Патенты с меткой «токораспределения»

Номер патента: 257563

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дмитренко, Тницкий

МПК: H01M 10/48

Метки: исследования, токораспределения

...два другихи наружнымими массами,З 0 литом,Известно устроиство для исследования токораспределения на поверхности биполярного электрода химерического источника тока, содержащее сосуд с электролитом, биполярный электрод и измерительный орган.Однако это устройство не позволяет проводить подобные исследования в химических источниках тока с биполярными электродами.В предлагаемом устройстве, с целью по. вышения точности исследования токораспределения, токоотвод биполярного электрода выполнен в виде двух разделяющих сосуд на три изолированных объема металлических пластин, внутренний объем между которыми заполнен жидким металлом, например ртутью, а два других объема, образованных сосудом и наружными сторонами пластин с активными массами,...

Номер патента: 514389

Опубликовано: 15.05.1976

Автор: Зильберман

МПК: H02H 3/32

Метки: дифференциальных, единицы, защит, коэффициентом, линий, отличным, пуска, токораспределения, электропередач

...при котором еще возможно срабатывание пу- СКОВОГО ОрГаиа Куст, макс 118Так как при несимметричных повреждениях величина отношения модуля тока прямой последовательности к модулю тока обратной последовательности изменяется от 1 (при од;офазном к. з. без учета тока нагрузки) до 10 - 14 (при двухфаз 1 ном к.з. на землю с учетом предшествующего тока нагрузки), то, подбирая величины балластных резисторов в цепях токов 1 прямой и обратной 1 последовательностей при равенстве параметров промежуточных трансформаторов 3 и 4, можно добиться надежного срабатывания пускового органа при всех несимметричных по".,режде 1;:1 ях в каждом конкретном случае при несрабатывании его в нагрузочном режиме.Емкостные токи и токи 1 подпитки,...

Номер патента: 524542

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Гете

МПК: H02P 13/16

Метки: двумя, между, параллельными, преобразователями, статическими, токораспределения

...каждый из которыхуправляется сигналами от защитного устройства 24и через блок измерения 25, от датчика 26 сети и 30магнитного усилителя соответствующего преобразователя.Суммирующие устройства 5 и 6, дискриминаторы уровня 7 и 8, логические схемы "И" 9 и 10, и однотипные мультивибраторы 11 и 12 образуют два блока сравнения 27 и 28, причем выходы мультивибраторов 11 и 12 являются выходами этих блоков,Устройство работает следующим образом, Сигнална выходе, например, логической схемы 9 означает нежелательно большой ток в одном из преобразователей и необходимость разгрузить его с помощью другого, нормально работающего преобразователя.Это осуществляется с помощью однотактного мультивибратора 11, который на сигнал от схемы 9 выдает...

Номер патента: 968885

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Радионов, Райченко

МПК: H02H 7/12

Метки: ветвях, параллельных, преобразователя, токораспределения, фаз

...ветвях фаз пре- у 5образователя.Устройство содержит датчики тока1, подключенные ко входам блока сравнения 2 и блока выделения среднегоарифметического значения токов 3.Блок сравнения 2 состоит из каналовсравнения 4, каждый из которых содержит усилитель 5, входом подключенный к датчику 1, а выходом - к прямому входу первого .компаратора 6 непосредственнно и второго компаратора 7 через делитель напряжения канала 8. Инверсные входы компараторов 6 и 7, первый - через общий делитель напряжения 9, а второй непосредственно, подключены к выходублрка выделения среднего арифметического значения токов 3, подключенного также ко входам блоков вы.деления максимального 10 и минимального 11 средних арифметических значений токов, выходы которых...

Номер патента: 1002989

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Константинов, Рабодзей

МПК: G01R 31/26

Метки: интервалов, мощных, однородности, сохранения, токораспределения, транзисторах

...на основе предварительных исследований партиитранзисторов данного типа, включающих снятие характеристик зависи мости статического коэффициента усиления В от тока эмиттера и напря"жения коллектора, а также контрольоднородности токораспределения низбранном измерительном режиме осу щестнляемый, например, при исследовании распределения температуры поплощади транзисторной структуры спомощью инфракрасной техники илижидкокристаллических индикаторов, 15 либо косвенно путем снятия зависи-мостей напряжения база-.эмиттер отнапряжения коллектора при данномтоке эмиттера.Параметры измерительного режимавыбираются в области сохраненияоднородности токораспределения так,чтобы производная коэффициента уси"ления по току коллектора имела отрицательное...

Номер патента: 1083306

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Казанцев, Патлахов, Чернышев

МПК: H02M 1/00

Метки: включении, импульсном, насыщением, параллельном, работающих, равномерного, режиме, токораспределения, транзисторов

...подсоединен одним из выводовк базе соответствующего транзистора Г 23,Недостатком известного устройства является значительная импульснаярассеиваемая мощность, обусловленнаязатягиванием времени переключения отдельных транзисторов.Цель изобретения - снижение импульсной рассеиваемой мощности засчет обеспечения равномерного распределения токов между транзисторамина этапе рассасывания избыточных носителей в момент выключения..Поставленная цель достигается тем,60что в устройстве для равномерноготокораспределенияпри параллельномвключении транзисторов,работающих вимпульсном режиме с насыщением,содержащем Резисторы и конденсаторы 65 по количеству транзисторов и выводуправления, причем базы транзисторов подключены через соответствующие...

Номер патента: 1290869

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Козлов, Рабодзей, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, импульсных, мощных, однородного, работы, режимах, тепловой, токораспределения, транзисторов, устойчивости

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов, включающий задание эмиттерного тока и напряжения между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора, регистрацию изменения напряжения между выводами эмиттера и базы контролируемого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, эмиттерный ток задают в виде последовательности импульсов с заданной амплитудой, длительностью и периодом следования, а напряжение между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора подают одновременно с подачей одного из импульсов эмиттерного тока в виде импульсов со ступенчато возрастающей амплитудой, причем длительность каждой...