Способ эпитлксиального выращивания кристаллов

268376 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОФАУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Со 1 оз Советских СокиалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельства Заявлено 11.1 Х,1963 ( 856458/23-26) д. 12 с, 2 соединением заявкиКВ 01 дК 66.065.6.542,6(088.8) оритет Комитет по деламобретений и открытийри Совете МинистровСССР Опубликовано 10.1 Ч.1 О. Бюллетень14 ата опубликования описания т.чВ Автсризобретен ма явитОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛ 2 Изобретение относится к области технологии выращивания кристаллов и может применяться при создании эпитаксиальных слоев полупроводниковых и других материалов.Известны способы эпитаксиального выращивания кристаллов путем нагрева исходного ве. щества с последующей кристаллизацией целевого продукта, в которых газовая фаза насыщается кристаллизуемым веществом в одной зоне реактора, после чего поступает в другую 1 зону, где происходит осаждение вещества на подложке.Недостатками известных способов является то, что они дают низкий выход, а при их реализации затрудняется получение слоев одно родной толщины.Цель изобретения заключается в повышении выхода и улучшении однородности выращиваемых кристаллов по толщине. Это достигается тем, что в зоне кристаллизации создают гра диент температуры, поперечный потоку газа, и параллельно подложке помещают исходное вещество.Газовая фаза насыщается исходным веществом и непрерывно регенерируется вдоль всей 2 поверхности, на которой производят выращивание кристаллов. Для этого параллельно поверхности осаждения (подложке) располага 1 от источник, газовый поток с транспортирующим агентом направляют параллельно источнику и 3 подложке, а перпендикулярно подложке ц оси потока создают градиент температур, направленный так, что перенос осуществляется от источника к подложке.П р ц м е р 1. В качестве исгочнцка,используют поликрцсталлцческцй германий, в качестве подложки - монокрцсталлцческцц герм анцц (арсенид галлпя). 1 Лсточнцк и подложку располагают на расстоянии 0,1 - 2 сл друг от друга, на источнике создают температуру 500 - 600 С, на подложке - 400 - 500 С и вдоль источника ц подложки параллельно им пропускают газ (папрцмер гелцй, аргон илц азот), содержащий цод в концентрации 0,02 - 0,5 г/л. В результате получают эпцгаксцальный слой германия (арсенида галлия) на подложке. Максимальная длина подложки, и, следовательно, выращенного слоя определяется размером реационной трубы и может составить, например. 1000 - 1500 л.11 ц более. Выход процесса по целевому веществ 90 - 95 О 10 ц более,П р и м ер 2. Берут общий источник фосфида галлия, после него дополнительный источник фосфида галлия, расположенный параллельно подложке из монокристаллического германия на расстоянии от нее 1 - 2 сл 1. На подлсжке создают температуру 500 - 600 С, а на источнике - 600 - 800" С и поопускают поток газа, содержащего папы пода с концецтраццец 0,1 - 0,5 г/л параллельно подложке в направ268376 Предмет изобретения Составитель Л. Д. Мовчан Редактор Н, Л. Корченко Техред Л, Я. Левина Корректор Л, И. ГавриловаЗаказ 1775/4 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва 5 К, Раушская наб д. 4/51 ипография, пр, Сапунова, и ленни от общего источника к дополнительномуисточнику и подложке. В результате получаютэпитаксиальный слой фосфида галлия на германии. Способ эпитаксиального выращивания кристаллов путем нагрева исходного вещества с последующей кристаллизацией целевого продукта из газовой фазы, подаваемой на подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и улучшения однородности вы ращиваемых кристаллов по толщине, в зонекристаллизации создают градиент температуры, поперечный потоку газа, и параллельно подложке помещают исходное вещество,