Способ отработки биполярных транзисторов

Номер патента: 1091783

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.

Номер патента: 1827144

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/02

Метки: биполярный, вертикальный, транзистор

1. Вертикальный биполярный транзистор, содержащий в полупроводниковой подложке коллекторную область типа проводимости с канальным ограничителем, базовую область противоположного типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости и пассивирующее покрытие по крайней мере на части поверхности базовой и коллекторной областей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения аномально высокого уровня и дрейфа обратных токов Iкэо и Iкэ транзистора благодаря предотвращению попадания избыточных неосновных носителей заряда базовой области в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода, базовая область транзистора содержит по крайней мере одну дополнительную область, в которой дефектность...

Номер патента: 1088120

Опубликовано: 23.04.1984

Автор: Ершов

МПК: H03K 17/60

Метки: переключающее

...транзисто" ров, введены дополнительный транзис- Я тор той же проводимости, что и транзисторы переключателя тока, и токовое зеркало на транзисторах того же типа 120 2проводимости, что и коммутируемыетранзисторы, причем база и эмиттердополнительного транзистора соедине ны соответственно с базой и эмиттеромпервого транзистора переключателятока, коллектор дополнительного транзистора подключен к входу токовогозеркала, выход которого соединен сколлекторами коммутируемых транзисторов, общая шина токового зеркалаподключена к шине источника питания,а коллектор второго транзисторапереключателя тока соединен с общейшиной источника питания.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого переключающего...

Номер патента: 1614009

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Болдырев, Талов

МПК: G05F 1/56, G05F 1/59

Метки: биполярных, включенных, выравнивания, динамического, параллельно, токов, транзисторов

...ИЛИ 201 - 20 п, первичные обмотки трансформаторов 251. - 25 пй2 включены между коллекторами каждых двух из биполярных транзисторов 11- 1 п, а каждая из вторичных обмоток 261 - 26 и п - 1),2 271 - 27 вт в х- между одним иа входов одного иэ логических элементов ИЛИ 201 - 20 п и вторым выходом соответствующего ему управляемого ключевого элемента 131 - 13 п, причем начало первичной обмотки 251 - 25 в те - 1 т соответственно хаждого транс 2форматора соединено с началом первой вторичной обмотки 261 - 26 "(" " этого2трансформатора, а конец первичной обмотки 251 - 25 Яп 1 ) - с концом второй2вторичной обмотки 271 - 27 и ь, одна2клемма 22 блока подключения второго источника 21 питания подключена к второму выводу каждого из развязывающих диодов...

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...