Патенты с меткой «основе»
Способ получения монокристаллических постоянных магнитов на основе сплава fe-co-cr-mo
Номер патента: 1723853
Опубликовано: 09.02.1995
Авторы: Алексеев, Винтайкин, Гриднев, Кузнецов, Сидоров
МПК: C30B 1/06, C30B 29/52, C30B 33/04 ...
Метки: fe-co-cr-mo, магнитов, монокристаллических, основе, постоянных, сплава
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ СПЛАВА FE-CO-CR-MO, включающий отливку поликристаллической заготовки из исходных компонентов с добавлением легирующей примеси, выращивание монокристалла и последующую обработку путем нагрева, закалки от температуры 1250 - 1300oС до комнатной температуры, повторный нагрев и ступенчатое охлаждение в магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитных и механических свойств, в качестве легирующей примеси используют германий в количестве 0,1 - 2,0 мас. %, а закалку ведут со скоростью 15 - 30 град/с до 700 - 750oС и далее со скоростью 70 - 100 град/с.
Способ получения терморасширяющегося соединения на основе графита
Номер патента: 1805632
Опубликовано: 20.02.1995
Авторы: Рудаков, Савоськин, Хабарова
МПК: C01B 31/04
Метки: графита, основе, соединения, терморасширяющегося
...ч не обеспечивает высокого коэффициента вспучивания продукта, в более 4,0 ч экономическинецелесообразно,Окисление при температуре менее 20 С 45нетехнологично, требует много времени и дает продукт низкого качества при температуре выше 50 С - дает продукт с низким коэффициентом вспучивания.Использование менее, чем 85-ной азотной кислоты дает продукт низкого качества.Преимуществами заявляемого способа являются его высокая технологичность и экономичность.П р и м е р 1, 3 г графита марки ГТкрупностью 0,5-1 мм помещают в термостатируемый при 30 С проточный трубчатый реактор и обрабатывают парами 100-ной азотной кислоты (б - 1,51 г/смз) в течение 4 ч, затем промывают дважды по 15 см ледяной уксусной кислоты, обрабатывают 20 см воды,...
Способ получения терморасширяющегося соединения на основе графита
Номер патента: 1614350
Опубликовано: 20.02.1995
Авторы: Кущук, Рудаков, Рудакова, Савоськин, Хабарова
МПК: C01B 31/04
Метки: графита, основе, соединения, терморасширяющегося
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОРАСШИРЯЮЩЕГОСЯ СОЕДИНЕНИЯ НА ОСНОВЕ ГРАФИТА, включающий последовательную обработку графита азотной и уксусной кислотами и сушку полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения продукта с высоким объемным коэффициентом вспучивания, пониженной температурой начала вспучивания и высоким ресурсом работоспособности при одновременном оздоровлении условий труда, продукт после обработки уксусной кислотой обрабатывают водой.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что воду используют в количестве 5-15 см3 на 1 г графита.
Способ получения композиционных материалов на основе тугоплавких материалов и меди
Номер патента: 1615996
Опубликовано: 20.02.1995
Авторы: Бринза, Завитневич, Пономарев, Шмелев
МПК: B22F 7/02
Метки: композиционных, меди, основе, тугоплавких
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТУГОПЛАВКИХ МАТЕРИАЛОВ И МЕДИ, включающий формирование плоской заготовки прокаткой порошка, спекание и последующую уплотняющую прокатку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения анизотропии коэффициента линейного термического расширения материала, используют смесь порошков тугоплавких материалов и меди с содержанием меди 15 - 70 мас.%, уплотняющую прокатку ведут с суммарной деформацией 20 - 80% , а соотношение диаметра рабочих валков (D) к толщине исходной спеченной заготовки (Н) определяют из выраженияD : Н = 12,8А - 96,где А - коэффициент, соответствующий процентному содержанию меди.
Способ получения терморасширяющегося соединения на основе графита
Номер патента: 1476785
Опубликовано: 20.02.1995
Авторы: Земский, Рудаков, Рудакова, Савоськин
МПК: C01B 31/04
Метки: графита, основе, соединения, терморасширяющегося
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОРАСШИРЯЮЩЕГОСЯ СОЕДИНЕНИЯ НА ОСНОВЕ ГРАФИТА, включающий обработку порошка графита концентрированной азотной кислотой и сушку полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью сохранения способности к расширению целевого соединения при хранении до 100oС, перед сушкой продукт промывают уксусной кислотой и обрабатывают органическим веществом, выбранным из группы, включающей диметилформамид диметилсульфоксид, глицин, пиридиноксид, этаноламин, глицерин, сульфолан, этилендиамин или его водный раствор.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что промывку ведут уксусной кислотой в количестве 5 - 20 мл, а органическое вещество используют в количестве 0,02 - 1 мл на 1 г графита.
Шихта для получения спеченного твердого сплава на основе порошка карбида вольфрама
Номер патента: 1714863
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Ивенсен, Куралина, Лукашова, Тихонова, Фальковский, Эйдук
МПК: B22F 1/00, C22C 29/08
Метки: вольфрама, карбида, основе, порошка, спеченного, сплава, твердого, шихта
ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СПЕЧЕННОГО ТВЕРДОГО СПЛАВА НА ОСНОВЕ ПОРОШКА КАРБИДА ВОЛЬФРАМА фракций менее 2,5 мкм и 4-30 мкм, содержащая порошок кобальта фракции 0,5-5 мкм, отличающаяся тем, что, с целью повышения износостойкости сплава при ударных нагрузках, шихта дополнительно содержит порошок карбида тантала фракции не более 2,0 мкм при соотношении компонентов в карбидной фазе, мас.%:Карбид вольфрама фракции менее 2,5 мкм - 28 - 59Карбид вольфрама фракции 4-30 мкм - 38 - 69Карбид тантала фракции не более 2,0 мкм - 1,5 - 6,0и соотношении компонентов шихты, мас.%:Порошок кобальта - 6 - 20Порошки карбидов - Остальное
Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с f2-центрами окраски и способ ее получения
Номер патента: 1322948
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина
МПК: H01S 3/16
Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида
АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...
Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с f2 центрами
Номер патента: 1393290
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина
МПК: H01S 3/16
Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.
Регенерат и резиновая смесь для изготовления подошв на его основе
Номер патента: 1287554
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Абалихина, Костюченко, Курышева, Панов
МПК: C08J 11/00, C08L 9/00
Метки: основе, подошв, регенерат, резиновая, смесь
РЕГЕНЕРАТ И РЕЗИНОВАЯ СМЕСЬ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДОШВ НА ЕГО ОСНОВЕ.1. Регенерат, включающий крошку из отходов пористых резин на основе бутадиенстирольного, бутадиенметилстирольного и бутадиенового каучуков, стирольноинденовую, нефтеполимерную смолы и нефтяное масло, отличающийся тем, что, с целью повышения мягкости и снижения эластического восстановления регенерата, он дополнительно содержит алкилфеноламинную смолу, модифицированную 5 - 50 мас. % кубового остатка производства стирола, имеющую молекулярную массу 762 - 940, температуру размягчения 88 - 96oС, содержание азота 2,3 - 3,0 мас.% при следующем соотношении компонентов, мас.ч:Крошка из отходов пористых резин на основе бутадиенстирольного,...
Способ приготовления лазерной среды на центрах окраски на основе кристалла al2o3
Номер патента: 1597069
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина
МПК: H01S 3/16
Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах
1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.
Способ получения композиционных материалов на основе тугоплавких соединений
Номер патента: 1826305
Опубликовано: 10.03.1995
Авторы: Габаев, Кирдяшкин, Максимов
Метки: композиционных, основе, соединений, тугоплавких
...в результате растекания пространство на месте слоев пропитывающего 50 материала устраняется поджатием системы в процессе реакции. Реакция синтеза, пропитка и деформационное уплотнение про- исходят одновременно. 55 В данном способе используется как инертный, так и химически активный наполнитель. Химически активным наполнителем может быть экзотермическая смесь, обеспетолщиной менее 10 мм. При большей толщине возрастает остаточная пористость конечного материала вследствие ограничения чивающая подготовку расплава за счет тепла собственнсй реакции, а также материал, который при пропитке вступает в экзотермическую реакцию с пористым каркасом. Применение химически активного наполнителя значительно расширяет возможности СВС-пропитки....
Способ изготовления полупроводниковых тензорезисторов на основе моносульфида самария
Номер патента: 1820790
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Володин, Каминский, Сосова
МПК: H01L 21/34
Метки: моносульфида, основе, полупроводниковых, самария, тензорезисторов
...материала чувствительного элемента тензорезистора известно и применяется при производствефольговых неметаллических тензорезистоЗ 5 ров для увеличения их электросопротивления, а не для уменьшения ТКС, Никакихданных об изменении ТКС при примененииэтого технологического приема нет. Совокупность существенных признаков предла 40 гаемого изобретения позволяет врезультате их взаимодействия устранить отрицательное влияние оказываемое краевыми участками тензорезистора, что приводитк достижению цели, укаэанной в формуле45изобретения.На фиг.1 изображен тензорезистор и нанем пунктиром отделены удаляемые участки чувствительного слоя элемента (а - подложка, б - контактные площадки, в - тензочув 50 ствительный слой из ЯвЯ); на фиг.2представлена...
Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов шоттки
Номер патента: 1825234
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Воронин, Губа, Плахотная
МПК: H01L 21/18
Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки
...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...
Способ измерения расхода жидкости на основе ядерно магнитного резонанс
Номер патента: 1063175
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Биленко, Богданов, Бучель, Екатеринин, Полубесов
МПК: G01F 1/716
Метки: жидкости, магнитного, основе, расхода, резонанс, ядерно
1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАСХОДА ЖИДКОСТИ НА ОСНОВЕ ЯДЕРНО-МАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА, в котором протекающую по трубопроводу жидкость поляризуют постоянным магнитным полем, периодически наносят в потоке метки различной намагниченности, регистрируют время их перемещения на фиксированном участке трубопровода, автоматически поддерживают заданный фазовый сдвиг между последовательностью наносимых меток и последовательностью регистрируемых меток, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерения расхода за счет устранения неоднозначных устойчивых фазовых отношений при резком уменьшении расхода, периодически наносят контрольные метки, регистрируют фазовый сдвиг контрольных меток, выявляют несоответствие между этим фазовым сдвигом и заданным...
Хирургический шовный материал на основе полимера и способ его получения
Номер патента: 1241554
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Вольф, Гаврилова, Жуковский, Заикин, Искендеров, Клименков, Смолянская, Юшков
МПК: A61L 17/00
Метки: материал, основе, полимера, хирургический, шовный
ХИРУРГИЧЕСКИЙ ШОВНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ПОЛИМЕРА И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ.1. Хирургический шовный материал на основе полимера, содержащий ионообменный привитой полимер с присоединенным к нему антибиотиком гентамицином, отличающийся тем, что, с целью устранения послеоперационных гнойных осложнений, в качестве полимера он содержит полипропилен, в качестве ионообменного привитого полимера - поливинилсульфонат натрия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:Поливинилсульфонат натрия - 5,6-8,4Гентамицин - 9,9-14,3Полипропилен - Остальное2. Способ получения хирургического шовного материала путем прививки к полимерной нити ионообменного полимера и погружения в раствор гентамицина, отличающийся тем, что, с целью...
Способ получения монокристаллических труб из тугоплавких металлов и сплавов на их основе
Номер патента: 1213780
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Репий, Рымашевский, Ястребков
МПК: C30B 13/00, C30B 29/52
Метки: металлов, монокристаллических, основе, сплавов, труб, тугоплавких
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРУБ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ НА ИХ ОСНОВЕ бестигельной зонной плавкой, включающий перемещение расплавленной зоны от кольцевой затравки вдоль исходных установленных на затравке прутков, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и получения беспористых труб большой длины, исходные прутки берут диаметром 0,8 1,4 5% от толщины стенки трубы и устанавливают их по окружности с зазором, при котором расплав за счет капиллярных сил удерживается на уровне кромки оплавления прутков или выше ее.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью введения во время процесса легирующей добавки, у зазоров между...
Монокристаллический сплав на основе никеля
Номер патента: 1513934
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Астафьева, Герасимов, Глезер, Голубовский, Денисов, Зуев, Качанов, Кишкин, Кулешова, Ларионов, Миронов, Морозова, Никольская, Орехов, Панкратов, Сидоров, Толорайя, Хацинская, Хвацкий, Шапин
МПК: C22C 19/05
Метки: монокристаллический, никеля, основе, сплав
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ, содержащий хром, алюминий, титан, молибден, вольфрам, тантал, рений, кобальт, отличающийся тем, что, с целью повышения жаропрочности изделий, отлитых преимущественно с кристаллографической ориентацией (III), он дополнительно содержит ниобий, иттрий, лантан, церий, празеодим, неодим, гадолиний, скандий, при следующем соотношении компонентов, мас.Хром 2,5 5,5Алюминий 5,0 6,2Титан 0,7 1,5Молибден 1,0 4,0Вольфрам 10,5 13,0Тантал 0,01 4,5Рений 1,0 2,6Кобальт 5,0 9,5Ниобий 0,7 1,5Иттрий 0,002 0,075Лантан 0,001 0,05Церий 0,001 0,05Празеодим 0,0002 0,01Неодим 0,0002 0,005Гадолиний 0,0002 0,005Скандий 0,0002...
Эластичный материал на основе феррита бария или стронция для постоянных магнитов
Номер патента: 1782137
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Гольдаде, Климович, Пинчук, Снежков, Цветкова
МПК: H01F 1/113
Метки: бария, магнитов, материал, основе, постоянных, стронция, феррита, эластичный
ЭЛАСТИЧНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ФЕРРИТА БАРИЯ ИЛИ СТРОНЦИЯ ДЛЯ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ, содержащий поливинилхлорид и функциональную добавку, отличающийся тем, что, с целью повышения эластичности и усталостной прочности, он в качестве функциональной добавки содержит раствор дивинилстирольного термоэластопласта в диоктилфталате в пропорции (1 2) 5 при следующем соотношении компонентов, мас.Поливинилхлорид 4 12Раствор дивинилстирольного термоэластопласта в диоктилфталате 6 12Феррит бария или стронция Остальное
Комплексный реагент для тампонажных растворов на основе шлаковых вяжущих
Номер патента: 1839039
Опубликовано: 10.04.1995
Автор: Перейма
МПК: E21B 33/138
Метки: вяжущих, комплексный, основе, растворов, реагент, тампонажных, шлаковых
...равное 0,40.Получают тампонажный раствор плотностью 1900 кг/м, растекаемостью 18 см позконусу АзНИИ. Водоотдача раствора равна 13 см /30 мин, адгеэия к металлу цементного камня, твердевшего 2-е суток при 1=130 С и Р=40 МПа, составляет 1,77 МПа. Фазовый состав стабилизирован, т,к, каких-либо трещин не обнаружено.П р и м е р 2. Проводят все операции так, как указано в примере 1 и получают комплексный реагент следующего состава, мас. О :Гипан - 8 (из 40 г 20 о -го раствора); Фосфоновый комплексон марки ДПФ 1 Н - 4 (из 20 г 20-го раствора);Гидроксид натрия - 40;Вода - 48,.Далее берут 50 г полученного реагента (5,0% от массы цемента), разбавляют водой до 410 мл и затворяют им 1000 г цемента ШПЦС, соблюдая ж/ц, равное 0,41.Получают...
Комплексный реагент для тампонажных растворов на основе портландцемента
Номер патента: 1839040
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Гусманов, Ильяев, Перейма, Перцева, Петраков, Яковенко
МПК: E21B 33/138
Метки: комплексный, основе, портландцемента, растворов, реагент, тампонажных
...растекаемостью 18,5зсм по конусу АэНИИ. Водоотдача раствораравна 16,5 см /30 мин, тиксотропия - 2,25,з10 адгезия к металлу образовавшегося цементного камня - 0,42 МПа.П р и м е р 2. Проводят все операции так,как указано в примере 1 и получают комплексный реагент следующего состава,15 мас.:гипан - 12 (из 60 г 20 о -ного раствора);ДПФН(из 30 г 20 о -ного раствора);триэтаноламин - 5;вада - 77 (систему доводят до 100%,20 приливая 5 мл воды).Далее берут 33 г реагента (3,3% от массы цемента), разбавляют водой до 360 мл ипроводят все операции так, как указано впримере 1.25 Получают тампонажный раствор плотностью 2,03 10 кг/м, растекаемостью 18,0зсм по конусу АзНИИ. Водоотдача раствораравна 12,5 см /30 мин, тиксотропия - 2,56,адгезия к...
Сплав на основе алюминия
Номер патента: 1586243
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Альтман, Блескин, Жежер, Мишин, Натапов, Николаева, Простова, Стромская, Энтин
МПК: C22C 21/04
Метки: алюминия, основе, сплав
СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ, содержащий кремний, магний, титан, отличающийся тем, что, с целью повышения механических и технологических свойств, он дополнительно содержит цирконий, кобальт, стронций и металл, выбранный из группы, содержащей бор, скандий, натрий, висмут и иттрий при следующем соотношении компонентов, мас.Кремний 6 12Магний 0,1 0,9Титан 0,06 0,6Цирконий 0,03 0,3Кобальт 0,01 0,5Стронций 0,01 0,09Металл, выбранный из группы, содержащей:Бор 0,01 0,2Скандий 0,01 0,2Натрий 0,03 0,09Висмут 0,03 0,09Иттрий 0,03 0,09Алюминий Остальное,причем соотношение содержания циркония и титана соответствует 1:2.
Спеченный материал на основе серебра для электрических контактов
Номер патента: 1198969
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Афонин, Маховский, Правоверов, Трибунская, Турова, Фадеева, Юрков
МПК: C22C 5/06
Метки: контактов, материал, основе, серебра, спеченный, электрических
СПЕЧЕННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, содержащий оксид кадмия, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости контактов против сваривания при сохранении высокой эрозионной стойкости, он дополнительно содержит сложный оксид кадмия и индия состава Cd In2 O4 при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид кадмия 8 13Сложный оксид кадмия и индия состава Cd In2 O4 0,4 1,2Серебро Остальное
Сплав на основе серебра
Номер патента: 1316269
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Афонин, Гольцман, Егоров, Зубрицкий, Правоверов, Ройзман, Стручков
МПК: C22C 5/08
СПЛАВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА, содержащий кадмий и медь, отличающийся тем, что, с целью повышения эрозионной стойкости и пластичности, он дополнительно содержит марганец при следующем соотношении компонентов, мас.Кадмий 12,0 20,0Медь 20,0 40,0Марганец 0,01 0,1Серебро Остальное
Способ изготовления материала для постоянных магнитов на основе системы самарий-кобальт-железо
Номер патента: 1499816
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Лобынцев, Перов, Растегаев, Самухин, Туров
МПК: B22F 1/00, B22F 3/24, C22C 19/07 ...
Метки: магнитов, основе, постоянных, самарий-кобальт-железо, системы
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ САМАРИЙ-КОБАЛЬТ-ЖЕЛЕЗО, включающий выплавку исходного сплава, содержащего самарий, кобальт, железо, медь и цирконий, введение в него бора, измельчение исходного сплава, прессование полученного порошка в магнитном поле, спекание и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости магнитных свойств материала, повышения выхода годных магнитов и упрощения технологии изготовления, исходный сплав выплавляют при следующем соотношении компонентов, мас.Самарий 24 26Железо 16 18Медь 4,5 6,5Цирконий 3,2 3,5Кобальт Остальноеа бор вводят при измельчении исходного сплава в виде порошка аморфного бора в...
Материал для электрических контактов на основе серебра
Номер патента: 1208821
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Афонин, Веселова, Маховский, Правоверов, Турова, Фадеева, Юрков
МПК: C22C 32/00, C22C 5/06, H01H 1/02 ...
Метки: контактов, материал, основе, серебра, электрических
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА, содержащий оксид кадмия и оксид висмута, отличающийся тем, что, с целью повышения эрозионной стойкости при сохранении уровня контактного сопротивления и стойкости против сваривания, он дополнительно содержит сложный оксид висмута и олова состава Bi2 Sn2 O7 при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид кадмия 8 12Оксид висмута 0,5 3,0Сложный оксид висмута и олова состава Bi2 Sn O7 0,3 1,5Серебро Остальное
Композиционный магнитный материал на основе интерметаллического соединения самария с кобальтом smco5
Номер патента: 1391365
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Лобынцев, Перов, Пилипосян, Поднебеснова, Щелоков
МПК: H01F 1/08
Метки: smco5, интерметаллического, кобальтом, композиционный, магнитный, материал, основе, самария, соединения
КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ САМАРИЯ С КОБАЛЬТОМ SmCo5, содержащий порошок интерметаллического соединения самария с кобальтом SmCo5 и эпоксидное связующее, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитных свойств, в качестве эпоксидного связующего он содержит эпоксидный лак при следующем соотношении компонентов, мас.Эпоксидный лак 4 10Порошок интерметаллического соединения самария с кобальтом SmCo5 - Остальное
Способ изготовления постоянных магнитов на основе соединений редкоземельных элементов с переходными металлами
Номер патента: 1272580
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Брянцев, Савич, Туров, Федякин
Метки: магнитов, металлами, основе, переходными, постоянных, редкоземельных, соединений, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ПЕРЕХОДНЫМИ МЕТАЛЛАМИ, включающий выплавку сплава, его дробление, размол, прессование из полученного порошка заготовок в магнитном поле, спекание заготовок и их последующую термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных магнитов за счет расширения температурного интервала воспроизводимости магнитных свойств, спекание заготовок осуществляют индукционным нагревом частотой 2 12 кГц при температуре заготовки на 150 200oС ниже температуры ликвидуса сплава в течение 1 30 с.
Способ получения постоянных магнитов на основе железа
Номер патента: 1513738
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Лобынцев, Растегаев, Самухин, Туров
Метки: железа, магнитов, основе, постоянных
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ ЖЕЛЕЗА, включающий выплавку исходного соединения, содержащего неодим, диспрозий, железо и бор, приготовление порошка, прессование заготовок в магнитном поле, их спекание и термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей путем создания в магнитах регулируемого распределения напряженности магнитного поля, выплавку исходного соединения осуществляют с содержанием железа на 0,1 2,0 мас. выше стехиометрического, дополнительно выплавляют вспомогательное соединение с содержанием железа на 2 5 мас. ниже стехиометрического, приготавливают из него порошок, прессуют заготовки, а в процессе спекания обеспечивают контактирование спрессованных заготовок из исходного...
Способ получения материала для электрических контактов на основе серебра
Номер патента: 1632255
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Дуксина, Правоверов
Метки: контактов, основе, серебра, электрических
...восстанавливают при 650 С, При повторном смешивании к порошку сплава, Ац - Ме добавляют 5/, ЯпОг. Контакты окисляют при 750 С в течение 1 ч в атмосфере Исходная смесь Ац - МеО имела состав,одинаковый с приведенным в примере 1, иготовилась по той же технологии. При повторном смешивании к восстановленномупорошку сплава Ац - Ме добавляют 5% смеси оксидов олова и меди в соотношении 1:1(95% Ац - Ме+2.5% ЯпОг+ 2,5% СцО). Далееконтакты готовят по режимам из примера 1,П р и м е р 4. Состав готовых контактов10 и технология их изготовления совпадают сприведенным в примере 2, Отличие заключается в том, что в качестве исходного сырьядля изготовления контактов используют углекислое серебро.15 П р и м е р 5, Для выявления влияниямеди, равномерно...
Сплав на основе серебра
Номер патента: 1405339
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Агушевич, Афонин, Голубничий, Дмитриев, Колонин, Куранов, Маховский, Правоверов, Ройзман, Тимофеев, Хаяк
МПК: C22C 5/06
СПЛАВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА преимущественно для биметаллических электрических контактов, содержащий кадмий и индий, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного электросопротивления, повышения прочности на срез биметаллического контакта и пластичности при сохранении эрозионной стойкости, он дополнительно содержит иттрий при следующем соотношении компонентов, мас.Кадмий 22 28Индий 0,4 1,5Иттрий 0,0008 0,01Серебро Остальное