Патенты с меткой «транзисторов»

Номер патента: 1247796

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Голенкин, Сергеев

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

...источник 3 тока создает токи 1 и 12, протекающие через испытуемый и образцовый транзисторы соответствено, которые включены (фиг. 2) по схеме дифференциального каскада с зазем 5 1 О 15 20 25 зо 35 4 О 45 ленными входами, при этом 12 + 1 = 10 В исходном состоянии источник 11 коллекторного напряжения соединен с коллекторами испытуемого и образцового транзисторов через первый резистор Ят и сопротивления нагрузки И и Я 2 соответственно. Напряжения на коллекторах испытуемого и образцового транзисторов равны соответственноЦкб = Ек - Яг 10 - Р 11,1 Цкб 2 = Ек - Йт 10 - К 2 121причем индексом 1 обозначены величины, относящиеся к испытуемому транзистору. Величины Е, Рт и 10 выбираются такими, чтобы напряжение (Е. - К,10) было по крайней мере в...

Номер патента: 1274889

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев

МПК: B23K 31/02

Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов

...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...

Номер патента: 1290371

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Денисенко, Мережин

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, транзисторов, характеристик

...вольт-амперных характеристикбиполярных транзисторов, вид которыхявляется одинаковым для широкогокласса транзисторов, и их можно получить один из других путем указанныхопераций.В данном устройстве мультиплексорслужит для подключения выходов цифровых множительно-суммирующих блоковк шине вывода устройства. Адреснаяшина осуществляет операции управления ввода и вывода данных.Устройство работает следующим образом.В блок 2 с помощью адресной шины4 записываются цифровые коды, соответствующие параметрам транзисторовИ 1-М 8, причем выходы блока 2 соответствующие параметрам транзисторовМ 2-И 5, соединены соответственно свходами первого и второго аналоговыхмножительно-суммирующих блоков 5 и .12. В блок 1 памяти по шине 3 вводас помощью...

Номер патента: 1304007

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Осипов, Рабинский, Ружинский

МПК: G05F 1/56, H02M 1/00

Метки: включенных, выравнивания, параллельно, токов, транзисторов, эмиттерных

...суммирующий усилитель 5, первый 15 б и второй 7 базовые резисторы. При этом первый 1 и второй 2 параллельно включенные транзисторы соединены коллекторами между собой, первый 3 и второй 4 эмиттерные резисторы первыми 20 выводами соединены с эмиттерами первого 1 и второго 2 транзисторов соответственно, а вторыми выводами соединены между собой, первый и второй базовые резисторы первыми выводами 25 соединены между собой, а вторыми соединены с базами первого 1 и второго 2 транзисторов, Инвертирующий вход суммирующего усилителя 5 соединен с эмиттером второго транзистора 2,не- ЗО инвертирующий вход соединен с эмиттером первого транзистора 1, а выход соединен с базой второго транзистора 2.Устройство работает следующим образом.При...

Номер патента: 1085437

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Кассихин, Овчаренко

МПК: H01L 21/18

Метки: полевых, транзисторов

...удаляют. На фиг. 1 показана полупроводниковая подложка первого типа проводимости после нанесения на ее поверхность 55 первого диэлектрического слоя из двуокиси кремния, второго диэлектрического слоя на нитриде кремния, первого слоя фоторезиста, формирования в этих слоях отверстий и легирования через них примесью первого типа проводимости для образования диффузионного слоя в приповерхностном слое полупроводниковой подложки; на фиг.2 третий диэлектрический слой, нанесенный на поверхность полупроводниковой подложки после удаления первого слоя фоторезиста в отверстиях в первом и втором диэлектрических слоях, после удаления первого и второго диэлектрических слоев; на фиг. 3 - дополнительное нанесение второго слоя фоторезиста и...

Номер патента: 1335820

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01 ...

Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов

...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...

Номер патента: 1451883

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Лямперт, Трухан

МПК: H05K 13/02

Метки: выводами, ориентированной, подачи, преимущественно, радиодеталей, транзисторов, ферромагнитными

...паза 17 для сброса непра вильво ориентированных радиодеталей относительно продольного паза 15, другой ориентирующий магнит 5 расположен эа продольным пазом 17 для сброса неправильно ориентированных радиодеталей и его полюса смещены относительно этого продольного паза в сторону, противоположную смещению первого ориентирующего магнита 4. Ширина продольного паза 15 для корпу 35 са транзисторов назначается в пределах 1,0 - 1,2 диаметра корпуса транзистора 6. Магнит 4 смещен относительно продольной оси разгрузочного лотка 2 на величину, равную 0,15 - 0,2 максимального размера транзистора, а смещение магнита 5 относительно магнита 4 составляет 1 - 3 максимальных размеров транзистора 6, 11 одача ориентированных транзисторов с 45...

Номер патента: 1478156

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Петров, Савелькаев

МПК: G01R 27/28

Метки: держатель, параметров, транзисторов, устройствах, электрических

...потери условно можно отнести к известной нагрузке, подключаемой в сечении 1-1, а ее коэффициент отражения представить в виде П, П -20 неизвестный комплексный коэффициент, учитывающий потери. Тогда для коэффициента отраженияв сечении 2-2 при условии= -1 (в сечении 1-1) получим1. Л. Лд Я- =А - в в в , - , (3)П аАгПг= я 1 П 1+АрИзмерение комплексного коэффициента отражения 0 в сечении 2-2 при установке в держатель короткозамыкателя, показанного на фиг, 5, с , = - -1 позволяет определить коэффицициент П, являющийся множителем для параметров А, А (выражение И).Кроме того, коэффициент учитывает ошибки первого приближения по параметрам А, А , По известной величине параметра П можно определить элементы не унитарной Б -матрицы каскадно 45...

Номер патента: 1524017

Опубликовано: 23.11.1989

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: транзисторов

...ОТНРЦТИЯПРИ ГКНТ СССР 1793/24-2111,8711.89.Бюл.Турченков(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ (57) Изобретение отно измерительной технике чено для контроля тра Цель изобретения - по верности контроля пут напряжений между эмит Изобретение относитс технике и предназначено исправности транзистораЦель изобретения - и товерности контроля пут напряжений на базовых и переходах транзистора,На фиг.1 показана бл шиной, а вторыми выводами ственно с клеммами 2 и 3,имуму этои зависимостиапряжений между во транзистора при энзисторы исправны при вусловия 0ц, 0 9 Унапряже,ие междуэтого транзистора.152401 7 Формула изобретения Составитель В,Масловскедактор Л,Зайцева Техред М,Ходанич орректор М.Ша аз 7039/48 Тираж 714 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1582264

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, перенапряжений, транзисторов

...равные соответственно(7) Ц= 1 К где И - падение напряжения на перВввом резисторе 8;Ц - падение напряжения на втой 1 ором резисторе 10; К ,К - сопротивление первого и второго резисторов 8 и 10 соответственно.При максимально допустимом напряжении питания для данной интегральной схемы(8) (9) К 3 БЭ 7 ъ Й 10 699где ц - напряжение база-эмиттербуйшунтирующего транзистора 7;Б - напряжение база-эмиттер ис-.БЭ 9полнительного транзистора 9. Как следует из выражений (8) и (9) эти транзисторы при допустимом питающем напряжении закрыты и на работу защищаемой схемы не влияют.При повышении питающего напряжения выше допустимого, коэФФициент лавинного размножения носителей И тран-зистора транзисторного датчика 6 уве" личивается и достигает...

Номер патента: 1598245

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Котова, Мамаев

МПК: H05K 13/02

Метки: ориентированных, подачи, преимущественно, транзисторов, фланцем

...усеченной втулки с фигурным пазом 9, двумя направляющими продольными отверстиями 10 под тросики 8 и желобом 11 по окружности цилиндрической поверхности втулки и установлено в трубке боковой прорезью к ее продольному срезу. Фиксация жестких звеньев между вибробункером 1 и питателем 3 с помощью тросиков 8 осуществляется размещением одних их концов на выходной части вибробункера 1, при этом другие концы жестко закрепляются на входе питателя 3, Средства фиксации жесткихзвеньев 5 в виде упругих скоб 6 устанавливаются на внешней поверхности трубки 7 в желобах 11 усеченных втулок.Устройство работает следующим образом. 5Вибробункер 1 подает иэделия к своему выходу и далее в гибкий лоток 2. Постепенно продвигаясь по лотку 2 за счет вибрации,...

Номер патента: 1614009

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Болдырев, Талов

МПК: G05F 1/56, G05F 1/59

Метки: биполярных, включенных, выравнивания, динамического, параллельно, токов, транзисторов

...ИЛИ 201 - 20 п, первичные обмотки трансформаторов 251. - 25 пй2 включены между коллекторами каждых двух из биполярных транзисторов 11- 1 п, а каждая из вторичных обмоток 261 - 26 и п - 1),2 271 - 27 вт в х- между одним иа входов одного иэ логических элементов ИЛИ 201 - 20 п и вторым выходом соответствующего ему управляемого ключевого элемента 131 - 13 п, причем начало первичной обмотки 251 - 25 в те - 1 т соответственно хаждого транс 2форматора соединено с началом первой вторичной обмотки 261 - 26 "(" " этого2трансформатора, а конец первичной обмотки 251 - 25 Яп 1 ) - с концом второй2вторичной обмотки 271 - 27 и ь, одна2клемма 22 блока подключения второго источника 21 питания подключена к второму выводу каждого из развязывающих диодов...

Номер патента: 1631473

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: транзисторов

...испытуемый транзистор не подключен к клеммам 1 - 3 и на клемму 4 не подано напряжение от источника опорного напряжения, на четвертый вход 16 элемента 12 неравнозначности поступает напряжение с выхода источника напряжения, подключенного к клемме 30 через резистор 19, Через дели -. тель 9 это напряжение прикладывается к инвертирующему входу третьего компаратора, в связи с чем на его выходе формируется напряжение противоположной полярности.Элемент 12 неравнозначности Формирует на своем выходе напряжение положительной полярности, когда на его входах имеются напряжения разной полярности, и напряжение, близкое к нулю, когда на его входах напряжение одной и той же полярности. В рассмотренном случае на выходе элемента не- равнозначности...

Номер патента: 1647477

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: исправности, транзисторов

...контролируемого транзистора к клемме 1 ток базы находился в диапазоне от 0,15 до 0,44 мА, в котором разность напряжений между эмиттером и коллектором транзисторов положительна и лежит в диапазоне от 20 до 60 мВ. Блок 10 контроля токов формирует на своем выходе напряжение положительной полярности при наличиии токов на обоих его входах, Если же ток отсутствует хотя бы на одном входе блока 10, то на его выходе напряжение отсутствует,Контролируемый транзистор произвольным образом подключается к клеммам 1-3. Если транзистор исправен, то при определенной полярности генератора 4, когда транзистор открыт, разность напряжений между любыми двумя его выводами по абсолютной велйчине превышает порог срабатывания блоков 5 - 7, и на их выходах имеют...

Номер патента: 970906

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Афанасьев, Будкевич, Вевиорский, Прокофьева, Соколов, Фролов

МПК: C30B 29/42, H01L 29/20

Метки: материал, полупроводниковый, свч, транзисторов

...хрома и кислорода, которые находяТся в структурно-связанном состоянии и в определенном соотношении . 40Отличие способа состоит в том, что примеси хрома и кислорода в виде глубоких акцептора и донора соответственно находятся в структурно связан ном состоянии при следующем соотно ,шенин компонентов, ат/смз:Арсенид галлия 4,42 10Хром (1-8) 106Кислород (1-10)10850Хром и кислород вводятся совместно в виде окиси хрома при компоновке шихты для получения высокоомного арсенида галлия методом Чохральского.Указанное количество хрома и кислоро да тождественно весовому проценту окиси хрома, вводимой в шнхту, и составляет О,02-0,067, по массе от исходного веса арсенида галлия,Указанное соотношение компонентов обеспечивает получение...

Номер патента: 1204039

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, мощности, рассеяния, транзисторов

...1. тоеоньй ключисточник напряжения 15 клемму пус-.Кя, б "1.П ГГрзоднког тК ОТСЕК За-д."."РЯНЗИСТСРЯ В ПРОТИВОПОЛОЖЕН .ИПУ ход к О т 0 Р с Г О с 0 е Д кн е ь с 11 е Р В ььа 1 ".хо"ДОМ схемы И ньгход которой чесез схему ИЛИ 5 соедкнек с упрднлио 1 цкм ВХОДОМ ГЕНЕПЯТОРЯ ГЧТНЬГХ КМГУЛа-.к -" упрднляющим Бх 0 дом Гене" ряторя тока 1, Выход которого СОЕДИНЕН С ГГЕРН 01 КЛЕММСй 1 (ДЛЯ ГГСДКЛЮЧЕНКЯ ЗМИТТЕРа ГГЗМЕР 5 ГЕИОГО транзкстсод21 Дтсрдя клем- МЯ 1 ОДля Г(одключенкя базы .; зменяд МО-.0 ТРДНЗ; ТРЯ 1 ОРД 11 НЕН.;. ":, "5теРОм понтсрктеля 13 к через токо огранкчкнаюв;ий Резистор 7 с базой ОТСЕК ЯЮЩЕ ГО ТРЯГНЗКСТОРЯ Я, ЗаГ".т"Е,: к 070 РОГО СОедкнек с выходом ксточ - НИКЯ НЯГ 10 яжения 1 Э Гао"ШЕКТОР СЕ- (Я 1 ЩЕГО 5 ЯЗС 0 СД Д...

Номер патента: 1676085

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Дмитриев, Пискарев, Рудский

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичного, защиты, контроле, параметров, пробоя, силовых, транзисторов

...момент 12, Протекаощий через диоды ток о 31 препятствует дальнейшему росту коллекторного напряжения 30. Одновременно начинается процесс спада тока коллектора к 29 в условиях практического постоянства напряжения коллектор-эмиттер ИТ, Ток через диод 10 при этом нарастает, поддерживая величину тока индуктивности на заданном уровне (. =: к + о. Уровень напряжения источника 9 Оф выбирается несколько превышающим уровень напряжения стабилизации Ост стабилитрона 14, поэтому в базовую цепь транзисторов 11 защиты начинает протекать ток з 32 приоткрывающий транзисторы 11. В результате спустя некоторое время задержки коллекторное напряжение ИТ ограничивается на уровне напряжения стабилизации Ост. При сникении напряжения 30 от величины О до О с...

Номер патента: 1682078

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Псарас

МПК: B23K 9/10

Метки: защиты, оборудования, перегрузок, сварочного, транзисторов, цепях

...поочередности работы силовых транзисторов регулятора, поступает на вход 31 (вы вод 31) коммутатора и через диод 29 на базу транзистора 19, Через открытый транзистор 19 протекает ток, соответствующий упомянутому сигналу: через резистор 25, переход эмиттер - коллектор транзистора 19 и резистор 21, являющийся коллекторной нагрузкой транзистора 19, Падение напряжения на резисторе 21, являющееся отображением управляющего сигнала, через вывод 34 коммутатора поступает на базу соответствующего силового транзистора регулятора и обеспечивает его работу в необходимом режиме. В это же время, когда транзистор 10 закрыт, ток через его эмиттерно-коллекторный переход мал, однако сумма падений напряжения на резисторе 14 и на змиттерно-коллекторном...

Номер патента: 1682942

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Борисов, Петров, Савелькаев

МПК: G01R 27/28

Метки: держатель, параметров, транзисторов, устройствах, электрических

...0 = 1, 2), определяемых выражением 10К=- Г 1 е 2", (6) где Г 1 - ККО, измеряемый в сечении 1-1 при последовательном соединении его с сечением 2-2 отрезком полосковой линиидлиной . 15Для определения ККО Г необходимо знать модули Ац, Оц, Сц и Фазы у)оц и Рсц собственных комплексных констант входного и выходного направленных ответвителей, которые для трех состояний р -- 20 и-диодов определяются их калибровкой, Калибровку можно выполнить с помощью пяти аттестованных калибровочных нагрузок с произвольными известными фазами и модулями, равными единице (одна из которых приведена на фиг,4), последовательно подключаемых в сечении 1-1 и 2-2, Для определения модулей и фаз собственных комплексных констант направленных ответвителей представляот...

Номер патента: 1702457

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Ескин, Тугов

МПК: H01L 29/73

Метки: выключения, транзисторов

...располагающуюся в основном в активной 5 и пассивной 6 базах и имеющую осьюлинию выхода 12 перехода 8 эмиттер - базана поверхность полупроводника, Генерируемые лавинной дырки 17 дрейфуют к элект 25 роду 7 базы, генерируемые электроны 18 -к электроду 11 эмиттера,Наиболее существенным в этом процессе является то, что выводимые из ВОК 3дырки 19 захватываются мощным полем30 лавины 16, ускоряются им и с высокой скоростью дрейфуют к электроду 7 базы, Диффузионный механизм вывода дырок, такимобразом, в значительной степени заменяется дрей фовым, что приводит к существен 35 ному уменьшению времени выключения, т,е. Повышению быстродействия УВБТ. Скорость диффузии носителей в современныхМВБТ составляет 0,05 - 0,5 мкм/нс, поэ) омутипичное время...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 1758609

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Дмитриев, Пискарев, Рудский

МПК: G01R 31/26, H02H 7/10

Метки: вторичного, защиты, контроле, параметров, пробоя, силовых, транзисторов

...блока 2 обнаружения ВП, Втораясхема 21 ,индикатор ВЧ - колебаний)содернит одновибратор и детектор высокочастотных колебаний, включенныймежду входом одновибратора и вторыминформационным входом 24, Третьясхема 22 обнаружения ВП (индикатор"хвоста" тока) содержит преобразователь "время-напряжения" и компараторы, включенные между входом преобразователя "время-напряжениян и информационным входом 25 блока 2 обнаружения ВП, Выходы предусилителя 27,одновибратора и преобразователя "время-напряжения" подключены к вгкходу26 блока 2 обнаружения ВП,Блок 3 индикации ВП содержит ключ,световой индикатор и источник напряжения питания и имеет вход 28 и выход 29. Вход ключа соединен со входом 28, а источник напряжения питания - с выходом 29 блока 3...

Номер патента: 1784383

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Иванова, Романенков

МПК: B21F 1/00

Метки: выводов, деформирования, транзисторов, цилиндрических

...устройстваными ребрами, аксонометрия; на фиг. 5 - рукой, приемник вместе с наружным рабосектор с опорной поверхностью и гибочным чим инструментом опускают на оправку 9,ребром, аксонометрия. Оправка 9, как бы двигаясь в пазах 2 приемУстройство содержит сборный прием ника 1,прижимаетребрами 10 выводытранник выводов транзистора 1 (фиг.1)в виде зистора к ребрам секторов 3 и производитвтулки с фланцем и радиальными пазами 2, необходимую деформацию. После снятияв пазы пЩеййика С внешней стороны вхо- усилия пружины 13, надетые на колонки 12,дяттибочные ребра йаружных рабочих инс-возвращают верхнюю часть устройства в иструмент- ментов-секторов.3 с верхними опорными 10 ходное положение. Поворотом кольца 7 проповерхностЫи втеле секторов...

Номер патента: 1785581

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Левин, Сандина

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, мощных, транзисторов

...ОЛМИКХлЙЮРЩМЮ Цепью иэобретенич чвпчетсч повышенгн граничного напрчгкенич транзистораПастэвпеннач цепь дастигаетсч тем, что и способе, вн пючанэщем формирование на гюна рцстаппвесной ппастцне стру.туры и-Трпа, нанесение ппенни онсида кремнии, фарг гцрованце окна, соответствующего базовой области транзистора, путем фатапгТографв. по ансиду нремнцч и изатрапнога травпенич 1 ремнич, формированц 1 эз 1 эв 1 эй абпасгц транзистора путег дцффуэии ан цептарной примеси, формировании транзисторной струнтуры, форщчровднце и на, соответствующего бааваи абпастц транзистора, проводчт допопнитепьуО фатапцтаграфцю, а цэатропнае травпенйе 1 ремнич праводчттопьно по пери",егру базовой Обпасти транэ стараЗа счет того соцрвнчетсч папностью и-спой на...

Номер патента: 1800501

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...типа (А,Е-центры, комплексы. С 5-Сь дивакансии), в процессе пассивации происходит электрическое взаимодействие между отрицательно заряженными РД и положительно заряженными атомами водорода, В результате процесса комплексообразования отрицательно заряженные центры теряют рекомбинационную активность, Атомы водорода пассивируют также разорванные радиацией связи в решетке на границе 51-302, уменьшая плотность поверхностных состояний. Следствием этого является уменьшение механических напряжений на границе Я-З 02 и улучшение электрических параметров транзисторов, При эксплуатации приборов в полях ионозирующих излучений атомы водорода в решетке Йснижают вероятность устойчивых радиационных дефектов за счет взаимодействия с первичными...

Номер патента: 1811637

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Викулин, Глауберман, Козел, Чалая, Шахов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, магниточувствительных, транзисторов

...дефектов и наличие ионизации, Таким образом, облучение электронами позволяет повысить магниточувствительность, Кроме того, облучение электронами не требует дорогостоящего оборудования, непродолжительно по времени и технологически несложно,Образцы магниточувствительных транзисторов изготавливались из кремния и-типа с исходным удельным сопротивлением 1 Ом м по стандартной планарной технологии, Глубина залегания эмиттера и коллектора 2,5 мкм, Концентрация основной примеси в эмиттере 10 см, После сборки кристаллов магниточувствительных транзисторов в корпуса измерялась зависимость тока коллектора от прилагаемого магнитного поля и определялась магниточувствительность, Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе "Электроника". После...

Номер патента: 1817046

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Викин, Мещеряков, Числов

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, сопротивления, теплового, транзисторов

...приращение температуры перехода транзисто 25. ра при разогреве;Озб - прямое напряжение эмиттер-базатранзистора;Окн - начальное напряжение эмиттербаза при калибровке;Окр, напряжение эмиттер-база послевнешнего разогрева;Ь Оп - приращение напряжения эмиттер-база эа время протекания пачки импульсов греющего. тока;Ь Он - приращение напряжения эмиттер-база за время протекания непрерывно-.го импульса греющего тока;Ь Ом - максимальное допустимое приращение температуры перехода транзисто 40 ра при разогреве, .Способ осуществляется следующим образом,8 коллекторную цепь испытуемоготранзистора, например типа 2 Т 9136 АС,45 включенного по схеме с общей базой с эакороченным по переменному току выходом,имеющего начальную температуру корпусаТкнС...

Номер патента: 1817210

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Зайцев, Тихомиров, Чирсков

МПК: H02M 1/08

Метки: включенных, ключом, параллельно, силовым, силовых, транзисторов

...тока и элемент эадеркки 2, на выходе которого появляется логическая единица через время задержки 1 заи необходимое для включения транзистора (момент времени 1 з) при этом в момент времени 12 на выходе датчика коллекторного напряжения 4 появилась логическая 1, свидетельствующая о включении силовых транзисторов и снижении напряжения Окэ ниже порогового, установленного датчиком коллекторного напряжения силового ключа 4, Появление логической единицы с датчика коллекторного напрякения раньше единицы с выхода элемента задержки 2 приводит к блокировке элемента 2 И-НЕ 6 по входу 2, т.к, на выходе элемента 2 И - НЕ 5 появляется сигнал логического нуля, т,к. на входе 2 элемента 2 И-НЕ 5, соединенного с выходом элемента 2 И-НЕ б,...

Номер патента: 1544108

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Гутько, Латышев, Ломко, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...Ь га обратный ток переходаколлектор - база 1,ь (при разомкнутом выводе эмиттера), напряжение пробоя ц, коллекторного и-р-пе"рехода.Обозначения в таблице следующие:ИН"аа " 1исходные значения параметров после присоединения выводов,ф, (квант/смэ) - флюенс у-квантовпри радиационной обработке транзисторов перед нанесением полиимида,Т (С) и 1;г (мин) - температура ивремл проведения операции имидиэацииполиимида, Тз (С) лл С (мин) - температура и время отжига радиационныхдефектов введенных при облученииФлюенсом Ф; Ь , 1, в , значенияпараметров после проведения всех технологических операций,Прй испытаниях радиационной стой"кости определялись максимальная скорость деградации К коэффициента усцленил при облучении11 га(ф ) - Ь г а(фг)ЕС ю...

Номер патента: 1010994

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, транзисторов

...охранногокольца одинакового типа проводимостис базовой областью, удаление легированного окисла и создание нового слоямаскирующего окисла, фотогравировкуобласти. базы, диййузию базы, удаление %легированного окисла и создание нов,го слоя маскирующего окисла, йотогравировку области эмиттера, диййузию эмиттера, зотогравировку контактов к базе и эмиттеру, создание металлизации, после окисления подложкина нее наносят нитрид кремния, проводят зотогравировку по нитриду кремния, оставляя его на области базы,осуществляют локальное окислениеподложки, удаляют слои нитрида кремния и нижележащего окисла, повторноокисляют поверхность открытого кремния до толщины окисла 0,11-0,17 мкм,проводят дийузию для созДания охранного кольца, затем...