Способ исследования структурного совершенства монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) 511 4 С 01 И 23 ЗОБРЕТЕНДЕТЕЛЬСТВУ АВТОРСКОМУ С а ОСУДАРСТВЕНКЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(56) КоЬга К, Ап арр 1 саг.оп о 2 вуташейгт.с ге 21 есгюп аког оЬгат.ппд х-гау Ьеашв о 2 ехгеша 1 у паггоьт апнтт 1 аг вргеай. - Л. РЬув. Бос., Зарап, 1962, 17, В 3, р. 589-590.Авторское свидетельство СССР В 894500, кл, С 01 Б 23/207, 1981,1.Ыа А Ко 1 тга К. Берагаге шеавттге шепгв ой пупашдса 1 апй Кт.пешагдса 1 х-гау ттт.НгасГ эпв Ггош вд 11 соп сгувга 1 в тйг 1 т а ггт.р 1 е сгува 1 йьНгасгошегег. - РЬув. Бган. Бп 1 (а), 1979, 51, У 1, р. 533.(54) СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ(57) Изобретение относится к области рентгеноструктурного анализа и можетиспользоваться при исследованииструктурных дефектов монокристаллов.Цель изобретения - повышение чувствительности анализа благодаря надежномувыделению диффузного максимума, Способосуществляется следующим образом.Первичный рентгеновский пучок направляютна кристалл-монохроматор под углом кего поверхности, меньшим брэгговского угла 9 , монохроматизированный пуБ фчок направляют на второй кристаллисследуемый образец, повернутый назаданный угол от его положения, соответствующего максимуму интенсивностидифрагированного им излучения, отраРженный от исследуемого образца пучокнаправляют на кристалл-анализатор подуглом к его поверхности, большим Вз,выделяют диффузный максимум и измеряют его интегральную интенсивность,из акоторой находят относительную величину дефектной области исследуемогокристалла, 5 ил,1402873 разца первого и второго типа соответственно. ф о р м у л а изобретения Способ исследования структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что рентгеновский пучок от источника направляют на 10 кристалл-монохроматор, установленный под брэгговским углом 0 = 9 в, отраженный от первого кристалла пучок направляют на исследуемый образец, повернутый на заданный угол от его 15 положения, соответствующего максимуму интенсивности дифрагированного им излучения, отраженный от второго кристалла пучок направляют на кристалл-анализатор под углом, близким к углу Брэгга 6 в , и путем поворота кристалла-анализатора получают трехкристальный спектр, включающий взаимно наложенные главный пик, псевдопики диффузный максимум,о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью повыше ния чувствительности к структурнымдефектам благодаря надежному выявлению диффузного максимума, устраняютинтенсивный псевдопик, направляя первичный пучок на кристалл-монохроматор под углом к его поверхности, меньшим Ов , сужают угловую область главного пика, направляя отраженный отисследуемого образца пучок на крис.талл-анализатор под углом к его поверхности, большим О , и измеряютинтегральную интенсивность диффузного максимума, из которой находяп.относительную величину объема дефектной области исследуемого кристалла.ФФиа Х Составитель Е. СидохинТехред Л.Сердюкова Корректор Л. Пилипенко Редактор А. Ревин Тирак 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
4096506, 18.07.1986
ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А. В. ШУБНИКОВА
КАЗИМИРОВ АЛЕКСАНДР ЮРЬЕВИЧ, КОВАЛЬЧУК МИХАИЛ ВАЛЕНТИНОВИЧ, ЧУХОВСКИЙ ФЕЛИКС НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного
Опубликовано: 15.06.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1402873-sposob-issledovaniya-strukturnogo-sovershenstva-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ исследования структурного совершенства монокристаллов</a>
Предыдущий патент: Рентгеновская камера для съемки крупнозернистых материалов
Следующий патент: Система монохроматизации рентгеновского дифрактометра
Случайный патент: Радиоэлектронный блок