Патенты с меткой «эпитлксиального»

Номер патента: 268376

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Дорфман

МПК: B01D 9/00

Метки: выращивания, кристаллов, эпитлксиального

...осаждения (подложке) располага 1 от источник, газовый поток с транспортирующим агентом направляют параллельно источнику и 3 подложке, а перпендикулярно подложке ц оси потока создают градиент температур, направленный так, что перенос осуществляется от источника к подложке.П р ц м е р 1. В качестве исгочнцка,используют поликрцсталлцческцй германий, в качестве подложки - монокрцсталлцческцц герм анцц (арсенид галлпя). 1 Лсточнцк и подложку располагают на расстоянии 0,1 - 2 сл друг от друга, на источнике создают температуру 500 - 600 С, на подложке - 400 - 500 С и вдоль источника ц подложки параллельно им пропускают газ (папрцмер гелцй, аргон илц азот), содержащий цод в концентрации 0,02 - 0,5 г/л. В результате получают эпцгаксцальный...