Способ получения кристаллов основного карбоната магния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
2 О 2 О 87 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Соеетскиа Социалистическик Республикависимое от авт. свидетельствааявлено 19.1 Х.1963 ( 857563/23-26) присоединением заявкил, 12 пт, 5/2 МПК С 01 пам Комитет по зобретеиий и при Совете М СССРоритет крыти истрое К 661.846,622 (088.8 публиковано 14.Х.1967. Б ата опубликования описан летень13,Х 1,19 б Авторыизобретени. Арав и Е. Г. Чубар аучно-исследовательского института строительных материалов и изделий СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОСНОВНОГО КАРБОНАТА МАГНИЯсвязаннои воды тают тепловой 95 С и сушат п ченные кристал ния имеют длину ллов ос ьзовани выдерж следую Известен способ получения криста новного карбоната магния при исполи прерывистой среды кристаллизации ской при температуре выше 27 С с по щей сушкой.Предложенный способ отличается от известного тем, что тригидрокарбонат магния отфильтровывают, сушат при температуре ниже 50"С до остаточного содержания несвязанной воды менее 3%, а затем подвергают тепловой обработке при 80 - 95 С. Указанное отличие способствует получению укрупненных кристаллов основного карбоната магния.Способ осуществляют следующим образом.Полученную водную суспензию тригидрокарбоната магния подвергают виброфильтрации до содерхкания воды 20%. Блажный порошок тригидрокарбоната магния высушивают при температуре 50 С до остаточной недмет изобретения 10 Способ получения кристаллов карбоната магния путем термическ жения тригидрокарбоната магния в стой среде перекристаллизации, от, ся тем, что, с целью укрупнения15 кристаллов, тригидрокарбонат ма фильтровывают, сушат при темпера 50"С до остаточного содержания не воды менее 3%, а затем подвергают обработке при 80 - 95 С,основного го разло- прерыви- ичающийразмероз гния оттуре ниже связаннойтепловой Заявитель Крымский филиа менее 3%, а затем подверобработке при температуре ри температуре 100 С. Полуы основного карбоната магдо 150 икц
СмотретьЗаявка
857563
Крымский филиал Научно исследовательского института строительных, материалов, изделий
Р. И. Арав, Е. Г. Чубарь
МПК / Метки
МПК: C01F 5/24
Метки: карбоната, кристаллов, магния, основного
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-202087-sposob-polucheniya-kristallov-osnovnogo-karbonata-magniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов основного карбоната магния</a>
Предыдущий патент: Способ очистки трифторида калия
Следующий патент: Способ получения неорганического волокнистогоматериала
Случайный патент: Конвейерная установка для изготовления изделий из ячеистого бетона