Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей

Номер патента: 211899

Авторы: Зандин, Мастихин, Шелопут

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ 211899ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СОВ 3 СоеетскикСоциалиотическик Республик, 42, 1/06 вт, свидетельстваависимо Заявлено 28.111.1967 ( 1144098/26-10) рисоединением заявкиК В 06 Ь риоритет по делам й и открытийУДК 534,232(088,8 публиковано 19.11.1968. Бюллетень8 ата опубликования описания 24.1 Ч.1968 вето Мииист СССР при Авторы изобретени Заидии и В. М. Мастихин пут, В ки полупроводников Сибирского отделения АН СССР аявитель титут СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВЯ УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ я для ультснове обедличаюш 1 ий- емпературетров кри- изготовлесоздают от- атмосфере Известны способы получения кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, заключающееся в том, что на полированные грани нинкоомного образца сульфида кадмия, перпендикулярные иля параллельные оптической оси в зависимости от того, для какого типа волн создается преобразователь, продольных или поперечных, в вакууме 10 -мм рт, ст. испарением наносится слой меди, После 1 .этого образец прогревается в вакууме 10-емм рт. ст. до + 400 С в течение 2 - 20 мин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью слой сульфида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлеприческим слоем.Известный способ обладает рядом недостатков: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразова телей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных уст. ройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложно тью технологии ввиду наличия вакуумных операций. По предложенному способу обедненный носителем слой создают отжигом низкоомного кристалла в атмосфере серы, Эго позволяет повысить температурную стабильность основных параметров иристаллов и упростить процесс их изготовления.Пластинки сульфида кадмия с плоскопараллельными поверхностями помещаются вместе с серой в стеклянную ампулу. Ампула закрывается, вносится в печь, температура когорой +500 С, и выдерживается в печи в течение 0,3 - 8 час в зависимости от требуемой основной частоты преобразователя. В этих условиях сера расплавляется и образцы огжигаются в жидкой сере. Предмет изобретен Способ изготовления кристаллов азвуковых преобразователей на о енных слоев сульфида кадмия, от я тем, что, с целью повышения т ой стабильности основных парах таллов и упрощения процесса их ия, обедненный носителями слой ситом низкоомного кристалла в еры.

Смотреть

Заявка

1144098

Институт физики полупроводников Сибирского отделени СССР

Д. В. Шелопут, В. К. Зандин, В. М. Мастихин

МПК / Метки

МПК: B06B 1/06

Метки: кристаллов, преобразователей, ультразвуковых

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-211899-sposob-izgotovleniya-kristallov-dlya-ultrazvukovykh-preobrazovatelejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей</a>

Похожие патенты