высокотемпературных и низкотемпературных операций, создание оксида германия путем термообработки в кислороде, формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров транзисторов и повышения выхода годных, окисел германия толщиной от 60 до создают после завершения всех высокотемпературных операций и непосредственно после создания окисла германия облучают поверхность пластин импульсами лазерного излучения миллисекудной длительности с длиной волны 1,06 мкм и...

Номер патента: 1290869

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Козлов, Рабодзей, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, импульсных, мощных, однородного, работы, режимах, тепловой, токораспределения, транзисторов, устойчивости

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов, включающий задание эмиттерного тока и напряжения между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора, регистрацию изменения напряжения между выводами эмиттера и базы контролируемого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, эмиттерный ток задают в виде последовательности импульсов с заданной амплитудой, длительностью и периодом следования, а напряжение между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора подают одновременно с подачей одного из импульсов эмиттерного тока в виде импульсов со ступенчато возрастающей амплитудой, причем длительность каждой...

Номер патента: 923281

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Квурт, Миндлин, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, однородности, структуры, транзисторов

1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор база, амплитуда которого превышает напряжение образования шнура тока в структуре для статического режима и длительность фронта которого значительно меньше тепловой постоянной времени полупроводникового кристалла, причем импульс разогрева прерывают в момент, когда происходит увеличение скорости изменения во времени модуля приращения регистрируемого параметра, а однородность...

Номер патента: 1032936

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Жилин, Косогов, Русаков, Телепина, Типаева

МПК: H01L 21/225

Метки: свч-биполярных, транзисторов

Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 950oС в течение 7 20 мин.

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 1529941

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Дулов, Карпов, Сергеев, Широков, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: безопасной, области, работы, транзисторов

Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзисторов, содержащее усилитель мощности, выход которого соединен с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора, клемма для подключения базы которого соединена с общей шиной устройства, а клемма для подключения коллектора испытуемого транзистора соединена с входом первого фильтра нижних частот, первым входом осциллографа и первым входом компаратора, второй вход которого подключен к выходу первого источника опорного напряжения, выход компаратора подключен к S-входу триггера, R-вход которого соединен с шиной запуска, выход триггера подключен к входу синхронизации генератора линейно нарастающего напряжения, выход...

Номер патента: 1245094

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Горюнов, Сергеев, Широков

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, вольтметр, измерительный вход вольметра соединен с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, а вход синхронизации вольтметра подключен к последовательно соединенным формирователю импульсов и дифференцирующей цепи, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки транзисторов, в него введены аналоговый сумматор, генератор низкой частоты, усилитель низкой частоты в...

Номер патента: 1729210

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Сергеев

МПК: G01R 31/26

Метки: отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки транзисторов, содержащее клеммы для подключения базы, эмиттера и коллектора испытуемого транзистора, источник напряжения питания, генератор тока, образцовый транзистор, два резистора, первые выводы которых соединены соответственно с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора и с коллектором образцового транзистора, база которого подключена к общей шине устройства и к клемме для подключения базы испытуемого транзистора, клемма для подключения эмиттера которого соединена с выходом генератора тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности отбраковки, оно снабжено аналоговым запоминающим устройством, дифференциальным усилителем и...

Номер патента: 1632187

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Бусыгин

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, отработки, транзисторов

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий подачу на биполярный транзистор тока эмиттера и напряжения база-коллектор, определение информативных параметров биполярных транзисторов и сравнение их с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, напряжение база-коллектор устанавливают равным его предельно допустимому значению, изменяют ток в диапазоне его допустимых значений, устанавливают его значение, при котором статический дифференциальный коэффициент прямой передачи тока при котором замыкании на выходе при включении биполярного транзистора по схеме с общей базой достигает максимального значения, измеряют при этой величине тока эмиттера значение...

Номер патента: 1424634

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Белецкий, Вайсбурд, Орлов, Чмух, Шемендюк

МПК: H01L 21/363

Метки: радиационной, транзисторов

Способ радиационной обработки транзисторов, включающий облучение пластин с транзисторными структурами протонами и термообработку при температуре от 400 до 450oC, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и упрощения технологии изготовления транзисторов, пластины с транзисторными структурами облучают протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины и дозой от 7 1013 до 25 1013 см-2, а термообработку проводят в течение от 20 до 30 мин.

Номер патента: 1152436

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.