Патенты с меткой «транзисторов»

Номер патента: 1023512

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Плюснин, Шикалов

МПК: H02H 7/12

Метки: высокочастотного, защиты, транзисторов, усилителя

...пороговым элементом,активным делителем напряжения и цепочкой из последовательно включенныхрезистора и конденсатора, а испол 60нительный блок снабжен дополнитель.- ным вхсщом, причем выводы цепочкипоследовательно соединенных резистораи конденсатора подключены к выходудатчика тока и входу активного делителя напряжения, выход которого подключен ко входу дополнительного порогового элемента, выводы конденсаторацепочки последовательно соединенныхрезистора и кднценсатора подключеныко входу порогового элемента, дополнительный вход исполнительного блокаподключен к выходу дополнительногопорогового элемента.На чертеже представлена схемаустройства для защиты транзистороввысокочастотного усилителя,Схема содержит защищаемый высокочастотный...

Номер патента: 1026093

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Барабанщиков, Кафтин

МПК: G01R 31/27, H01L 21/66

Метки: затвор-исток, напряжений, пар, полевых, разности, транзисторов

...с источником опорного напряжения, дифференциальный усилитель и регулирующий элемент, причем первый вход вычитателя соединен с выходом генератора тока, а второй - с первым выводом второго резистора, выход вычитателя подключен к первому .вхо-,ду компаратора, второй вход которогосоединен с выходом источника опорного напряжения, а выход - с управляющим входом регулирующего элемента, вход которого подключен к выходу источника напряжения стока, авыход - к общей точке Соединенияпервого и второго резисторов, первые выводы которых подключены к пер- О вому и второму входам дифференциального усилителя соответственно, выход которого соединен с входом вольтметра.На чертеже представлена структур ная схема устройства.Устройство содержит...

Номер патента: 1032432

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Бирюков, Кузнецов, Прозоровский

МПК: G05F 1/10

Метки: интегральной, мдп, порогового, стабилизации, схемы, транзисторов, эффективного

...Таким образом,напряжеНий ЕЕ 6питания выражениесмещения подложки,вид: при постоянствеисточников 2 и 6для напряжения4 имеет .следующий 1 1032432Изобретение относится к электротехнике и предназначено для исполь, зования при производстве интегральных схем на полевых тарнзисторах сизолированными затворами. 5Известно приспособление для стабилизации порогового напряжения ИДПтранзисторов интегральной схемы,представляющее собой фосфорсиликатное стекло, наносимое на поверхность 10подзатворного диэлектрика 1.1Недостаток известного техническогорешения проявляется в невысокомкачестве стабилизации, обусловлен"ном подверженностью стекла влиянию 15различных дестабилизирующих факторов, а именно температуры, ионизирующих излучений и т,п,Наиболее близким...

Номер патента: 1035540

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Горин, Кленов

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, транзисторов

...которого соединен с выходомблока дифференцирования, которыйсвоим входом подключен к эмиттеруи базе транзистора.На чертеже приведена блок-схемаустройства для контроля тепловогосопротивления транзисторов,Устройство содержит генератор 1постоянного греющего тока, источник2 коллекторного напряжения, выполненный в виде генератора пилообразного бОнапряжения, компаратор 3, контролируемый транзистор 4, подключенныйколлектором к источнику 2 коллектор"ного напряжения, эмиттером - к генератору греющего тока, управляющий вход которого соединен с выходомкомпаратора 3, и блока 5. дифференцирования, вход которого подключен кпереходу эмиттер-база контролируемого транзистора 4, а его выход соеди .енен с входом компаратора 3, выходкоторого...

Номер патента: 1035682

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Зайцев, Рогов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, сортировки, транзисторов, электрическим

...20 и 21.К защелкам 18.и 19 крепятся упоры 22 и 23 соответственнд, фиксирующие угловое положение ключа транзистора. Над кареткой 3 установлены неподвижные направляющие 24 и 25, выполнен.ные из эластичного материала с большим коэффициентом трения. и защелкам 18 и 19 прикреплены ролики 26и 27 соответственно. Оба роликавзаимодействуют с копиром 28,размещенным у питателя 2, кроме того ролик 26 взаимодействует с толкателем 29, а ролик 27 - с толкателем .30, сообщая вертикальные перемещения защелкам 18 и 19 и закрепленнымна них упорам 22 и 23. Неподвижныеножи 10 и 14 примыкают к контактнымколодкам д и 9 соответственно иустановлены в плоскости движениятранзисторов при транспортированииих от питателя 2 к этим колодкам.Для прохождения подвижных...

Номер патента: 1041966

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Горюшкин, Овчинников

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, транзисторов

...измерений.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения: коэффициента передачи тока транэисторов, содержащее источник опорного напряжения, управляемый стабилизатортока, соединенний выходом с клеммойдля подключения эмиттера испытуемого 15 транзистора, а управляющим входом .- со схемой управления, измерительный операционный усилитель, в цепь отрицательной обратной связи которого включен блок нагрузок, а кего выходу подключен интегратор через аиа 1логовый ключ, соединенный также со .схемой управления, введены переклю-:чатель, преобразователь напряженияв ток и повторитель тока, имеющий,три входа и один выход и состоящийиз операционного усилителя и полево-. го транзистора, причем первым входом повторителя тока является...

Номер патента: 1049837

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Пиняев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, транзисторов

...сза счет отсутствия явления временногоЗ 5 близкой к нулю Энергией активации,отжига дефектов и более полного учета П р и м е р. Необходимо произвестиобъемных дефектов и утечек на поверх- разбраковку партии изготовленныхности полупроводникового криеталла. транзисторов типа МП 14, годные транЧем больше отличие реального транзис- зисторы по техническим условиям должтора от идеализированной модели, тем 40 ны иметь следующие параметры:больше будет превьааание величины тока коллектора при заданном прямом"кзотах15 В при 1 =+50 Ссмещении эмиттерного перехода.Цкэ,ц 10 В при-+70Для установившегосятехнологичес-О =-10 Вкого процесса изготовления полупро 8водниковых приборов величина 0 у"- оэЦ =-15 Вкэк30 мкА 4 ри =+20-С итанавливается также...

Номер патента: 1061073

Опубликовано: 15.12.1983

Автор: Павасарис

МПК: G01R 31/26

Метки: граничной, транзисторов, частоты

...собой и подключенык коллекторной клемме испытуемогоприбора, четвертое реле соединеносвоим переключающим контактом с ат"тенюатором измерительного каналаразмыкающим контактом - с эмиттерной клеммой испытуемого прибора, азамыкающим контактом - через четвертый согласующий резистор с общей шиной, зонды соединены с соответствующими иэмерительными вентилями черезпервый и второй усилители, первыйзонд расположен в линии измерительного канала между аттенюатором ичетвертым реле, а второй зонд размещен в линии опорного канала междувторым и третьим реле, при этомрасстояния от эмиттерной и коллекторной клемм до зондов определяютсяиз следующего соотношения:Д = .Ъ /4,где 2 - расстояние от клеют до зонда;Э - длина волны генератора,На чертеже приведена...

Номер патента: 1064241

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Дерр, Ефремов

МПК: G01R 31/26

Метки: полевых, порогового, транзисторов

...работы.Устройство содержит клеммы 1 дляподключения электродов испытуемогополевого транзистора (С - сток, И:исток, 3 - затвор), программируемыйблок 2 воздействий и измерения, .блок3 управления, программный блок 4,аналоговый компаратор 5, основной.ЦАП 256, коммутатор 7, выполненный, например, в виде ВБ-триггера 8, логического элемента ИСКЛЮЧАОЦЕЕ ИЛИ 9 и элект.ронных ключей 10 и 11. Устройствосодержит также аналоговый запоминающий блок 12, выполненный, например,в виде усилителя 13 постоянного тока(УПТ) с входным резистором 14, резистором 15 обратной связи и конденсатором 16 обратной связи, программируемый источник 17 тока, АЦП 18 и 35дополнительный ЦАП 19,Программируемый блок 2 воздействийи измерения служит для Формированияиспытательных...

Номер патента: 1064245

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Беляков, Грицевский

МПК: G01R 31/28

Метки: переходных, тепловых, транзисторов, характеристик

...в виде двух блоков запоминания напряжений, задатчика температурного коэффициента и последовательно включенных операционного усилителя, делителя напряжений, аналого-цифрового преобразователя и индикатора, причем источник коллекторного напряжения соединен своими выходами соот ветственно с коллекторной шиной непосредственно, а с эмиттерной шиной через эмиттерный шунт, к базовой шине присоединены выходы генератора измерительного тока непосредственно и дифференциального усилителя через базовый шунт, входы эмиттерного и базового усилителей подключены соответственно к выходам эмиттерного и базового шунтов, а их выходы - к входам суммирующего усилителю, сое диненного своим выходом с первым входом дифференциального усилителя, второй вход...

Номер патента: 1064488

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Борщ, Кузнецов

МПК: H05K 1/11

Метки: блоку, выводами, измерительному, однонаправленными, подключения, транзисторов

...гальваническое серебряное покрытие.Корпусный 11 и базовый 21 выводыбольшей частью своей длины находятся внутри ц-образного экрана 5 в 25полости над прокладкой б, Их произвольное контактирование с боковымиповерхностями этого экрана не вноситпогрешностей в измерения, так каквесь сверхвысокочастотный ток в силу ЗОсвоих свойств устремляется на наружную поверхность экрана от первых,строго заданных конструкцией устройства точек их контактирования сэкраном, т,е. для корпусного выводаот поверхности гнезда 10 надшариком3514, для базового вывода - от поверхности пластины 19 в районе желоба 20.Вся собранная конструкция экранаточно фиксируется в Ш-образной колодке винтами 28 и системой направ Оляющих пазов и поверхностей. меньше усилия...

Номер патента: 1075201

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Попов

МПК: G01R 31/26

Метки: критического, транзисторов

...ключ, а генератор импульсного тока снабжен управляющим входом, соединенным с выходом генератора линейно-изменяющегося напряжения причем входы детектора и первого пикового детектора подключены к выходу усилителя, выход детектора соединен с первым входом компаратора, второй вход которого соединен с выходом перного пикового.детектора, выход компаратора подключен к управляющему входу ключа, вход которого подключен к второму выходу источника напряжения и первому выводу токосъемного резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, выход ключа через второй пиковый детектор соединенс индикатором.На фиг. 1 приведена структурная схема устройства; на Фиг, 2 " график зависимости граничной частоты транзисторов от тока...

Номер патента: 1081574

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Бингелис, Клебанский, Шпаков

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...напряжения стока и нагрузка, параллельно которой вклю чена первичная обмотка трансформатора, во вторичной обмотке которого включен измеритель переменного напряжения 23Однако в известном устройстве 4 О необходима линейная характеристика усилителя переменного напряжения в большом диапазоне измерения амплитуд сигнала при значительном его усилениичто приводит к неудобству 45 измерения и снижению помехоустойчивости из-эа малого уровня выходного сигнала, обусловленного необходимостью выполнения условия малости сигнала, а также иэ-за наводок и пролеэаний амплитудного характера.Целью изобретения является увеличение помехоустойчивости.Указанная цель достигается тем, что в устройство для измерения крутизны характеристики полевых транзисторов,...

Номер патента: 1083136

Опубликовано: 30.03.1984

Автор: Попов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, свч, транзисторов

...соединен с первой шинойконтактной головки 2 для подключенияиспытуемого транзистора, вторая шинакоторой соединена с выходом источника 3 питания транзистора, а третьячерез последовательно соединенныенаправленные ответвители 4-6,включенные в линии передачи СВЧ мощности, соединена с согласованнойнагрузкой 7,.второй выход генератора1 рабочего СВЧ сигнала подключенчерез аттенюатор 8 к первому входумодулятора 9, второй вход которогосоединен с выходом генератора 10низкой частоты, а выход в , с входомответвителя 6, входы ответвителей4 и 5 соответственно соединены черезпоследовательно соединенные детекторы ,11 и 12 и избирательные усилители 13и 14 с первым и вторым входами измерителя 15 отношения, выход которогоподключен к индикатору...

Номер патента: 1083306

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Казанцев, Патлахов, Чернышев

МПК: H02M 1/00

Метки: включении, импульсном, насыщением, параллельном, работающих, равномерного, режиме, токораспределения, транзисторов

...подсоединен одним из выводовк базе соответствующего транзистора Г 23,Недостатком известного устройства является значительная импульснаярассеиваемая мощность, обусловленнаязатягиванием времени переключения отдельных транзисторов.Цель изобретения - снижение импульсной рассеиваемой мощности засчет обеспечения равномерного распределения токов между транзисторамина этапе рассасывания избыточных носителей в момент выключения..Поставленная цель достигается тем,60что в устройстве для равномерноготокораспределенияпри параллельномвключении транзисторов,работающих вимпульсном режиме с насыщением,содержащем Резисторы и конденсаторы 65 по количеству транзисторов и выводуправления, причем базы транзисторов подключены через соответствующие...

Номер патента: 1084709

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Горин, Малашихин, Мирошник, Нуров, Шкурина

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, рассеяния, транзисторов

...собранный на основе переключателя 34 с контактами 35-38 и переключателя 39 с контактами 40-43, усилитель 19 в составе входного каскада на полевом транзисторе 44 с нагрузкой 45 в цепи истока и конденсатором 46, включенным параллельно его входу, усилительного каскада на микросхеме 47 типа операционный усилитель и элементах, обеспечивающих режим микросхемы 47, а имен но резисторах 48 - 50, конденсаторах 51 и 52 и диодах(стабилитронах) 53 и 54, и составного эмиттерного повторителя на транзисторах 55 и 56, и резисторах 57 и 58; высокоомный делитель напряжения на резисторах 20 и 21 в цепи сравнения схемы стабилизации коллекторного напряжения; высокочастотные гнезда 59 для подключения опорного и 60 для измерительного канала векторного...

Номер патента: 1101762

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Муртазин

МПК: G01R 31/26

Метки: предварительной, проверки, транзисторов

...и второй диоды 7 и 8, причем катод первого диода 7 соединен с анодом второго диода 8, генератор 9 двухполярных импульсов, управляемый переключатель 10, третий и четвертый диоды 11 и 12 и третий и четвертый накопительные конденсаторы 13 и 14, первый, второй, третий и четвертый пороговые элементы 15-18, дешифратор 19,первый и второй триггеры 20 и 21,первый и второй интеграторы 22 и 23, блок 24 сравнения, элемент И 25 и блок 16 управления, при этом выход генератора 9 двухполярных импульсов соединен с четвертой вертикальной шиной коммутатора 1, а его вход - с первым выходом блока 26 управления, шина второго выхода которого соединена с управляющим входом коммутатора .1, пятая и шестая вертикальные шины которого соединены соответственно....

Номер патента: 1103163

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Бингелис, Клебанский, Матусявичюс, Шуркус

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...измерения 0 статического коэффициента передачитока транзисторов, содержащее источник коллекторного напряжения, первыйвыход которого подключен к клеммедля подключения коллектора испытуемого транзистора, а второй выход - кобщей шине, генератор тока эмиттера,первый выход которого подключен кклемме для подключения эмиттера испытуемого транзистора, а второй выход 0 подсоединен к общей шине, блок выбора пределов и индикатор, введены преобразователь ток-код и блок делениякодов, первый вход которого подключен к управляющему входу генераторатока эмиттера, второй вход подсоединен к входу блока выбора пределови к выходу преобразователя ток-код,первый вход которого подключен кклемме для подключения базы испытуемого транзистора, второй вход...

Номер патента: 1109685

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Дерр, Ефремов

МПК: G01R 31/26

Метки: полевых, порогового, транзисторов

...соединенные входами с соответствующими входами блока управления, а своими выходами - соответственно с клеммами для подключения стока и истока испытуемого прибора, выходную клемму и операционный усилитель, неинвертирующим входом соединенный с общей шиной, а инвертирующим входом - с первым выводом входного резистора, введены повторитель и резистор обратной связи, а режимный источник питания снабжен дополнительным входом, причем клемма для подключения затвора испытуемого прибора присоединена к общей шине, вход повторителя соединен с клеммой для подключения исто ка испытуемого прибора, а выход повторителя - с выходной клеммой и с вторым выводом входного резистора, резистор обратной связи включен между инвертирующим входом операционного...

Номер патента: 1120462

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Житков, Петров, Пичугин

МПК: H02M 1/08

Метки: запирания, транзисторов, форсированного

...близким к изобретениюпо технической сущности является 20способ форсированного запираниятранзисторов, заключающийся в том,что подают запирающее напряжениена переход эмиттер-база транзистора 2. 2 ЗНедостатком способа являетсято, что при частотах в десятки килогерц, время, в течение котороготранзистор находится на границе активной области, составляет значительную часть рабочего периода. Нриэтом очень сильно возрастают статические потери в транзисторе.Целью изобретения является повышение КПЛ.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу форсированно.го запирания транзисторов, заключающемуся в том, что подают запирающее напряжение на переход эмиттербаэа, одновременно с подачейзапирающего напряжения формиру-,ют...

Номер патента: 1122983

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Казаков, Мартяшин, Орлова, Спирин, Цыпин

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, току, транзисторов, усиления

...соединена с инвертирующим входом первого усилителя, неинвертирующий вход которого соединен с выходом сумматора и с первым контактом замыкающей группы контактовпереключателявторой контакт кото-рой соединен с выходом первого усилителя, вторая клемма для подключе - ния коллектора транзистора подключена к инвертирующему входу второго усилителя, неинвертируюший вход которого соединен с выходом источникапостоянного напряжения, а выход - с вторым контактом размыкающей группы контактов переключателя. 10На Фиг. 1 представлена блок-схема устройства для измерения коэффициента усиления по току транзисторов, вмонтированных в схему, на фиг, 2 полные временные диаграммы, поясняю щие работу устройства; на фиг. 3 пример выполнения блока...

Номер патента: 1125560

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Воробьев, Инкерманлы, Косой, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: диапазонов, параметров, свч, транзисторов

...температуры, выход генератора импульсов соединен с управляющими входами возбуждающего генератора и первого, второго и третьего управляемых ключей, один из выводов блока питания через индикатор тока соединен с вторым дросселем и измерителем напряжения, а другой вывод через третий управляемый ключ - с общей шиной.При этом оконечный измеритель мощности подсоединен к разъему для подключения испытуемого транзистора через введенный направленный ответвитель, к выходу основного плеча которого подключена введенная рассогласованная нагрузка.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения параметров транзисторов ВЧ- и СВЧ -диапазонов.Устройство для измерения параметров транзисторов ВЧ-и-СВЧ-диапазонов содержит...

Номер патента: 1128203

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

...ячейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор, причем дополнительный диод подключен по отношению к полюсам источника питания идентично диоду ячейки.Кроме того, при йснытании транзисторов одинаковым током К =8/2.3 11282На фиг. 1 показана принципиальная схема устройства; ,на фиг, 2 - принципиальная схема устройства с дополнительными диодами и реакторами; на фиг. 3 - эпюры токов и напряжений на испытываемых транзисторах, эпюры токов накопительных реакторов и эпюры тока, потребляемого от источника питания.Устройство для испытания силовых 10 транзисторов (фиг. 1) содержит источник 1 питанияи четыре ячейки, каждая ячейка содержит накопительный реактор 2-5, диод 6-9 и клеммы для подключения транзистора....

Номер патента: 1138767

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Бингялис, Клебанский, Матусявичюс, Станкявичюс, Стукас

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициенту, передачи, разбраковки, статическому, транзисторов

...первого генератора импульсов тока, синхранизирующий вход которого соединенс первым выходом блока синхронизации, второй выхоц которого подключен к синхронизирующему входу второ. -го генератора импульсов тока, первывыход которого соединен с клеммойдля подключения базы испытуемоготранзистора, а второй выход - с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора, общей шиной ивторым выходом первого генератораимпульсов тока.На фиг. 1 приведена блок-схемаустройства, на фиг. 2 - эпюры, пояс-,няющие работу устройства; на фиг. 3 -функциональная схема одного из варйантов выйолнения генератора импульсовтока,Устройство для разбраковки транзисторов по статическому коэффициенту передачи тока содержит источник 1 коллекторного напряжения,...

Номер патента: 1190552

Опубликовано: 07.11.1985

Автор: Промтов

МПК: H05K 7/12

Метки: биполярных, контактное, подключения, транзисторов

...2 и 3 размещены между колодок 9 и 10 и планкой 11 и расположены в нижней части корпуса 1. Верхние концы проходят через два вертикальных паза 7 гребенки 5, Гребенка 5 опирается на выступ 12, выполненный в корпусе 1, В горизонтальном пазу 8 гребенки 5 между пластинчатыми пружинами 2 и 3 и боковыми стенками гребенки размещены два стержня 13, Корпус, гребенка, колодки, планка, стержни выполнены из изоляционного материала.Контакты базового и эмиттерного выводов и средство их управления расположены с одной стороны корпуса. В другой стороне корпуса установлены контакты коллектор- ного вывода - две пружины 4, Рабочие концы этих контактов расположены в наклон 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ных пазах 14 корпуса 1. Все контакты закрыты крышками 15 и 16....

Номер патента: 1226562

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Бингелис, Василяускас

МПК: H01R 13/10

Метки: аксиальными, выводами, констактное, подключения, преимущественно, транзисторов

...- повьппение надежности контактного взаимодействия с многогранным штырем, длина которого меньше окружности, вписанной в многогранник его сечения, а также фиксация штыря в осевом направлении., На чертеже представлено предлагаемое устройство.Устройство содержит диэлектрический корпус 1, цилиндрическоегнеэдо с базовой поверхностью 2,крышку 3 и упругую цилиндрическую спираль 4. Штырь 5, например в виде фланца корпуса транзистора, своим торцом 6 многогранника 7 упирается в базовую поверхность гнезда. Спираль изогнута в виде тора и заложена в кольцевую проточку гнезда. Внутренний диаметр тора меньше диаметра окружности, описанной вокруг многогранника. фланца корпуса. Ребра многогранника введены между витками пружины, а плоскость 8,...

Номер патента: 1238007

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Бахтин, Киселев

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, времени, кристаллов, постоянной, тепловой, транзисторов

...считать темпера туру корпуса транзистора постоянной и равной температуре окружающей среды. Тогда изменение база-эмиттерного напряжения целиком определяется изменением температуры кристалла транзистора и можно вычислить тепловую постоянную времени кристалла. В этом случае время определения х (10210 ) , что на порядок меньше, чем в известном способе. 40Данные утверждения можно пояснить следующим образом.Падение напряжения на базе-эмиттерном переходе можно записать в виде45 Р =о 1,А,1 эТР 21 О 2 е 2" кр Из трансцендентного уранения (8)с помощью электронного вычислительного устройства можно с любой наперед 55 заданной точностью вычислить значение. Однако на практике точностьопределения тепловой постоянной времени, равная 57, более...

Номер патента: 1238193

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Бурлаков, Марков, Федорова

МПК: H02H 7/122, H02M 7/537

Метки: автономный, защитой, инвертор, транзисторов

...узла 11 коммутации соответственно.При выполнении этого условия элементы 7 - 16 не оказывают влияния на динамический режим автоколебаний инвертора при сопротивлении нагрузки, большем или равном номинальному значению. соответствующему максимально допустимой выходной мощности авто- генератора.При уменьшении сопротивления нагрузки в диапазоне от номинального значения до критической величины, соответствующей выходной мощности, при которой происходит срыв колебаний, в инверторе из-за наличия внутренних сопротивлений в обмотках и К транзисторов снижается величина выходных напряжений, в том числе дополнительных обмоток 7 и 12. Выбором параметров узла 11 коммутации, делителя 14 напряжения обеспечивается режим работы триггеров 10 и 15 таким...

Номер патента: 1241347

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Копылов, Лесин, Меркулов

МПК: H02H 7/10

Метки: блока, включенных, защиты, параллельно, транзисторов

...токапо одной из цепей блока параллельновключенных транзисторов 2 в результате неисправности транзистора, предохранителя 1, монтажа или в результатесрабатывания предохранителя 1, импульс напряжения на третьей обмоткесоответствующего датчика 5 наличиятока в момент прохождения тактовогоимпульса не возникает, При отсутствии иМпульса на одном из информационных входов мультиплексора 6, импульсна его инверсном выходе в соответствующий тактовый период также отсутствует. При этом 0-триггер 7 остаетсяв исходном нулевом состоянии. Импульсс выхода первого элемента 9 задержкипроходит на выход трехвходового элемента И-НЕ 16,второго счетчика 12 и через второй элемент НЕ 14 - с вторыми входами блока двухвходовых элементов И-НЕ 18, выходы...

Номер патента: 1246030

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Рудский

МПК: G01R 31/30

Метки: вторичного, пробоя, силовых, транзисторов

...поля от его линейной аппроксимации.Для транзисторов с однородным слаболегированным коллектором коэффициент К имеет значение порядка единицы, а для транзисторов с диффузионным и -и"- переходом К увеличивается до двух.В мощных высоковольтных транзисторах при равномерном распределении плотности тока по площади эмиттера условия возникновения лавинной инжекции обычно не выполняются даже при максимально допустимых значениях 1. . Однако при включении, а также после потери тепловой устойчивости однородное распределение эмиттерного тока резко нарушается, поэтому ВЛ, обусловленный лавинной инжекцией, наб 1246030людается как на коротких, так и относительно продолжительных испытательных импульсах. Сильное сжатие тока в СТ,независимо от...