Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса

Номер патента: 136724

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Глебский, Красильников, Хохлов

МПК: C01F 7/38

Метки: аппарат, выращивания, корунда, кристаллов

...корунда; на фиг. 2 - схема кристаллизации.Аппарат для динамического вырашивания кристаллов корунда дискообразной формы состоит из керамической вертикальной печи 1, помещенной в разъемный чугунный корпус 2, В передней стенке имеется окно 3 для наблюдения за ходом процесса кристаллизации. От центра верхней стенки, в осевом направлении, проходит конусообразный канал 4 с дискообразным расширением 5, куда в струе водородно-кислородного пламени подается в расплавленном состоянии пудра (шихта). Пудра эта попадает на вращающийся стержень-затравку 6, закрепленньш в керамических держателях 7. Вращение стержня вокруг своей горизонМ 136724тальной оси осуществляется от цепной передачи со скоростью 0,1. об/люие., Вверху аппарата, над центральной...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...

Номер патента: 1443488

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 15/36

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...вытягиваюший ме"ханиэи.Повышают температуру тигля 1 по заданной программе до начала планле ния прокладок 8. По мере оплавления последних поверхность затравки 4, свободно установленной на них, плав-.но и медленно сближают с Формообразователем 7. После полного оплавления прокладок 8 затравка 4 ложится на формообразователь 7 и полки 3, После контакта затравки 4 сполками 3 делают выдержку для стабилизации тепловых условий на Фронте кристаллизации и начинают вытягивание кристалла известным способом. При этомтяги 2 самоцентрируются на затравке4 за счет смещенного центра тяжестии наличия шарниров 5, фиксируя затравку 4 и растущий кристалл в заданном положении.П р и м е р. Выращивание сапфировых (А 10 з) тиглей цилиндрическойформы с наружным...

Номер патента: 1604868

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Еськов, Кривцов

МПК: C30B 15/32

Метки: выращивания, затравкодержатель, кристаллов

...штока, при меньшей длинехвостовой части возможна разориентация затравки. Соотношение длин элементов затравки определены экспериментально,Высота прямоугольного выступа(0,15 внутреннего диаметра + толщинастенки керамического штока) определяется внутренним и внешним диаметрами штока. В затравочном,кристаллеи в штоке выполнены соосные отверстия 6 для металлического штифта 5.Диаметр отверстия в штоке равен диаметру штифта + О, 1 мм, диаметр отверстия в кристалле равен диаметруштифта + 0,15 мм, что соответствуеттехнологическим допускам,Это позволяет заклинивать затравку поворотомштифта. Для этого штифт имеет изгиб,радиус кривизны которого определяютопытным путем.Затравочный .кристалл вставляютв шток хвостовой частью, совмещаяего...

Номер патента: 1604869

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Петьков, Редькин, Татарченко

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...фронта кристаллизации.П р и м е р. Проводят выращивание кристаллов ниобата лития из тигля диаметром 40 мм, высотой 35 мм. Формообразователь имеет среднюю кривизну сопрягающей поверхности 0,1 б К в - 10, причем изменение средней кривизны ЬК по всей поверхности сопряжения не превышает 0,2. Тигель и формообраэователь выполнены из платины.Результаты экспериментов представлены в таблице.Использование изобретения позволя ет осуществлять выращивание монокристаллов в виде стержней, пластин иразличных замкнутых профилей. Формула и з обретенияСпособ выращивания профилированныхкристаллов, включающий затравление сторца формообразователя, зацеплениемениска расплава за рабочую поверхность формообразователя и выращивание при подвижном мениске...