Патенты с меткой «транзисторов»

Номер патента: 619877

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Кернер, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

...да ной зависимости.Способ отбраковки мощных транзист ров опробован на транзисторах типов КТ 904 и КТ 912,овэтот способ может быть осутолько при наличии дорогой дна вле619877 Формула изобретения 07 Составитель Т.ДозоровТехред Э.Чужих Корректор И.Гокс Л.Батанова еда аз 4500/ НИИПИ Го Тираж 1112 Подписноедарственного комитета Совета Министров ССС/5 по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4 илиал ППП Патент, г,Ужгород, ул.Проектная,4 Транзисторы включают по схеме с ОБ. При заданном токе1 й коллектора для транзисторов тийа КТ 912 напряжение ц на коллекторе плавно увеличиКвается до 30 В. Это обеспечивается включением в коллекторную цепь генератора пилообразных импульсов напряжения с длительностью импульсов 1 и50 мсек....

Номер патента: 623166

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Валентеюс, Григас, Станкевичюс

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперной, крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...Каунас, 1972, с. 306-311,вторым входом схемы сравнения, а выход схемы сравнения соединен с управляршим входом генератора переленного напряжения.На чертеже представлена структурная схема устройства.Устройство содержит источник 1 напря жения стока через контактную годовку 2 подключенный к стоку измеряемого пойевого транзистора 3, генератор 4 переменного напряжения, через контактную головку 2 подключенный к эатвдру,полевого транзистора 3, схему 5 йзмерения переменной составляющей тока с 1 она, блок 6 задания уровня тока стока, последовательно соединенные. преобразователь 7 тока стока, схему сравнения 8 и управляемый источник 9 напряжения затвора. Вых,од схемы сравнения 8 соединен с управляющим входом генератора 4 переменного напряжения, а...

Номер патента: 626475

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Бердинских, Марков

МПК: H02M 7/537

Метки: автономный, защитой, инвертор, транзисторов

...И)ХО,И 1 Х ЦСПЧХ 1 РДИСОР;с 1(:Г)с (1 П 051 ВЛ 5 ЕС 51 И(.РСМС;Г ИЗПРЯ ТЕСс П)и.,1- 1 ОЛЬИОЙ В 0111. Г с ИР 51 КСС Г ГГ",ПОР а т 01,а с Обы(Ге г гр с 1 сор.дтО 1, 6 ь).мирмстс 51 т",л 0.) 1(юз."лтс.1:и 11:1 и;) " ,пав (., 1 с 1 Оции вх(.),риГ (., д 10). .)Орз 1 рг)ва 1 Ь 1 Й СИ 2 Л , .М 1 3,Ч ДЦ 11 (н с.111 1 ПИ 1 ср 10 в и(.хо,1 с сос :,:ис.с. ( си 12- тыВаиия 3)схеитй зддс)р:.1:1; 9 (иГ:2;1 поСтУИас Иа ДРУГС ПЛСЧт)И.;,РД. Ь И;Х" н 1 01 СОСТ 05 гп)г Т 1 ГСР С СГ )с;, Д(ПС Срабдти)сСТ) И С 10 13 ЫХО;:ЛС 1 С;С 13 СЛЮ 210 Г )1 РавЧ 5:СЫЬ 1 Е;10 1. )И,Л срабд ьВаи 5 элсмсигд з(1 тсрже:.1 9 1)аоиР 2 ЕТС 51 1 Б УСЛ 013:51 Г)На 10(1.1. 51 ) ЗЛ Д 1 ОмзУтдцип 11 Т,г)Т; -3-Тггде Т, - время срабс(ч:аи:я элсмеи задержки;Тх- В)1(ы 51 СР Г бс Гы Вани...

Номер патента: 644009

Опубликовано: 25.01.1979

Автор: Пешков

МПК: H02H 7/20

Метки: защиты, параллельно, соединенных, транзисторов

...ключ 2. отпирающего напряжения, интегрирующую цепочку 3, защищаемый регулятор 4, состоящий из нескольких параллельно соединенных транзисторов, датчик 5 тока, нагрузку 6, реагирующий орган 7 защиты и коммутации, источник 8 запирающего напряжения, первый ключ 9 запирающего напряжения, элемент 10 задержки и второй ключ 11 запирающего напряжения,При подключении регулятора к питающей сети источник 8 через ключ 11 подключается к базовым цепям транзисторов регулятора 4. Орган 7 устанавливается в исходное состояние, при котором ключ 2 замкнут, а ключ 9 разомкнут, На интегрирующую цепочку 3 поступает отпирающее напряжение от источника 1. В цепи баз транзисторов регулятора 4 с выхода цепочки 3 поступает линейно изменяющееся отпирающее...

Номер патента: 645102

Опубликовано: 30.01.1979

Автор: Пецюх

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, току, транзисторов, усиления

...переключателях 8 и 9,причем резистор 3 включен в отрицательную обратную связь операционного усилителя 2, к выходу которого подключены дваконденсатора 5 и 6, которые через коммутатор 7 поочередно подключены к общейточке и регистрирующему устройству,Описываемое устройство работает следующим образом.5В первом такте управляемый источникпостоянного тока 1 задает известное значение тока эмиттера 1,ь В базе испытуемоготранзистора протекает ток 1 в. Ток 1 и преобразуется с коэффициентом преобразования К операционным усилителем 2, охваченным отрицательной обратной связью(резистор 3) в напряжение.Схема построена так, что всегда один изконденсаторов 5 или 6 подключен на общуюточку, а другой - к регистрирующему прибору. Поэтому напряжение Увв,х с...

Номер патента: 646390

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Белов, Махаев, Назаров, Семенов

МПК: H01L 23/12

Метки: спутник-носитель, транзисторов

...загрузке, и фикси.рующей частью стенок. Для того чтобыкорпус прибора находился в этой зоне в свободном состоянии, необходимо соблюдениеследующих условий. Расстояние Ь от началарасхождения стенок до плоскости расположения выволов (начало замыкания зоныфиксирующей частью стенок) больше илиравно К радиуса корпуса прибора (в противном случае плоскость расположения выводов не позволяет корпусу прибора пройтив свободную зону), но меньше или равно К(в противном случае корпус прибора не будет зафиксирован в корпусе самого спутника).На фиг, 1 изображен общий вид спутника-носителя; на фиг. 2 - вид А, с загруженным прибором; на фиг. 3 и 4 - спутник.носитель с транзистором; на фиг, 5 -сечение спутника по оси симметрии со схемой загрузки...

Номер патента: 650030

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Колодчевский, Новиков, Смирнов

МПК: G01R 31/27, G01R 31/28

Метки: диоднотранзисторных, дискретных, логических, транзисторов, устройств, элементах

...входов, коллекторные резисторы 55, 56, резисторы 57, 58 связи, резисторы 59, 60 смещения, входные конденсаторы 61 и 62, входные диоды 63 и 64. На клеммы 36 - 39 выведены емкостные входы триггеров, на клеммы 40, 41, 46, 47 - коллекторы транзисторов 51 и 52, па клеммы 42 - 45 - прямые входы триггеров, на клемму 48 - коллскторныс резисторы 55, 56, на клемму 49 резисторы 59, 60 смещения, на клемму 50 эмиттеры транзисторов 51, 52. Межкаскадныс соединения выведены на клеммы 48, 49, 50.Схема измерения тока 1, имеет источник 65 напряжения и микроамперметр 66.Ток Ун, транзистора 52 триггера 34 контролируют следующим образом.Соединив между собой клеммы 40, 46 и 47, получают межкаскадные соединения. Подключают положительный полюс 65 источника...

Номер патента: 655997

Опубликовано: 05.04.1979

Автор: Шатило

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, измеритель, рассасывания, транзисторов

...3 гока в базу испытуемоготранзистора 4 начинает втекать отпирающий ток 1 б (фиг. З,б). Транзистор Тоткрывается и ток 1 (фиг. 2) со второго выхода переключателя 3 гока поступает на вход дискриминатора 9 гока(фиг. З,в). При этом на выходе дискриминатора 9 гока появляегся отрицательный перепад (фиг. З,д), который задерживается цепью последовательно соединенных логических схем 1 и через время 1 появляегся на входе переключате,ля 3 гока. При этом ток 1 переключается со второго выхода переключателя 3 тока на первый (иэ транзистора Т в гранзисгор Т -фиг. 2) и в базу испытуемого транзистора 4 пос тупее г эа пирающий перепад (фиг, З,б), Напряжение на коллекторе испытуемого транзистора 4 начинаег нарастать через время, равное времени...

Номер патента: 660313

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Барцева, Виксне, Кузнецов, Черная, Швецов

МПК: H05K 13/08

Метки: мащных, транзисторов

...съемным радиатором, размещенным в корпусе под радиатором крышки, причем контактная группа расположена на дополнительном съемном радиаторе.На фиг. 1 показано предлагаемое уст ройство, обций вид; на фиг. 2 - дан разрез А - А на фиг. 1.66033рованный в крышку 14 и опирающийся на прокладку 15. Отвод нагретого воздуха осуществляется через воздуховод 16. Между радиаторами 4 и 13 расположен проверяемый транзистор7.Устройство работает следующим обра 5 зом.Проверяемый транзистор 17 устанавливается в контактную группу 5, при этом своим корпусом он упирается в радиатор 4.При повороте ручки 9 на 180 от упора 7 до упора 6 эксцентрик 1 О перемещает наг 1 о правляющие 1 с крышкой 14 вертикально вниз. Радиатор 13 поджимает транзистор 17 и создает...

Номер патента: 661440

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Выменец

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...входом операционного усилителя 1.Устройство работает следующим образом.На коллектор испытуемого транзистораподается необходимое напряжение от источника 12 коллекторного напряжения, ток коллектора измеряется измерителем 11.Импульсное напряжение на линии связи9 равно импульсному напряжению "на выходе регулируемого генератора импульсов 3, так как операционный усилитель 1 охвачен отрицательной обратной связью через измерительный резистор 4, что приводит к равенству потенциалов на обоих входах операционного усилителя 1. Так как разность потенциалов линии связи 9 и экрана 1 О равна нулю, это эквивалентно нулевой эффективной емкости линии связи 9, поскольку нулевое напряжение не вызывает токов перезарядки емкости линия связи - экран.Ток...

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...

Номер патента: 677035

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Аралов, Выдро, Кыштымов, Рашевский

МПК: H02H 3/36

Метки: защиты, мощности, транзисторов, усилителя

...защиты транзисторов усилителя мощности ВЧ содержит усилитель 0 мощности 1, направленный ответвитель 2,Формула изобретенияУстройство защиты транзисторов усилителя мощности ВЧ по авт. св. Мо 351279, отличающееся тем, что, с целью ЗО обеспечения низкого уравня нелинейныхискажений усилителя мощности при работе на рассогласэванную нагрузку в широкой полосе частот, между выходом первого порогового каскада и входом усилителя постоянного тэка,выключены последовательно функциональный делитель и функциоБальный преобразователь, а вход управлепия функционального делителя подключен к выходу дете 1 ктора падающей волны. детектор падающей волны 3, детектор отраженной волны 4, первый и второй пороговые каскады 5 и б, усилитель постоянного тока...

Номер патента: 685992

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Рабодзей

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичный, высоковольтных, защиты, испытаниях, мощных, пробой, транзисторов

...с:,1 ых транзисторов.Указанная пель достцгае 1 ся тем, что цопредлагаемому спосооу контролируют изменение тока базы испытуемого транзистора ово времени при фиксированном токе эмиттера и прекращают воздействие электри 1 еского режима в момент прохож.1 ецця мгновенного значения производной тока базы черезчоль685992 Формула изобретения Составитель И.Музанов Редактор И, Шубина Техред О. Луговая Корректор Н. Степ Заказ 5453/46 Тираж 090 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб. д, 4/5 филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43В основе описываемого способа защиты мощных высоковольтных транзисторов от вторичного пробоя лежит зависимость коэффициента прямой...

Номер патента: 693271

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Быданов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, транзисторов

...потенциала с помощью триггера 39 через вентиля 11, 14 и 17, а результат этого изменения опв,",-еляется анализатором 35. Осуце 1 вляется зто следующим образом, Если состояние коммутатора 5 пе соответсгвует состояни:о подклсмченньх электров исньтыввемого транзистора, то изменение состояния триггера 39 не приводит к измененио сигналя на резисторе 32; который через повторитель на транзисторе 33 и резисторе 34 поступает Иа вход анализатора 35. А нализвтос 35 производи сравнение предыдущего сигналя 1 появившегося при первоначальном состоянии триггера 39) с вновь ГОстудивши м сигналом, Если сигналыаналогичными, то выходной сигнал со схемы анализа отсутствуети коммутатор 5 переключается в чодующее состояние. Если же состояние...

Номер патента: 693275

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Гуртиков, Морозова, Перельман, Сидоров

МПК: G01R 31/26

Метки: внутренних, выводов, замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации

...транзистор обозначен на схеме цифрой 8.Устройство работает следующим образом.На входную клемму испытуемого тзанзистора 8 с выхода генератора 1 прямоугольных импульсов напряжения поступают прямоугольные импульсы. Амплитуда импульсов устанавливается такой, что испытуемый транзистор работает в ключевом режиме (открыт-закрыт), а на резисторе 4, являющемся нагрузкой испытуемого транзистора, формируются прямоугольные импульсы напряжения, которые подаются на управляюций вход 5 схемы запрета 5, На сигнальный вход А схемы запрета 5 подаотея импульсы напряжения с генератора 1. Схема запрета работает таким образом, что сигнал, поданный на сигнальный вход А, вызывает появление сигнала на выходе Р только то;да, когда отсутствует запрещающий сигнал...

Номер патента: 693277

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Крылов, Маслов

МПК: G01R 31/26

Метки: высоковольтный, измеритель, напряжений, пробивных, транзисторов

...напряжения связан с одним входом операционного усилителя, выход которого подключен к первичной обмотке импульсного трансформатора, вторичнаяЗО г 4ряжения, операционный усигИтель 3, ичцульсцый трансформатор 1, испытуемый транзистор 5, источник 6 запирающего напряжения, токозадающий резистор 7, делитель напряжения ца резисторах 8 и 9, первый неинвертируюц 1 ий О и ицвертирующий 11 повторители напряжения, первый суммирующий резистор 12, масштабный усилитель 13, второй неицвертирующий повторитель 14, второй суммирую 1 ций резистор 15 и резистор 6 обратной связи.Измеритель работает следуюцим Образом. Напряжеци: от источника 1 опорного напряжения через ключ 2, определяющий длительность импульса испытательного цапря жения, поступает на...

Номер патента: 693278

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Нуянзина, Тоскин

МПК: G01R 31/26

Метки: пар, подбора, транзисторов

...Составнтель Г. Дозоров Реда кто р О. Коле сн нко ва Техред О. Луговая Корректор Г. Назарова Заказ 606016 краж 1073 Подписное ЦН И И ПИ Государственного комитета СССР по делам нзобретеннй н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раунская наб., д. 4/5 Филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4гоцаль моста 2 включен источцик 7 посгоянюго напряжения, нагрузкой транзисторов является резистор )хЗ. Выходы уси. - . ителей 3, 4 подсоединены к входам блока 8 индикации. Вьход блока 8 подключен к входу управляемого источника 9 постоянного тоха, который имеет два независимы Выхода, подключенных и базам подбираемых транзисторов 5, 6. Устройство питается От генератора 10 синусоидального напряжения, включенного в питаюцую диагональ...

Номер патента: 693279

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Обликов

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, импульсный, коэффициента, малого, передачи, режиме, сигнала, транзисторов

...с ц 3,";."ПС 1:/)с " С)/Я Т)2- )Ь 3 ЧЕЕ,ВВд(:Ы " ".Ю Г 3),.с .СИсг/2 гЙ сз/гш. )к)К)сьый ,.еж (,),ге.,; ).:, . О1 С:; Т С М ) Го)3 Ц С Т ) 2Ч СВЛ";Г, тока базы Вход ког,О;о и) :(. осц (ОД 00",.)ЯТО;)с Т)Кс 231, с ВЬ.)Доазс тре Пзи(тс)п 1, и к. ю со) Оса цамя- и,В:,)Д КС)ТСРСГО СОЕ ЦСН С:ЯДЯЮЦИ "1СЦС)2- ОРО;:, с ВЫХ)Д( Э,СХ(Пт 1 Пс )ЯТЦ Гка базы.1 2 серт. же Грс,1 стс Влс с фсн к иаль"ц Я я Е Х е с Я ( 3, Ер ИТОГ /(.Дкз;ер:.тс,ь сосржит за.,аюц и:ес атор/ и и, ьсОВ 1, эле мст заде)п жки /. Клч ссОса па 5,ти 3. 0 Рс 13 ю(цие с е /: 0 СРЯ ТРЯП,",ЬСОП ИСТОЧН1(РПОГО; а 05(;Е - .П ц ) 4, ( / СЛ я ТО р 1 О К 2 03 Ы), К.Ч ) а Зр Ы В а СПИ 050)ТПОЙ Связи 6, Э.СМЕ:(Т ца;с:Т: То02 ", Г(с)210) ) )К; СИ, и ЯЛЦОЙт 1,. и(:с) иик коллектори го...

Номер патента: 697937

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Тальнова, Хцынский

МПК: G01R 31/26

Метки: моп, напряжений, пороговых, транзисторов

...эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной, а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напряжения, к неинвертирующим входам которых подключены два ис точника опорных напряжений, выходыкомпараторов напряжения через схемыформирования импульсов управлениясоединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позволяет иэмерять как пороговые напряжения МОПтранзисторов с индуцированным каналом, так и напряжения отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом, причем не только в режиме насыщения, но и в ненасыщенной области,а также независимо от длины каналатранзистора.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1низкой частоты, клеммы для...

Номер патента: 698104

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Бочарников, Коновалов

МПК: H02M 1/08

Метки: запирания, транзисторов, форсированного

...схемы,устройство (фиг,. 1) содержит транзистор 1, вторичную обмотку 2 коммутирующего трансформатора 3, конец которой соединен с эмиттером транзистора 1, параллельно соединенные резистор 4 и диод 5, соединенный катодом с началом вторичной обмотки 2, а анодом - с базой транзистора 1, диод 6, соединенный катодом с коллектором транзистора 1, а анодом - с концом вторичной обмотки 7 коммутирующего трансформатора 3, Начало вторичной/38 Тираж 857ЦНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений и открытий 113035 Москва ЖРа ская на Заказ б ПодписноеСР4 5 иал ППП Патент Ужгород, ул, Проектная,обмотки 7 соединено с базой транзистора 1,В насыщенном состоянии транзистора 1 к переходу база-эмиттер приложено отпираюшее напряжение от вторичной...

Номер патента: 711656

Опубликовано: 25.01.1980

Автор: Девонисский

МПК: H02H 7/10

Метки: включенных, защиты, параллельно, транзисторов

...из-за отсутствия защиты при простое переходов коллектор-база транзисторов.Целью изобретения является повышение надежности.Это достигается тем, что, устрой ство для защиты снабжено дополнительными предохранителями, включенными в цепи баз транзисторов. Принципиальная схемприведена на чертеже.Устройство состоит из пано включенных триодов 1, вэмиттеров которых включеныпредохранители 2, а в цепьтриодов включены плавкие пртели, 3,При нормальном состоянии элементсхемы все полупроводниковые триодывключены параллельно. Плавкие предохранители 2 выполняют роль сопротивлений, улучшающих равномерностьраспределения тока между триодами.5 При выходе из строя любого изтриодов 1 происходит либо обрыв цепи, либо короткое замыкание междуцепями, что...

Номер патента: 714317

Опубликовано: 05.02.1980

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: координат, полевых, термостабильной, точки, транзисторов

...термостата 13 с температурой Сц и продолжает сохранять прежний режим работы синхронных детекторов 16 и 21 (управляющие импулы сы на Фиг. Зг) . По,мере прогреватранэистора 1 (Фиг, За) изменяетсяйаклЬн исследуемой характеристики(Фиг. 2), при этом системы стабили"зации крутизны Я 2 ) и глубины моду 1 ляциикрутизны ьЯ, стремясь воспре" О пятствовать изменению этих параметров, вызывают изменения напряжения смещения и модулирующего воздействия ьО, что приводит к непрерывному на накоплению информаций о производнойкрутиэны и напряжении отсечки раэдел- но в синхронных детекторах 16 и 21, Изменяющееся напряжение детектора 21 обрабатывается в соответствии с выражением (4) в канале измерения напряжений затвор-исток, соответствующих теростабильной...

Номер патента: 737891

Опубликовано: 30.05.1980

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: дрейфа, коэффициентов, параметров, полевых, составляющих, температурных, транзисторов

...переход-среда полевого транзистора,1 О днейшей обработки на синхронные детек- когда температура кристаллаторы 19 и 20: Одновременно с ним вы- (фнг. 3 а) станет равной температуред- ходное напряжение сравнивающего уст- другой камеры термостатаи дальройства 8, соответствующее производ- нейшее изменение наклона характеристиной проводймости Ь 0, воздействует ки проводимости (Фиг. 2) прекращается,на информационные входы синхронных 15 мбностабильный элемент, возвращаясьдетекторов 15 и 16, К этому моменту - в исходное состояние, заканчиваетсявремени полевой транзистор 1, нахбдясь формирование управляющего импульсав одной из камер термостата 13, приоб- (фиг, 3 в), переводя синхронные детекретает температуру кристалла Р, торы 16 и 20 в режим...

Номер патента: 738724

Опубликовано: 05.06.1980

Автор: Аржаников

МПК: B21F 1/02

Метки: выводов, рихтовки, транзисторов

...2, соединенные винтом 3. В верхнем ползуне 4 неподвижно закреплен пуансон 5 и шарнирно посредством пружины 6 закреплены боковые пуансоны 7. Пуансоны 7 снабжены ловителями 8 в виде гребенок с зубьями.738724 3Радиодеталь (транзистор) устанавлива- ется на нижнем ползуне таким образом, чтобы его два вывода 9 находились в горизонтальной плоскости, а третий (средний) был ниже их. Крепление транзистора осуществляется цангой (на чертежах не показано). Ползуны 1 и 4 разведены так, чтобы был обеспечен зазор для свободного прохода выводов транзисторов. Цанга с зафиксированным транзистором подводится со стороны острия клиньев 2.Устройство работает следующим образом.При движении нижнего ползуна 1 клинья 2 входят в промежутки между выводами, Когда...

Номер патента: 741488

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Виксне, Котиков, Толстяков

МПК: H05K 1/04

Метки: аппаратуре, измерительной, контактное, подключения, транзисторов

...пазами и разделительной перемычкой 10, служащей для изоляции выводов транзистора и контактных элементов 6 от радиатора. Водоль пазов корпуса расположена кресто. о образная перегородка 11, служащая для изоляции контактов друг от друга.В прижимной крышке 12, являющейся корпусом размещены три изоляционные втулки 13)с контактными штырями 14, которые выполня- д ют функции перемычек между контактными гнездами 5 и фиксаторов крышки относитель.но основания. В прижимной крышке установлены контактная пластина 15, электрически соединенная с одним из штырей 14 и металличес- зр кая вставка 16, выполненная за одно целое с радиатором, скрепленная с помощью винта 17 с изоляционной головкой 18. Вставка 16 снабжена сменной резьбовой втулкой 19 с...

Номер патента: 744386

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Бровко, Еремин, Разлом

МПК: G01R 31/02, G01R 31/26

Метки: замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации, электродов

...уровню 6 О(логический 1 О) (Фиг, 2 г и Фиг.Зг).Так как с выходов усилителей 7 и 11на входы схемы 8 И-НЕ подают низкийУРовень напряжения (Фиг. 2 в,г и Фяг,Звг), а на входы схемы 13 И-НЕ поают низкий уровень с выхода усяли:еля 7 я высокий уровень напряженияс выхода янвертара 12, то, следовательно, на выходе схем 8 и 13 уста-.навливается высокий уровень напряжения (логическая1 ), который невызывает срабатывание триггеров Э и14 и индикаторы 10 и 3 не вклкчаютсясигнализируя тем самым об исправности испытуемого транзистора 3,В случае появления при механическом воздействии кратковременного илипастояннога деффекта (обрыва одногоиз электродов транзистора или короткого замыкания между электродами) вточке А возникает испытуемый сигнал(фиг. 2...

Номер патента: 744388

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Ледовский, Чалый

МПК: G01R 31/26

Метки: коррекции, полевых, температурной, транзисторов, характеристик

...сток-исток, например прн Уох -+ 0 либо в области насыщения, где и считается независимым от температуры, что сужает диапазон коррекции,Целью изобретения является расширение диапазона температурной коррекции характеристик управляс мых резисторов на полевом эффекте.Поставленная цель достигается тем, что в известном устройстве, содержащем источникк управляющего напряжения, резисторы, измерительный прибор, масштабный усилитель, в цепь обратной связи которого включен термозависимый элемент, источник напряжения компенсации, источник напряжения восстановления, прн этом первый вход масштабного усилителя через резистор соединен с истоком полевого тран.зистора, второй вход масштабного усилителя соединен через второй и третий резисторы с...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...

Номер патента: 748581

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Белов, Бердникова, Воронкова, Мозжевитинов, Назаров, Синенко, Тяпкина

МПК: H01L 21/66

Метки: выводами, жесткими, сортировки, транзисторов

...механизма загрузки 1 изделие17 под действием собственного весаподается на 4 -образную вилку 3каретки 2; при этом М -образйаявилка со скосами 4 и 5 находитсяпод механизмом загрузки, При движении каретки к контактному узлуб (это положение каретки показанона чертеже) иэделие по скосам 4 и 51-образной вилки постепенно опускается в приемник контактного узла.После осуществления технологическрйоперации (контактирование и замерэлектрических параметрон) иэделиепоступает в вертикальный транспортирующий канал с направляющими 7и под действием собственного весапродвигается вниз. Изделие перемещается до тех пор, пока не будетостановлено соответствующим изштоков 12 1212одногопневмоцилиндров фиксирования 11,11, ,11 в зависимости от группыизделия....

Номер патента: 771578

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Бингелис, Пукянец

МПК: G01R 31/26

Метки: граничного, транзисторов

...соединен через схему срав- . нения со. вторым входом схемы выборки и запоминания, а первый вход последней соединен с коллектором испытываемого транзистора, а выход - с импульсным вольтметром.На чертеже приведена функционалй ная схема описываемого устройства.771578 Формула изобретения Составитель А. ПурцхванидзеРедактор . Абрамова Техред Т.Маточка Ко екторС. Ыекмар. Заказ 6688/57 Тираж 1019 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Устройство содержит генератор 1 импульсов тока базы, источник коллекторного напряжения 2, токозадающий резистор 3, индуктивность 4, испытываемый транзистор 5, датчик тока коллектора 6, схему...