Патенты с меткой «транзисторов»

Номер патента: 1412456

Опубликовано: 10.09.2000

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

1. Устройство для испытания силовых транзисторов по авт.св. N 1128203 (п. 1), отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено двумя сглаживающими индуктивностями и ведомым инвертором со средней точкой, которая подключена к выходу от средней точки источника питания, положительный и отрицательный полюса которого соединены с первыми выводами соответствующих сглаживающих индуктивностей, вторые выводы которых соединены с соответствующими полюсами ведомого инвертора.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что источник питания выполнен в виде трехфазного входного трансформатора с магнитопроводом, вторичные обмотки которого соединены в звезду и подключены к...

Номер патента: 1825155

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Дмитриев, Новиков, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, отбраковки, транзисторов

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий приложение напряжения питания между коллектором и эмиттером транзистора, измерение тока и сравнение его с допустимым значением, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности способа, между коллектором и эмиттером прикладывают высокочастотное напряжение и увеличивают его амплитуду до лавинообразного открывания транзистора, после чего уменьшают амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора до его лавинообразного выключения, при этом фиксируют амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора, постоянные составляющие тока и напряжения эмиттера и амплитуду...

Номер патента: 1528159

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Авдошин, Дмитриев, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: дрейфовых, отбраковки, транзисторов

Способ отбраковки дрейфовых транзисторов, включающий подачу напряжения питания, измерение тока в цепи коллектор - эмиттер и сравнение его с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, напряжение питания подают высокочастотным и синусоидальным на фиксированной частоте при отключенном базовом выводе транзистора, затем амплитуду высокочастотного синусоидального напряжения питания линейно увеличивают от минимального значения до значения, при котором транзистор скачком открывается, уменьшают амплитуду высокочастотного синусоидального напряжения питания до значения, при котором происходит лавинообразное запирание транзистора, фиксируют амплитуды высокочастотного...

Номер патента: 1646394

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Дмитриев, Леднев, Миронов, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: дрейфовых, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки дрейфовых транзисторов, содержащее генератор высокочастотного синусоидального напряжения, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора и клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, которая соединена с первым выводом резистора и через конденсатор - с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности отбраковки, оно снабжено управляемым усилителем, генератором треугольного напряжения, детектором, дифференцирующим блоком, инвертором, четырьмя пороговыми блоками, регистром и блоком индикации, при этом выход генератора высокочастотного синусоидального напряжения подключен к входу управляемого усилителя,...

Номер патента: 1536987

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Буренина, Дмитриев, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока и входом дифференцирующей цепи, выход которой подключен к входу блока формирования импульсов, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму "Пуск" и блок индикации, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, оно снабжено генератором тактовых импульсов, двоичным счетчиком, цифроаналоговым преобразователем, усилителем мощности, двоично-десятичным счетчиком, блок индикации выполнен с дополнительными входами, причем...

Номер патента: 1507131

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Нечаев, Чернявский

МПК: H01L 21/28

Метки: затвором, полевых, транзисторов, шоттки

1. Способ изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки, включающий формирование на полупроводниковой подложке омических контактов истока и стока, нанесение металлизации, формирование на поверхности подложки в области затвора металлического электрода травлением металлизации через маску, последовательное нанесение первой и второй диэлектрических пленок, формирование фоторезистивной маски с окном над поверхностью металлического электрода, изотропное травление через окно в фоторезистивной маске второй диэлектрической пленки до вскрытия поверхности первой диэлектрической пленки, травление первой диэлектрической пленки до вскрытия поверхности металлического электрода, удаление...

Номер патента: 1840259

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов, включающий создание коллектора, базы транзистора, нанесение двухслойной маски, нижний слой которой является двуокисью кремния, вытравливание в маске эмиттерного окна, боковое подтравливание двуокиси кремния с образованием полости под вторым слоем маски, диффузию эмиттерной примеси, термическое окисление, вытравливание в окисле эмиттерного контакта, соответствующего окну во втором слое маски, вытравливание контактных окон к коллектору, базе и нанесение металлических контактов к электродам, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик транзисторов и повышения их надежности, в качестве второго слоя маски наносят поликристаллическим кремний и термическое окисление проводят...

Номер патента: 1828333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Матюшевский, Снитовский

МПК: H01L 21/33

Метки: транзисторов

Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кремниевую подложку через пленку термического оксида и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси, легирование эмиттерных областей, диффузионный отжиг эмиттерной примеси, вскрытие контактных окон и создание разводки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения...

Номер патента: 1586469

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 29/76

Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8)...