Шнкгер
Тигель для выращивания кристаллов из расплава
Номер патента: 168639
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Алешин, Дмитриев, Песоцкий, Скаковский, Тузовский, Шнкгер
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, тигель
...от расплава, камера, сообщающа донной части при пом штоком. вания кр тимонид целью о внутри яся с по ощи кан одписная группа М 3 ение относится к области химии ия кристаллов материалов, обрасисную пленку на поверхности расвыращиванзующих о:плава.В настоящее время для выращивания кристаллов применяют тигли без дополнительнойвнутренней камеры. В тиглях такой конструкции трудно выращивать кристаллы материалов, образующих окисную пленку расплава,препятствующую росту крпсталла, например 10кристаллов антимонида галлия.Цель изобретения - обеспечить возможность отделения окисной пленки от расплаваматериала. Достигается это тем, что предложенный тигель выполнен с дополнительной камерой, сообщающейся с полостью тигля припомощи канала, запираемого...